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1. 发明申请

WO2008071366A2 INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：半导体集成电路
公开(公告)号：WO2008071366A2
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/EP2007010738
申请日：2007-12-10
申请人： ATMEL GERMANY GMBH
发明人： SCHREITER MARCO
IPC分类号： H03K17/693 , H03K19/00
CPC分类号： H03K17/005 , G01R31/3163 , G01R31/31713 , H03K17/063 , H03K17/162 , H03K17/6872 , H03K17/6874 , H03K2017/066
摘要： The invention relates to an integrated semiconductor circuit having a connection node (22) provided for coupling out electrical signals, and having a plurality of electrical signal lines (52; 52a, 52b, 52c, 52d), which are embodied for providing circuit-internal signals, in particular test signals, to the connection node (22). A respective circuit-internal enable device (10; 10a, 10b, 10c, 10d), which can be switched between an enable state for enabling the signal line (52; 52a, 52b, 52c, 52d) and a disable state for disabling the signal line (52; 52a, 52b, 52c, 52d), is looped into the signal lines (52; 52a, 52b, 52c, 52d). The enable device (10; 10a, 10b, 10c, 10d) has switching means (16, 18) embodied in such a way that the disable state for the signal line (52; 52a, 52b, 52c, 52d) is ensured independently of an electrical potential of the signal or test signal that is present on the signal line (52; 52a, 52b, 52c, 52d). The enable device (10; 10a, 10b, 10c, 10d) furthermore has drive means (12, 14) provided for driving the switching means (16, 18). The invention provides for the drive means (12, 14) to be embodied in such a way as to ensure that the respective signal line (52; 52a, 52b, 52c, 52d) is enabled in a manner free of shunt currents. Use for integrated circuits.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体集成电路的终端节点（22），其被提供用于耦合的电信号，并且具有多个电信号线;对应于所述规定的电路内的信号（52 52A，52B，52C，52D），在特定的测试信号，以连接节点（22）形成。在信号线（52; 52A，52B，52C，52D）在每种情况下的电路的内部释放装置（10; 10A，10B，10C，10D）被环中，（间，用于释放信号线52的释放状态; 52A，52B，52C，52D ），并用于阻挡所述信号线的阻挡状态（52; 52A，52B，52C，52D）是可切换的。所述释放装置（10; 10A，10B，10C，10D）包括开关装置，它被形成为使得（16，18），所述信号线的锁定状态（52; 52A，52B，52C，52D）各自独立地对信号线（52; 52A，52B，52C，52D）所施加的信号或测试信号的电位被确保。所述释放装置（10; 10A，10B，10C，10D）还包括驱动装置（12，14），这是用于驱动开关装置（16，18）。本发明提供了被形成为使得,,各信号线的横电流 - 自由释放所述驱动装置（12，14）（52; 52A，52B，52C，52D）被确保。集成电路的应用。

2. 发明申请

WO2008064844A1 INTEGRIERTER TREIBERSCHALTKREIS FÜR EINEN LIN-BUS 审中-公开
标题翻译：集成驱动电路对LIN BUS
公开(公告)号：WO2008064844A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/EP2007/010243
申请日：2007-11-26
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , PANNWITZ, Axel
发明人： PANNWITZ, Axel
IPC分类号： H03K17/00 , H03K19/173 , H04L25/02
CPC分类号： H03K19/1732 , H03K17/005
摘要： Ein integrierter Treiberschaltkreis (TR) für einen LIN-Bus umfasst einen ersten Eingangsanschluss (E1), einen zweiten Eingangsanschluss (E2) und einen Ausgangsanschluss (E3, A2), der mit einer Busleitung des LIN-Bus zu verbinden ist und an dem ein von einem Eingangsdatensignal (TX) abhängiges Ausgangsdatensignal (TXB) ausgegeben wird, wobei das Ausgangsdatensignal (TXB) gemäß einer ersten oder gemäß mindestens einer zweiten LIN-Bus-Spezifikation in Abhängigkeit davon ausgegeben wird, ob das Eingangsdatensignal (TX) an den ersten Eingangsanschluss (E1) oder den mindestens zweiten Eingangsanschluss (E2) angelegt ist.
摘要翻译：对于LIN总线的集成驱动器电路（TR）包括：第一输入端（E1），第二输入端（E2）和要被连接到LIN总线的总线线路的输出端（E3，A2），并通过该输入数据信号（TX）相关的输出数据信号（TXB）被输出，其特征在于，根据第一或根据输出的输出数据信号（TXB）至少取决于是否输入数据信号（TX）到第一输入端子（E1第二LIN总线规范被施加）或所述至少第二输入端（E2）。

