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1. 发明申请

WO2022002848A2 TRANSPORTRING FÜR EINEN CVD-REAKTOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2022002848A2
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：PCT/EP2021/067689
申请日：2021-06-28
申请人： AIXTRON SE
发明人： RUDA Y WITT, Francisco , KOLLBERG, Marcel , QUARTIER, Georg , RAUF, Hendrik , CREMER, Stefan
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/677 , C23C14/50 , C23C16/46 , H01L21/687 , C23C16/4585 , H01L21/67754 , H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要： Die Erfindung betrifft einen Transportring zum Transportieren eines Substrates (21), aufweisend einen sich um eine Achse (A) erstreckenden ringförmigen Körper (1) mit einem ringförmigen Unterteil (2), wobei das Unterteil (2) einen Außenabschnitt (6) und radial innerhalb des Außenabschnitts (6) eine Auflagefläche (5) zur Auflage eines Randes des Substrates (21) aufweist, wobei der Außenabschnitt (6) mit Distanzmitteln (7, 7') ein ringförmiges Oberteil (3) trägt, das gegenüber einem radial äußeren Bereich des Außenabschnittes (6) in einer Richtung parallel zur Achse (A) um einen Abstand (D) beabstandet ist. Erfindungsgemäß werden die Distanzmittel (7, 7') von in Umfangsrichtung um die Achse (A) voneinander beanstandeten Einzelstegen gebildet, zwischen denen sich ein beidseitig offener Spalt ausbildet. Die Fertigung der Einzelstege erfolgt beispielsweise durch Drahterosion.

2. 发明申请

WO2020254270A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BESTIMMEN UND EINSTELLEN DER NEIGUNGSLAGE EINES SUSZEPTORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020254270A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：PCT/EP2020/066535
申请日：2020-06-16
申请人： AIXTRON SE
发明人： WRIGHT, Benjamin David , O'NEIL, Barry , VAN WELL, Ben Russell , KOLLBERG, Marcel
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , G01B11/14 , H01L21/687 , H01L21/68
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausgleichen eines Höhenschlages eines bei seiner Verwendung in einer Prozesskammer (2) eines Substratbehandlungsreaktors unter Substratbehandlungsbedingungen bei einer durch Beheizen des Suszeptors (3) mit einer Heizeinrichtung (4) erreichten erhöhten Temperatur um eine Drehachse (5) drehangetriebenen Suszeptors (3), mit einen ortsfest in einem Gehäuse (1) des Substratbehandlungsreaktors angeordneten Sensoranordnung zur Ermittlung zumindest einer zur Drehachse (5) parallelen Komponente des Abstandes zum Suszeptor (3), wobei Verstellorgane (6, 7) vorgesehen gesehen sind, um einen Neigungslage (11) einer Breitseitenfläche (3") des Suszeptors (3) zur Drehachse zu verstellen. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass der Abstand unter den Prozessbehandlungsbedingungen, also insbesondere bei Temperaturen über 500 °C ermittelt wird. Bei der hierzu verwendeten Vorrichtung verläuft die Messstrecke (13) der Sensoranordnung (8, 9) durch eine Heizeinrichtung (4).

3. 发明申请

WO2020109357A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BESTANDTEILS EINES CVD-REAKTORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020109357A2
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/EP2019/082674
申请日：2019-11-27
申请人： AIXTRON SE
发明人： KOLLBERG, Marcel , RUDA Y WITT, Francisco
IPC分类号： C23C16/455 , B23K26/00 , B23K26/352 , B23K26/362 , B23K26/382 , B23K26/402 , B23K26/359
摘要： Die Erfindung betrifft die Verwendung eines aus einem Quarzrohling gefertigten Bauteiles, in dem durch selektives Laserätzen zumindest ein Hohlraum (8', 8", 8''; 13, 14, 14'; 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5; 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41) erzeugt wurde, als Bestandteil eines CVD-Reaktors (1), wobei durch den zumindest einen Hohlraum (8', 8'', 8''; 13, 14, 14'; 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5; 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41) ein Fluid strömt und das Bauteil bei seiner Verwendung auf Temperaturen über 500°C erwärmt wird und in Kontakt tritt mit Hydriden der IV-, V- oder VI- Hauptgruppe und/ oder mit metallorganischen Verbindungen oder Halogenverbindungen von Elementen der II-, III- oder V -Hauptgruppe.

