Die Erfindung betrifft ein Reinigungsverfahren und einen CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan (1) zum Einleiten eines Prozessgases in eine zwischen einer Prozesskammerdecke (19) und dem Suszeptor (2) angeordneten Prozesskammer (21), wobei das Gaseinlassorgan (1) mindestens eine Metallkomponente (20) enthält, die zumindest eine mit dem Prozessgas in Berührung kommende Metalloberfläche, insbesondere aus Edelstahl, aufweist.Die Metalloberfläche weist eine ein Ablösen der Metallbestandteile der Metalloberfläche durch ein oder mehrere reaktive Gase behindernde Passivierungsschicht.Die Kühlkanäle (14, 17) sind derart angeordnet, dass sich die Passivierungsschicht bei einem Reinigungsschritt, bei dem als Reinigungsgas Chlor in die Prozesskammer (21) eingeleitet wird und bei dem der Suszeptor (2) auf einer ersten Temperatur von zumindest 700°C aufgeheizt wird, auf maximal eine zweite Temperatur von 100°C aufheizt,wobei die Passivierungsschicht einhergehend mit einer chemischen Reaktion einer metallorganischen Verbindung mit den Metallatomen der Metalloberfläche gebildet ist und die Reinigungsgas-Eintrittsöffnungen (6) derart angeordnet sind, dass das Reinigungsgas mit der die Passivierungsschicht aufweisenden Metalloberfläche in Berührung tritt.Die Passivierungsschicht wird in einem Konditionierschritt erzeugt, bei dem für eine erste Behandlungsdauer zunächst eine metallorganische Verbindung zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (21) eingespeist wird und anschließend für eine zweite Behandlungsdauer Luft in Kontakt zu der Metallkomponente gebracht wird.