3. 发明申请

WO2008052762A2 HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法的半导体器件
公开(公告)号：WO2008052762A2
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/EP2007/009454
申请日：2007-10-31
申请人： ATMEL GERMANY GMBH
发明人： WÜRTZ, Alida
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C2203/0735
摘要： Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung: mit einem Substrat (1), mit einer Bauelementeschicht (3) aus einem einkristallinem Halbleitermaterial, mit einer Isolatorschicht (2), die zwischen dem Substrat (1 ) und der Bauelementeschicht (3) ausgebildet ist und die Bauelementeschicht (3) vom Substrat (1) isoliert (SOI), mit einer Anzahl von Bauelementen (140), die in der Bauelementeschicht (3) ausgebildet sind, mit einer Grabenstruktur (13), die an die Isolatorschicht (2) angrenzt und die mit einer Füllung verfüllt ist um zumindest ein Bauelement (140) der Anzahl von Bauelementen (140) innerhalb der Bauelementeschicht (3) in lateraler Richtung zu isolieren, wobei die Füllung ein Dielektrikum aufweist, und mit einer freitragenden Mikrostruktur (150, 250, 350, 450, 550), die in einem durch die Grabenstruktur (13) festgelegten Strukturbereich (151, 251, 351, 451, 551 ) ausgebildet ist.
摘要翻译：一种半导体器件和制造半导体器件的方法，包括：包括衬底（1），包括（3）由单晶半导体材料构成的器件层，与在基板之间形成的绝缘体层（2）（1）和所述器件层（3）和形成在器件层（3）在从基板（1）分离的（SOI）中，用许多组件（140）器件层（3），具有严重结构（13）相邻的绝缘层（2）和所述填充有填充物是组分（140）的器件层（3），以在横向方向上隔离内的数目，其中所述填充有电介质的至少一个部件（140），并用自支撑微结构（150，250，350， 450，550）中之一所定义（由坟墓结构13）结构区域（151，251，351，451，551）形成。

4. 发明申请

WO2007137729A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR ARRAY COMPRISING AN INSULATION STRUCTURE, SEMICONDUCTOR ARRAY, AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体器件隔震结构，半导体装置及它们的用途
公开(公告)号：WO2007137729A3
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/EP2007004506
申请日：2007-05-22
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , BERNTGEN JUERGEN , DIETZ FRANK , GRAF MICHAEL , SCHWANTES STEFAN
发明人： BERNTGEN JUERGEN , DIETZ FRANK , GRAF MICHAEL , SCHWANTES STEFAN
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/76283 , H01L27/0922
摘要： Disclosed is a semiconductor array for an integrated circuit, comprising a first region (10) inside which a number of components are mounted, a second region (60), a buried insulator layer (50, SOI) for vertically insulating the first region (10), and an insulation structure (1 ) that is formed between the first region (10) and the second region (60) for laterally insulating the first region (10) from the second region (60). The insulation structure (1) has a trench structure (20, 21, 22, 23, 29) encompassing a dielectric as well as a conductor structure (30, 31, 32, 33, 39) encompassing a semiconductor material. The trench structure (20, 21, 22, 23, 29) borders the buried insulator layer (50, SOI) while the conductor structure (30, 31, 32, 33, 39) is configured so as to conductively connect the first region (10) to the second region (60).
摘要翻译：用于集成电路的半导体器件 - 与在其上形成多个组件，具有第二区域（60）的第一区域（10）， - 具有掩埋绝缘体层（50，SOI）到所述第一区域的垂直绝缘（10）， - 与被所述第一区域（10）和用于从所述第二区域（60），第一区域（10）的侧面隔热的第二区域（60）之间形成的绝缘结构（1），其中 - 所述隔离结构（1）坟结构（20，21，22，23，29）与电介质和导体图案（30，31，32，33，39），其具有半导体材料， - 坟墓结构（20，21，22，23，29）连接到掩埋绝缘体层（50，SOI）是相邻的，以及 - 所述导体结构（30，31，32，33，39）被设计为与所述第二区域（60）的第一区域（10）的导电连接。