4. 发明申请

WO2021104932A1 WANDGEKÜHLTES GASEINLASSORGAN FÜR EINEN CVD-REAKTOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2021104932A1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：PCT/EP2020/082349
申请日：2020-11-17
申请人： AIXTRON SE
发明人： KOLLBERG, Marcel , WRIGHT, Benjamin David , MUKINOVIC, Merim , O'NEIL, Barry , PLUMMER, Marc
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , B23K26/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Gaseinlassorgan (1) für einen CVD-Reaktor mit einem zylinderförmigen Grundkörper (8), der mit einer Außenwand (10), die zumindest eine Gasverteilkammer (13) umgibt, eine Gasaustrittsfläche (11) ausbildet, in die eine Vielzahl von in der Gasverteilkammer (13, 14, 15) entspringenden Gasaustrittsöffnungen (12) münden. Es ist eine Kühleinrichtung mit einer Vielzahl von separat nebeneinander in der Außenwand (10) verlaufenden Kühlkanälen (7) vorgesehen, wobei sich die Gasaustrittsöffnungen (12) zwischen den Kühlkanälen (7) erstrecken.

5. 发明申请

WO2020109361A3 GASEINLASSVORRICHTUNG FÜR EINEN CVD-REAKTOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2020109361A3
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/EP2019/082679
申请日：2019-11-27
申请人： AIXTRON SE
发明人： KOLLBERG, Marcel , RUDA Y WITT, Francisco , MUKINOVIC, Merim , PFISTERER, Mike
IPC分类号： C23C16/455
摘要： Die Erfindung betrifft eine Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor (1) mit einem an einem Gaszuleitungen (5) aufweisenden Befestigungsabschnitt (3) befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand (6) mit Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand (6) umgebenen Gasverteilkammern (8) strömungsverbunden sind, wobei in die Gasverteilkammer (8) jeweils ein Gaseinlasskanal (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) mit einer Mündung (10) mündet und die Gasverteilkammern (8) verschiedener Gasverteilniveaus durch einen Trennboden (11) voneinander getrennt sind.Erfindungsgemäß befindet sich zwischen der Mündung (10) des Gaseinlasskanals (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) und der Gasverteilwand (6) eine Strömungsbarriere.Ferner ist vorgesehen, dass die Gaseinlassvorrichtung aus mehreren scheibenförmigen Gasverteilkörpern (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) besteht, die übereinander angeordnet sind.

6. 发明申请

WO2020182495A1 SUSZEPTORANORDNUNG EINES CVD-REAKTORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020182495A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/EP2020/055308
申请日：2020-02-28
申请人： AIXTRON SE
发明人： RUDA Y WITT, Francisco , KOLLBERG, Marcel , RAUF, Hendrik
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/687 , C30B25/12 , C23C14/50
摘要： Die Erfindung betrifft eine Suszeptoranordnung zur Verwendung in einem CVD-Reaktor (1) aufweisend einen kreisscheiben- oder kreisringförmigen Suszeptor (2) mit einer ersten Suszeptorbreitseite (3), auf welcher ein Substrathalter (4) und mindestens ein Abdeckelement (5, 15) angeordnet sind. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass mindestens ein Abdeckelement (5, 15) aus mehreren Abdeckplatten (6, 16, 36) besteht, wobei eine unterste Abdeckplatte (6), die an die erste Breitseitenfläche (3) des Suszeptors (2) angrenzt, und eine oberste Abdeckplatte (7, 17) zumindest bereichsweise überdeckt und eine freie Breitseitenfläche (14) der Suszeptoranordnung ausbildet. Die Abdeckplatten (6, 7) sind bevorzugt aus Siliziumkarbid gefertigt. Sie sind mit Positionierelementen (8) miteinander verbunden.

