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1. 发明申请

WO2008077581A1 INTEGRIERTE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：集成器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008077581A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/EP2007/011271
申请日：2007-12-20
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , EADS DEUTSCHLAND GMBH , WÜRTZ, Alida , ZIEGLER, Volker , SCHMID, Ulrich
发明人： WÜRTZ, Alida , ZIEGLER, Volker , SCHMID, Ulrich
IPC分类号： H01H59/00 , H01P1/12 , B81C1/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B2201/014 , B81C1/00246 , B81C2203/0728 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Integrierte Anordnung mit einem Schaltkreis und einem MEMS-Schaltelement (500) - bei der der Schaltkreis eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (400) aufweist, die über metallische Leitbahnen (101...104, 201...204, 301...304) in mehreren übereinander angeordneten Metallisierungsebenen (100, 200, 300) miteinander zur Ausbildung des Schaltkreises verbunden sind, - bei der die Metallisierungsebenen (100, 200, 300) zwischen dem MEMS-Schaltelement (500) und den Halbleiterbauelementen (400) ausgebildet sind, so dass das MEMS-Schaltelement (500) oberhalb der obersten Metallisierungsebene (300) ausgebildet ist, - bei der das MEMS-Schaltelement (500) beweglich ausgebildet ist, - das MEMS-Schaltelement (500) positioniert zu einem Dielektrikum (26) ausgebildet ist, so dass das bewegliche MEMS-Schaltelement (500) und das Dielektrikum (26) eine veränderbare Impedanz (für ein Hochfrequenzsignal) bilden, und - bei der in der obersten Metallisierungsebene (300) eine zum MEMS-Schaltelement (500) positionierte Antriebselektrode (303) zur Erzeugung einer elektrostatischen Kraft zur Bewegung des MEMS-Schaltelements (500) ausgebildet ist.
摘要翻译：集成组件，其包括一个电路和一个MEMS开关元件（500） - ，其中所述电路包括多个半导体器件（400），覆盖金属导电线（101 ... 104，201 ... 204，301 ... 304）在几个叠置的金属化水平（100，200，300）相互连接以形成电路， - 其中，所述MEMS之间的金属化（100，200，300）开关元件（500）和形成（400）的半导体器件，所以该MEMS开关元件（500）的最上金属化（300），上述形成 - 在其中MEMS开关元件（500）是可移动的， - 定位在电介质中的MEMS开关元件（500），（26）形成，形式，使得可动MEMS开关元件（500）和所述电介质（26）包括一个可变阻抗（为一个高频信号），以及 - 其中在最上方的金属化（300）的MEMS开关元件（500）是用于生成静电力用于移动MEMS形成定位的驱动电极（303）开关元件（500）。

2. 发明申请

WO2007085405A1 FERTIGUNGSPROZESS FÜR INTEGRIERTE MIKRO-ELEKTRO-MECHANISCHE BAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：制造工艺集成微电子机械部件
公开(公告)号：WO2007085405A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/EP2007/000526
申请日：2007-01-23
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , DIETZ, Franz , WÜRTZ, Alida
发明人： DIETZ, Franz , WÜRTZ, Alida
IPC分类号： B81C5/00
CPC分类号： B81C1/00246 , Y10T428/31
摘要： Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro-elektro-mechanischen Bauelementen (15) mit den Schritten • Herstellen einer ersten leitfähigen Schicht (3) auf einer ersten Isolatorschicht (1), • Strukturieren der ersten leitfähigen Schicht (3), • Herstellen einer zweiten Isolatorschicht (5), • Herstellen einer zweiten leitfähigen Schicht (6), • Herstellen mindestens einer Ätzöffnung (7) zum wenigstens teilweise Ätzen der zweiten Isolatorschicht (5) unterhalb der zweiten leitfähigen Schicht (6) zur Herstellung wenigstens eines Hohlraums (8), und • Elektrische Kontaktierung (11) wenigstens eines Teils der ersten leitfähigen Schicht (3) und der zweiten leitfähigen Schicht (6).
摘要翻译：用于生产集成微机电部件，其包括第一绝缘层上形成第一导电层（3）（1）中，图案化所述第一导电层（3）的步骤中，形成第二绝缘层（5）的方法（15），形成第二导电层（6），产生至少一个蚀刻开口（7），用于至少部分地蚀刻所述第二绝缘层（5），用于使至少一个空腔（8）至少在第二导电层（6），和电接触（11）的下方所述第一导电层（3）和第二导电层（6）的至少一部分。

3. 发明申请

WO2008052762A2 HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法的半导体器件
公开(公告)号：WO2008052762A2
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/EP2007/009454
申请日：2007-10-31
申请人： ATMEL GERMANY GMBH
发明人： WÜRTZ, Alida
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C2203/0735
摘要： Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung: mit einem Substrat (1), mit einer Bauelementeschicht (3) aus einem einkristallinem Halbleitermaterial, mit einer Isolatorschicht (2), die zwischen dem Substrat (1 ) und der Bauelementeschicht (3) ausgebildet ist und die Bauelementeschicht (3) vom Substrat (1) isoliert (SOI), mit einer Anzahl von Bauelementen (140), die in der Bauelementeschicht (3) ausgebildet sind, mit einer Grabenstruktur (13), die an die Isolatorschicht (2) angrenzt und die mit einer Füllung verfüllt ist um zumindest ein Bauelement (140) der Anzahl von Bauelementen (140) innerhalb der Bauelementeschicht (3) in lateraler Richtung zu isolieren, wobei die Füllung ein Dielektrikum aufweist, und mit einer freitragenden Mikrostruktur (150, 250, 350, 450, 550), die in einem durch die Grabenstruktur (13) festgelegten Strukturbereich (151, 251, 351, 451, 551 ) ausgebildet ist.
摘要翻译：一种半导体器件和制造半导体器件的方法，包括：包括衬底（1），包括（3）由单晶半导体材料构成的器件层，与在基板之间形成的绝缘体层（2）（1）和所述器件层（3）和形成在器件层（3）在从基板（1）分离的（SOI）中，用许多组件（140）器件层（3），具有严重结构（13）相邻的绝缘层（2）和所述填充有填充物是组分（140）的器件层（3），以在横向方向上隔离内的数目，其中所述填充有电介质的至少一个部件（140），并用自支撑微结构（150，250，350， 450，550）中之一所定义（由坟墓结构13）结构区域（151，251，351，451，551）形成。

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