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1. 发明申请

WO2010105947A1 MOCVD-REAKTOR MIT EINER ÖRTLICH VERSCHIEDEN AN EIN WÄRMEABLEITORGAN ANGEKOPPELTEN DECKENPLATTE 审中-公开
标题翻译：与本地不同MOCVD反应器以甲WÄRMEABLEITORGAN联接顶板
公开(公告)号：WO2010105947A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/053015
申请日：2010-03-10
申请人： AIXTRON AG , BRIEN, Daniel , PÜSCHE, Roland , FRANKEN, Walter
发明人： BRIEN, Daniel , PÜSCHE, Roland , FRANKEN, Walter
IPC分类号： C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/40 , C30B29/42 , C23C16/44 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/463 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B29/42
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer, insbesondere kristallinen Schicht auf mindestens einem Substrat (5), mit einem, den Boden einer Prozesskammer (1) bildenden Suszeptor (2) zur Aufnahme des mindestens einen Substrates (5), mit einer die Decke der Prozesskammer (1) bildenden Deckenplatte (3) und mit einem Gaseinlassorgan (4) zum Einleiten von sich in der Prozesskammer zufolge Wärmezufuhr in die schichtbildende Komponenten zerlegenden Prozessgasen und eines Trägergases, wobei unter- halb des Suszeptors (2) eine Vielzahl von nebeneinander liegenden Heizzonen (H 1 - H 8 ) angeordnet sind, mittels derer insbesondere verschieden hohe Wärmeleistungen ( Q 1 , Q 2 ) in den Suszeptor (2) eingeleitet werden, um dessen zur Prozesskammer (1) weisende Oberfläche und das sich in der Prozesskammer (1) befindende Gas aufzuheizen, wobei oberhalb der Deckenplatte (3) ein mit der Deckenplatte (3) wärmegekoppeltes Wärmeableitorgan (8) vorgesehen ist, um die vom Suszeptor (2) zur Deckenplatte (3) transportierte Wärme abzuleiten. Zur Steigerung der Kristallqualität und der Effizienz des Abscheidungsprozesse, wird vorgeschlagen, dass die Wärmeleitkopplung zwischen Deckenplatte (3) und Wärmeableitorgan (8) örtlich verschieden ist, wobei Wärmeleitkopplungszonen (Z 1 - Z 8 ) hoher Wärmeleitfähigkeit örtlich zu Heizzonen (H 1 -H 8 ) hoher Wärmeleistung (Q 1 , Q 2 ) korrespondieren.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，用于沉积的至少一个，在特定的结晶层的至少一个基板（5）上，其中一个中，处理腔室的地板（1）形成在基座（2），用于接收所述至少一个基板（5），与天花板处理室（1）形成顶板（3）和具有气体入口构件（4），用于在根据热在成膜组分的处理室中分解工艺气体和载气导入，其中所述基座的下面（2）具有多个并置的加热区（H1 - H8）被布置成借助于该特定不同的高热量输出（Q1，Q2）在基座（2），以加热所述处理腔室（1）的表面和延伸到所述处理腔室（1）利用Dende气体来发起其中，所述顶板（3）与所述顶板（3）上方热耦合Wärmeableitorgan（8）由Suszept提供或（2）在天花板面板（3）输送散热。为了提高晶体质量和沉积工艺的效率，所以建议顶板之间的Wärmeleitkopplung（3）和Wärmeableitorgan（8）是局部不同，Wärmeleitkopplungszonen（Z1 - Z8）高的热导率以局部加热区域（H1-H8）高的热容量（ Q1，Q2）相符。

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