7. 发明申请

WO2018046650A1 CVD-REAKTOR UND VERFAHREN ZUM REINIGEN EINES CVD-REAKTORS 审中-公开
标题翻译： CVD反应器和用于清洁CVD反应器的方法
公开(公告)号：WO2018046650A1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：PCT/EP2017/072565
申请日：2017-09-08
申请人： AIXTRON SE
发明人： KOLLBERG, Marcel , KRÜCKEN, Wilhelm Josef Thomas , RUDA Y WITT, Francisco , DEUFEL, Markus , PFISTERER, Mike
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/18 , C23C16/30
摘要： Die Erfindung betrifft ein Reinigungsverfahren und einen CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan (1) zum Einleiten eines Prozessgases in eine zwischen einer Prozesskammerdecke (19) und dem Suszeptor (2) angeordneten Prozesskammer (21), wobei das Gaseinlassorgan (1) mindestens eine Metallkomponente (20) enthält, die zumindest eine mit dem Prozessgas in Berührung kommende Metalloberfläche, insbesondere aus Edelstahl, aufweist.Die Metalloberfläche weist eine ein Ablösen der Metallbestandteile der Metalloberfläche durch ein oder mehrere reaktive Gase behindernde Passivierungsschicht.Die Kühlkanäle (14, 17) sind derart angeordnet, dass sich die Passivierungsschicht bei einem Reinigungsschritt, bei dem als Reinigungsgas Chlor in die Prozesskammer (21) eingeleitet wird und bei dem der Suszeptor (2) auf einer ersten Temperatur von zumindest 700°C aufgeheizt wird, auf maximal eine zweite Temperatur von 100°C aufheizt,wobei die Passivierungsschicht einhergehend mit einer chemischen Reaktion einer metallorganischen Verbindung mit den Metallatomen der Metalloberfläche gebildet ist und die Reinigungsgas-Eintrittsöffnungen (6) derart angeordnet sind, dass das Reinigungsgas mit der die Passivierungsschicht aufweisenden Metalloberfläche in Berührung tritt.Die Passivierungsschicht wird in einem Konditionierschritt erzeugt, bei dem für eine erste Behandlungsdauer zunächst eine metallorganische Verbindung zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (21) eingespeist wird und anschließend für eine zweite Behandlungsdauer Luft in Kontakt zu der Metallkomponente gebracht wird.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于将处理气体引入处理室中的天花板（19）和基座之间的清洗方法和具有气体入口元件（1）一个CVD反应器（2），其布置在所述处理室（21），其中，所述进气元件（1）至少一种金属成分（20）包含至少一个与误码率导航用途引导工艺气体来金属罐BEAR澈，特别是不锈钢.The金属罐BEAR枝具有一ABL＆ouml GIRL LT;金属罐＆AUML的金属部件的仙; 澈由一个或多个反应性气体停用Passivierungsschicht.Dieķ导航用途hlkan＆AUML;乐（14，17）被布置成使得在清洗步骤中，钝化层，其中在所述处理腔室的清洁气体氯（21）被引入，并在其中将基座（2）加热至至少700℃的第一温度，加热至100℃的第二温度的最大值，其中钝化剂伴随与金属罐BEAR表面的金属原子的有机金属化合物的化学反应近似层被形成和清洁气体入口＆OUML;开口（6）被布置成使得具有具有钝化层的金属罐与AUML清洁气体;在误码率导航用途导向tritt.Die枝钝化层在调节步骤在其中，f导航用途一起R A第一治疗周期最初承受上蜡的有机金属化合物与载体＆AUML产生; gergas到处理室（21）供给并随后ROAD端f导航用途ř处理空气的第二持续时间接触的金属部件被带入。

8. 发明申请

WO2015173102A1 VORRICHTUNG ZUM AUSRICHTEN EINES WAFERS AUF EINEM WAFERTRÄGER 审中-公开
标题翻译：装置的晶片对晶片载具对准
公开(公告)号：WO2015173102A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/EP2015/060030
申请日：2015-05-07
申请人： AIXTRON SE
发明人： RUDA Y WITT, Francisco , KOLLBERG, Marcel , BASTKE, Torsten Werner
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68 , H01L21/68785
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger (11), mit einem Waferzentrierelement zum Zentrieren des Wafers gegenüber einem Grundelement (2) und mit einem Zentrierkörper (3), der Zentrierflanken (24) aufweist, die mit Gegenzentrierflanken des Waferträgers (11) zusammenwirken, um den Waferträger gegenüber dem Grundelement (2) lagezujustieren. Der Zentrierkörper ist von einer Hubeinrichtung (25) von einer Außerwirkstellung, in der die Zentrierflanken (24) von den Gegenzentrierflanken (10) beabstandet sind, in eine Wirkstellung bringbar, in der die Zentrierflanken (24) an den Gegenzentrierflanken (10) angreifen. Die Zentrierflanken (24) und/oder Gegenzentrierflanken (10) sind Schrägflächen, insbesondere Abschnitte einer Konusfläche. Die Verwendung der Vorrichtung erfolgt mit folgenden Schritten: -Ablegen des Waferträgers (11) auf dem Grundelement (2); -Lagejustieren des Waferträgers (11) gegenüber dem Grundelement (2) durch Anheben des Waferträgers (11) mittels des Zentrierkörpers (3); -Zentrieren des Wafers durch vertikale Verlagerung des Wafers gegenüber dem Waferzentrierelement; -Ablegen des Wafers auf dem Waferträger (11) durch Absenken des Wafers.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，用于在晶片支撑件（11）对准晶片，具有Waferzentrierelement用于相对于一基体部件（2）为中心的晶片并与定心体（3）中，Zentrierflanken（24），其（与晶片载体的Gegenzentrierflanken 合作11）相对于所述基体部件（2），以lagezujustieren晶片载体。定心体是从非工作位置的提升装置（25），其中，所述Zentrierflanken的Gegenzentrierflanken（10）（24）是间隔开的，可被带入操作位置，接合在Zentrierflanken（24）到Gegenzentrierflanken（10）。所述Zentrierflanken（24）和/或Gegenzentrierflanken（10）为倾斜面，在锥形表面的特定部分。使用该设备的用下列步骤进行：-Ablegen基座部件（2）上的晶片载体（11）的; 晶片载体的-Lagejustieren（11）相对于所述基座元件（2）通过借助于提升晶片载体（11）定心（3）; 通过相对于所述Waferzentrierelement晶片的垂直位移的晶片的-Zentrieren; 通过降低晶片的晶片载体（11）在晶片的-Ablegen。

