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1. 发明申请

WO2014010825A1 실리콘의 정련 장치 审中-公开
标题翻译：硅精炼设备
公开(公告)号：WO2014010825A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2013/004545
申请日：2013-05-23
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이진석 , 안영수 , 장보윤 , 김준수
IPC分类号： C01B33/037 , C01B33/021 , B01J19/12
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/04 , C30B29/06
摘要： 실리콘의 정련 장치가 개시된다. 진공 분위기를 유지하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 적어도 하나 이상의 전자총(Electron-gun), 상기 진공챔버 내에 실리콘 원료물질을 공급하는 원료 공급부, 상기 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되며, 상기 실리콘 원료물질이 장입되어 상기 전자빔에 의해 상기 실리콘 원료물질이 용융되어 실리콘 용탕이 형성되는 실리콘 용융부, 상기 실리콘 용융부로부터 공급되는 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 상기 실리콘 용융부의 제 1 채널부와 상기 일방향 응고부의 제 2 채널부가 서로 접하여 이루어진 연결탕로부를 포함하고, 상기 연결탕로부의 중심축은 상기 원료 공급부의 투입구의 중심축과 다른 위치에 있는 휘발성 불순물 제거를 위한 실리콘의 정련 장치가 제공될 수 있다. 이에 따라, 실리콘 용탕의 이동경로를 길게 하여 내부에 존재하는 휘발성 불순물이 제거되는 시간과 공간을 충분히 확보하여 진공 정련의 효율을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：公开了一种硅精炼装置。本发明提供一种用于除去挥发性杂质的硅精炼装置，该装置包括：保持真空气氛的真空室; 一个或多个电子枪，其形成在真空室中并照射电子束; 原料供给部，其将硅原料供给到真空室的内部; 硅熔化部，其设置在电子束的照射范围内，并且其中硅原料被充电然后用电子束熔化，从而形成硅熔体; 固化从硅熔融部提供的硅熔体的单向凝固部; 连接通路部分，其形成有与所述单向凝固部分的第二通道部分连通的所述硅熔化部分的第一通道部分，其中所述连接的通路部分的中心轴线处于与插入件的中心轴线不同的位置原料供应部分的孔。因此，通过延长硅熔体的行进路径，从而确保足够的时间和空间去除存在于其中的挥发性杂质，可以提高真空精炼的效率。

2. 发明申请

WO2014189160A1 단결정 실리콘버튼을 이용한 폴리실리콘 제조장치 审中-公开
标题翻译：使用单晶硅钮的聚硅氧烷制造设备
公开(公告)号：WO2014189160A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/KR2013/004524
申请日：2013-05-23
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이진석 , 안영수 , 장보윤 , 김준수
IPC分类号： C30B15/24 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/005 , C30B11/002 , C30B29/06
摘要： 본 발명은 단결정 실리콘버튼을 이용한 폴리실리콘 제조장치에 관한 것으로서, 진공 분위기를 유지하는 진공챔버, 상기 진공챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 전자빔조사부, 입자형태의 실리콘원료가 투입되며, 상기 전자빔조사부로부터 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되어 전자빔에 의해 실리콘원료가 용융되어 실리콘용탕이 만들어지는 실리콘용융부, 하부에 냉각채널이 형성되어 상기 실리콘용융부로부터 공급되는 실리콘용탕을 응고시키는 일방향응고부 및 상기 일방향응고부 내부에 구비되며 별도로 제조되어 상기 실리콘용융부로부터 공급되는 실리콘용탕을 상기 일방향응고부 하부로 이송시키는 단결정 실리콘버튼 및 상기 단결정 실리콘버튼 하면에 접합되며 상기 단결정 실리콘버튼이 이동되도록 하는 흑연더미바를 을 포함하는 스타트블럭을 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及使用单晶硅按钮的多晶硅制造装置，包括：真空室，用于保持真空气氛; 电子束照射部，配置在真空室内，用于照射电子束; 硅熔融部分，其布置在电子束被电子束照射部分照射的区域中，并且以颗粒形式插入硅原料，硅材料被电子熔化从而产生硅熔体; 单向凝结部，其下部具有冷却通道，使从所述硅熔融部供给的硅熔体凝结; 以及开始块，其中，所述起始块包括：单晶硅按钮，其单独制造并且装配在所述单向凝结部内，以将从所述硅熔融部供给的硅熔体输送到所述单向凝结部的下部; 以及粘结到单晶硅按钮的下表面以使单晶硅按钮移动的石墨虚拟棒。