5. 发明申请

WO2008019739A3 KOMPENSATIONSSCHALTUNG FÜR EINE MISCHSTUFE 审中-公开
公开(公告)号：WO2008019739A3
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/EP2007/006266
申请日：2007-07-14
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , FAHLBUSCH, Thorsten , LEISTNER, Andreas , AMANN, Michael , FRIESEN, Leo , SCHNABEL, Jürgen
发明人： FAHLBUSCH, Thorsten , LEISTNER, Andreas , AMANN, Michael , FRIESEN, Leo , SCHNABEL, Jürgen
IPC分类号： H03D7/14
摘要： Die Erfindung betrifft eine Kompensationsschaltung (100) für eine Mischstufe (200), wobei die Mischstufe (200) eine mit einem zu mischenden Eingangssignal beaufschlagbare Eingangsstufe (210) und eine der Eingangsstufe (210) nachgeordnete Schaltstufe (220) zur Mischung eines von der Eingangsstufe (210) in Abhängigkeit des Eingangssignals erhaltenen differentiellen Eingangssignals mit einem Oszillatorsignal aufweist, wobei die Kompensationsschaltung (100) an ihrem Eingang (100a) mit einem Eingangssignal-Anschluss der Eingangsstufe (210) und an ihrem Ausgang (100b) mit einem Eingangssignal-Anschluss (220a) der Schaltstufe (220) verbindbar ist, an dem das mittels der Eingangsstufe (210) erhaltene differentielle Eingangssignal anliegt, und wobei durch die Kompensationsschaltung (100) ausgangsseitig ein mittels einer Kompensationsstufe (110) der Kompensationsschaltung (100) erhaltenes Kompensationssignal, insbesondere zur Kompensation von Intermodulationsprodukten, ausgebbar ist. Erfindungsgemäß weist die Kompensationsschaltung (100) eine Kompensations-Eingangsstufe (120) mit Mitteln (125) zur Beeinflussung einer Amplitude und/oder Phase des Eingangssignals auf, über die die Kompensationsstufe (110) mit einem modifizierten Eingangssignal versorgbar ist.

6. 发明申请

WO2006133888A1 HALBLEITERSCHUTZSTRUKTUR FÜR EINE ELEKTROSTASTISCHE ENTLADUNG 审中-公开
标题翻译：半导体保护结构的放ELEKTROSTASTISCHE
公开(公告)号：WO2006133888A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/EP2006/005637
申请日：2006-06-13
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , DIETZ, Franz , DUDEK, Volker , GRAF, Michael , KLAUSSNER, Manfred
发明人： DIETZ, Franz , DUDEK, Volker , GRAF, Michael , KLAUSSNER, Manfred
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0259 , H01L27/0266
摘要： Halbleiterschutzstruktur (10) geeignet für eine elektrostatische Entladung - mit einem ersten Teilbereich (12) der einen ersten Bipolartransistor zur Ableitung der elektrostatischen Entladung aufweist, und - mit einem zweiten Teilbereich (14a, 14b), der einen zweiten Bipolartransistor aufweist, - wobei der erste Bipolartransistor und der zweite Bipolartransistor parallel geschaltet, so dass auch beide Emitterhalbleitergebiete (44, 44' ) und beide Kollektorhalbleitergebiete (16, 16' ) des ersten Bipolartransistors und des zweiten Bipolartransistors jeweils miteinander leitfähig verbunden sind, - wobei ein erstes Basishalbleitergebiet (34, 46, 42) des ersten Bipolartransistors an ein zweites Basishalbleitergebiet (34' , 46' , 42' ) des zweiten Bipolartransistors grenzt, - wobei das erste Basishalbleitergebiet (34, 46, 42) des ersten Bipolartransistors und das zweite Basishalbleitergebiet (34' , 46' , 42' ) des zweiten Bipolartransistors einen selben Leitungstyp aufweisen, bei der - eine erste Kollektor-Basis-Diode des ersten Bipolartransistors eine größere Durchbruchspannung aufweist als eine Kollektor-Basis-Diode des zweiten Bipolartransistors und/oder - der erste Bipolartransistor eine größere Stromverstärkung aufweist als der zweite Bipolartransistor.
摘要翻译：半导体结构（10），适合于静电放电 - 与具有第一双极晶体管用于排出静电，和一个第一部分（12） - 一个第二部分（14A，14B）具有第二双极型晶体管， - 所述第一并联连接的双极晶体管和第二双极晶体管，使得两个发射极半导体区域（44，44“）和两个集电极的半导体区域（16，16”的第一双极晶体管和第二双极晶体管的）分别导电地连接到彼此， - 其中第一基半导体区域（34，46 ，42）‘的第二双极型晶体管的边界）， - 其中，所述第一双极晶体管的第一基半导体区域（34，46，42）和所述第二基半导体区域（34’，第一双极晶体管到第二基站的半导体区域（34“ 46' ，42的，46” ，42“）具有相同的导电类型的第二双极晶体管的，其特征在于， - 一个第一双极晶体管电子第一集电极 - 基极二极管具有比所述第二双极晶体管和/或的集电极 - 基极二极管更高的击穿电压 - 第一双极晶体管的电流增益比第二双极型晶体管更大。