9. 发明申请

WO2021069598A2 GASAUSLASSORGAN EINES CVD-REAKTORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021069598A2
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：PCT/EP2020/078290
申请日：2020-10-08
申请人： AIXTRON SE
发明人： KOLLBERG, Marcel , MUKINOVIC, Merim , BASTKE, Torsten Werner , RUDA Y WITT, Francisco
IPC分类号： C23C16/44 , C30B25/12 , C30B25/14 , C23C16/455 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45508
摘要： Die Erfindung betrifft ein Gasauslassorgan zur Verwendung in einem CVD-Reaktor mit einem ringförmigen Oberteil (11) mit um eine Kreisfläche angeordneten Gasauslassöffnungen (7), wobei das Oberteil (11) mit einer sich parallel zur Kreisfläche erstreckenden Basisfläche (18) auf einem einen Gassammelkanal (8) ausbildenden Unterteil (12) sitzt. Zunächst wird vorgeschlagen, dass eine Prozesskammerwand (17) materialeinheitlich dem Oberteil (11) angeformt ist, welche an ihrem oberen Ende eine Schulter (19) aufweist, die in Radialeinwärtsrichtung die Gasauslassöffnungen (7) bezogen auf eine Richtung (S) parallel zu einer zentralen Achse (A) der Kreisfläche zumindest bereichsweise überragt, und die nach oben weisenden Abschnitte der Achsen (B) der Gasauslassöffnungen (7) zur Achse (A) geneigt sind. Ferner wird vorgeschlagen, dass das Oberteil (11) eine erste Schlitzwand (15) und das Unterteil (12) eine zur ersten Schlitzwand (15) parallel verlaufende zweite Schlitzwand (16) eines in Richtung zur Achse (A) der Kreisfläche offenen Schlitzes (14) ausbildet zur Aufnahme eines Randes einer Platte (10).

10. 发明申请

WO2020109361A2 GASEINLASSVORRICHTUNG FÜR EINEN CVD-REAKTOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2020109361A2
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：PCT/EP2019/082679
申请日：2019-11-27
申请人： AIXTRON SE
发明人： KOLLBERG, Marcel , RUDA Y WITT, Francisco , MUKINOVIC, Merim , PFISTERER, Mike
IPC分类号： C23C16/455
摘要： Die Erfindung betrifft eine Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor (1) mit einem an einem Gaszuleitungen (5) aufweisenden Befestigungsabschnitt (3) befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand (6) mit Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand (6) umgebenen Gasverteilkammern (8) strömungsverbunden sind, wobei in die Gasverteilkammer (8) jeweils ein Gaseinlasskanal (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) mit einer Mündung (10) mündet und die Gasverteilkammern (8) verschiedener Gasverteilniveaus durch einen Trennboden (11) voneinander getrennt sind.Erfindungsgemäß befindet sich zwischen der Mündung (10) des Gaseinlasskanals (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) und der Gasverteilwand (6) eine Strömungsbarriere.Ferner ist vorgesehen, dass die Gaseinlassvorrichtung aus mehreren scheibenförmigen Gasverteilkörpern (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) besteht, die übereinander angeordnet sind.

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