3. 发明申请

WO2014126273A1 고순도 ＭＯｘ 나노 구조체 제조 장치 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：用于制造高纯度MOX纳米结构的器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014126273A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/KR2013/001110
申请日：2013-02-13
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 김준수 , 이진석
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , H01M4/88
CPC分类号： H01M4/483 , B82Y40/00 , C23C16/22 , C23C16/45563 , H01M4/0471 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , H01M2004/028
摘要： 흑연 도가니의 하측에서 반응 가스를 유입되도록 함과 더불어 흑연 도가니의 상측에서 금속 용탕의 표면에 캐리어 가스를 분사함으로써, 금속 용탕의 표면으로 반응 가스를 보다 효과적으로 공급하는 것이 용이해질 수 있을 뿐만 아니라, 흑연 도가니의 하부에서 상부 방향으로 반응 가스를 유입시키는 것을 통해 휘발 속도를 극대화시킬 수 있는 MOx 나노 구조체 제조 장치 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
摘要翻译：提供了一种用于制造MOx纳米结构的装置，其中使反应气体在石墨坩埚的下侧流动，并且载体气体从石墨坩埚的上侧喷射到熔融金属的表面，使得使反应气体向熔融金属表面的更有效的供给变得容易，并且通过从石墨坩埚的下侧向上侧引入反应气体来优化挥发率; 及其制造方法。

4. 发明申请

WO2014126272A1 슬라이딩 타입의 출탕 구조를 갖는 실리콘 용융 도가니를 구비하는 ＳｉＯｘ 나노 분말 제조 장치 및 이를 이용한 ＳｉＯｘ 나노 분말 제조 방법 审中-公开
标题翻译：用于制造具有滑动型排放结构的硅熔体的SIOX纳米粒子的装置以及使用其制造SIOX纳米粒子的方法
公开(公告)号：WO2014126272A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/KR2013/001108
申请日：2013-02-13
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 김준수 , 장보윤 , 이진석
IPC分类号： C01B33/113 , C01B33/12 , B01J19/24 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： C01B33/181 , B01J19/24 , B01J2219/00132 , B01J2219/24
摘要： SiOx 나노 분말을 대량으로 생산할 수 있음과 더불어, 슬라이딩 타입의 출탕 구조를 설계함으로써, 잔류하는 용융 실리콘이 도가니의 내부 바닥면에 들러붙어 고화되는 것을 미연에 방지할 수 있는 SiOx 나노 분말 제조 장치 및 이를 이용한 SiOx 나노 분말 제조 방법에 대하여 개시한다.
摘要翻译：提供了一种用于制造可以大量生产SiO x纳米粉末的SiO x纳米粉末的装置，并且通过构造滑动型放电结构，可以防止将熔融硅渣固定在坩埚内部的地板上提前; 以及使用其制造SiO x纳米粉末的方法。

5. 发明申请

WO2015076441A1 ＩＣＰ를 이용한 실리콘 나노입자 제조장치 审中-公开
标题翻译：使用ICP制造硅纳米微粒的器件
公开(公告)号：WO2015076441A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/KR2013/010729
申请日：2013-11-25
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 장보윤 , 김준수 , 이정철 , 송희은
IPC分类号： B01J19/12 , C01B33/04 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： C01B33/029 , B01J19/088 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0883 , B01J2219/0894 , B01J2219/1203 , C01B33/021 , C01P2004/64
摘要： 본 발명은 플라즈마 반응부에 근접하여 제1가스 주입관를 위치시키되, 제2가스 주입관은 플라즈마 반응부로부터 멀리 위치시키고, 주입가스 별로 주입관을 교차배열시킴으로서, 제1가스 간에 혼합이 충분히 이루어질 뿐 아니라, 플라즈마 반응영역에서도 제1가스와 제2가스 간의 균일한 플라즈마 반응이 가능하며, 짧은 체류시간 동안 플라즈마 밀도를 높임으로서 플라즈마 퍼짐현상도 최소화되고, 보다 입도제어가 용이하고, 생성입자 간의 입자응집 형성을 억제하고자 한다.
摘要翻译：根据本发明，第一气体注入管位于等离子体反应单元附近，第二气体注入管远离等离子体反应单元，并且注射管被布置成相对于每个注入的气体相交，使得不仅发生第一气体之间的充分混合，而且等离子体反应区域中的第一和第二气体之间的均匀等离子体反应也是可能的，并且等离子体密度在短暂停留时间内增加，从而使等离子体的扩散最小化，从而使粒度控制更容易，并且抑制生成的颗粒之间的颗粒聚集的形成。

6. 发明申请

WO2014148683A1 실리콘 잉곳 제조 장치 审中-公开
标题翻译：硅芯制造设备
公开(公告)号：WO2014148683A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/KR2013/004546
申请日：2013-05-23
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이진석 , 안영수 , 장보윤 , 김준수
IPC分类号： C30B13/14 , C30B11/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00 , C30B11/002
摘要： 실리콘 잉곳 제조 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조 장치는 상기 일방향 응고부 내부에 구비되며, 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부 및 내부에 상기 실리콘 용탕을 수용하기 위한 수용 공간을 갖는 수용부를 갖는 더미실린더를 포함한다.
摘要翻译：提供硅锭制造装置。根据本发明实施例的硅锭制造装置设置在单向凝固部分的内部，并且包括虚拟圆柱体，其包括熔融硅固化的单向凝固部分和提供空间的储存器以便容纳熔融硅。

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