7. 发明申请

WO2006105916A1 VERFAHREN ZUM STÖRUNGSFREIEN FREQUENZWECHSEL IN EINEM EMPFANGSSYSTEM MIT MEHREREN PARALLEL BETRIEBENEN EMPFÄNGERN 审中-公开
标题翻译：一种用于在系统无故障的频率改变与多并联运行RECEIVERS
公开(公告)号：WO2006105916A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/EP2006/002994
申请日：2006-04-01
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , LEISTNER, Andreas , HUBER, Carsten
发明人： LEISTNER, Andreas , HUBER, Carsten
IPC分类号： H04B15/06 , H03J1/00
CPC分类号： H03J1/0083 , H04B15/06 , H04B2215/066
摘要： Vorgestellt wird ein Verfahren zum Wechsel einer Frequenz eines ersten lokalen Oszillators (60) in einem Empfangssystem (10), das einen ersten Empfänger (12) mit dem ersten lokalen Oszillator (60) und einem ersten Frequenzstellglied (66) und einen zweiten Empfänger (14) mit einem zweiten lokalen Oszillator (62) und einem zweiten Frequenzstellglied aufweist. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass bei einem Wechsel einer Frequenz des ersten lokalen Oszillators (60) von einer aktuellen Frequenz des ersten lokalen Oszillators (60) auf eine Zielfrequenz, bei dem eine aktuelle Frequenz des zweiten lokalen Oszillators (62) zwischen der aktuellen Frequenz des ersten lokalen Oszillators (60) und der Zielfrequenz liegt, folgende Schritte ausgeführt werden: Abschalten des ersten lokalen Oszillators (60), Ansteuern des ersten Frequenzstellgliedes (66) so, dass das erste Frequenzstellglied einen der Zielfrequenz zugeordneten ersten Basiswert einer Frequenzstellgröße bereitstellt, Einschalten des ersten lokalen Oszillators (60), und Einregeln der Frequenz des ersten lokalen Oszillators (60) auf die Zielfrequenz. Ferner wird ein Empfangssystem 10 vorgestellt.
摘要翻译：提出了一种用于在一个接收系统（10），改变第一本机振荡器（60）的频率，其包括第一接收器（12）与所述第一本机振荡器（60）和第一频率控制元件（66）和第二接收器的方法（14 ），其具有第二本机振荡器（62）和第二频率控制元件。从第一本地振荡器（60）到目标频率的当前频率，改变第一本机振荡器（60）的频率时该方法的特征在于，在其中的电流之间的第二本机振荡器（62）的电流频率第一本地振荡器（60）和所述目标频率的频率，则执行以下步骤：关断所述第一本机振荡器（60）驱动所述第一频率控制元件（66），以便提供所述第一频率控制元件相关联的频率控制变量的第一基值的目标频率中的一个，接通第一本地振荡器（60），以及调节第一本地振荡器（60）与目标频率的频率。此外，接收系统将提交10日

8. 发明申请

WO2006037526A3 LATERAL DMOS-TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：横向DMOS晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2006037526A3
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/EP2005010455
申请日：2005-09-28
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , DIETZ FRANZ , DUDEK VOLKER , HOFFMANN THOMAS , GRAF MICHAEL , SCHWANTES STEFAN
发明人： DIETZ FRANZ , DUDEK VOLKER , HOFFMANN THOMAS , GRAF MICHAEL , SCHWANTES STEFAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/7835
摘要： The invention relates to a lateral DMOS-transistor (10) comprising a MOS-diode made of a semi-conductor material of a first type of conductivity, a source-area (16) of a second type of conductivity and a drain-area (18) of a second type of conductivity which is separated from the MOS-diode by a drift region made of a semi-conductor material of a second type of conductivity which is at least partially covered by a dielectric gate layer (28) which also covers the semi-conductor material of the MOS-diode. The dielectric gate-layer (28) comprises a first region (38) of a first thickness (40) and a second region (42) of a second thickness (44).The first region (38) covers the semi-conductor material of the MOS-diode and the second region (42) is arranged on the drift region. The DMOS-transistor (10) is characterised in that a transition takes place from the first thickness (40) to the second thickness (44) such that an edge area of the drift region which is oriented towards the MOS-diode is arranged below the second area (42) of the gate layer (28). The invention also relates to a method for the production of said types of DMOS-transistors (10).
摘要翻译：呈现为具有由第二导电型的第二导电类型的由MOS二极管形成的第一导电类型，源极区（16）和漏区（18）的半导体材料制成的MOS二极管的横向DMOS晶体管（10）第二导电类型的半导体材料的漂移区至少部分地被也覆盖MOS二极管的半导体材料的栅极电介质层（28）覆盖，栅极电介质层（28）具有第一区域（38）第一厚度（40）和。具有第二厚度（44）的第二区域（42），其中第一区域（38）覆盖MOS二极管的半导体材料并且第二区域（42）位于漂移区域上。所述DMOS晶体管（10）的特征在于，从所述第一厚度（40）上的第二厚度（44）的过渡是这样的，所述漂移区的MOS二极管的边缘区域的已经在第二区域中的对向（42）栅极层（28）被定位。此外，呈现了用于制造这种DMOS晶体管（10）的方法。

9. 发明申请

WO2006018267A3 VERLUSTLEISTUNGSOPTIMIERTER HOCHFREQUENZ-KOPPELKONDENSATOR UND GLEICHRICHTERSCHALTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2006018267A3
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：PCT/EP2005/008853
申请日：2005-08-16
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , FISCHER, Martin
发明人： FISCHER, Martin
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/07 , H01L27/08 , G06K19/07 , G06K19/077
摘要： Die Erfindung betrifft einen verlustleistungsoptimierten Hochfrequenz-Koppelkondensator fur eine Gleichrichterschaltung sowie eine verlustleistungsoptimierte Hochfrequenz-Gleichrichterschaltung. Bei der erfindungsgemaRen Hochfrequenz-Gleichrichterschaltung sind die Elemente der Gleichrichterstufen derart platzoptimiert angeordnet, dass die Koppelkapazitaten unter Berücksichtigung der Anschlussleitungen jeweils direkt an der Kontaktfläche für den Antennenanschluss angeschlossen sind und um die Kontaktfläche herum angeordnet sind.

10. 发明申请

WO2005101288A2 VERFAHREN ZUM AUSWÄHLEN EINES ODER MEHRERER TRANSPONDER 审中-公开
标题翻译：用于选择一个或多个应答器的方法
公开(公告)号：WO2005101288A2
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/EP2005/003909
申请日：2005-04-14
申请人： ATMEL GERMANY GMBH , FRIEDRICH, Ulrich
发明人： FRIEDRICH, Ulrich
IPC分类号： G06K7/00
CPC分类号： G06K19/0723 , G06K7/0008 , G06K7/10029 , G06K17/0022 , G06K19/07749
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auswählen wenigstens eines Transponders oder Sensors in RFID- oder Remote-Sensor-Systemen mit einer Mehrzahl an Transpondern oder Sensoren (Tags), insbesondere Systemen mit einer Mehrzahl an Lesegeräten. Das erfindungsgemässe Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass einzelne Transponder oder Sensoren durch wenigstens ein Lesegerät vorausgewählt werden und dass nach erfolgter vorläufiger Auswahl wenigstens eines Transponders oder Sensors Daten, insbesondere zum Bestätigen der Vorauswahl, während wenigstens ein Protokollabschnitts asynchron von dem Transponder oder Sensor an das Lesegerät übertragen werden. Auf diese Weise lassen sich potentiell störende Steuersignale des Lesegeräts bzw. der Lesegeräte wirkungsvoll reduzieren, was die Übertragungseigenschaften der genannten Systeme verbessert.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于SEL BEAR选择在RFID或远程传感器系统的至少一个发射机应答器或传感器具有多个转发器或传感器（标记），与多个读取装置＆AUML特别系统的方法; 日。本发明＆AUML; SSE方法的特征在于通过至少一个读取装置BEAR吨vorausgew BEAR个别应答器或传感器进行选择，并且vorl BEAR后更频繁地选择至少一个发射机应答器或传感器的数据，特别是对于最佳＆AUML;术语预选，W＆AUML; 至少一个协议部分从应答器或传感器异步地发送到读取器。这样，可以有效地减少阅读器或阅读器的潜在干扰控制信号，这改善了所提到的系统的传输特性。

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