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    • 3. 发明申请
    • 볼 게임 연습 장치
    • 球游戏训练装置
    • WO2016114616A1
    • 2016-07-21
    • PCT/KR2016/000429
    • 2016-01-15
    • 조병구한창석천창희
    • 조병구한창석천창희
    • A63B69/00A63B69/40A63B47/02A63B61/00A63B63/08A63B67/00
    • A63B69/40A63B24/00A63B47/002A63B47/02A63B47/021A63B47/025A63B61/003A63B63/004A63B63/083A63B69/002A63B69/0071A63B69/0095A63B69/409A63B71/02A63B71/023A63B71/0669A63B2024/0025A63B2024/004A63B2071/025A63B2207/02A63B2220/10A63B2220/30A63B2220/805A63B2220/807A63B2220/833A63B2225/09
    • 외부로부터 구장의 내부로 발사된 볼을 받고 차는 연습(축구, 족구 등), 위에서 떨어지는 볼을 그대로 공격하는 스파이크 연습(배구, 족구 등), 공중볼을 손으로 잡아 슛하는 연습(농구) 등의 다양한 볼 게임을 연습할 수 있도록 볼을 발사하는 볼 게임 연습 장치가 제공된다. 상기 볼 게임 연습 장치는 중앙부분으로 양쪽으로 하향 경사진 바닥면과, 상기 일측 코너에서 타측 코너쪽으로 하향 경사진 이송골(transfer furrow)이 형성된 구장(soccer field)을 구비하며, 상기 구장의 터치라인과 골라인이 접하는 코너 또는 중앙영역에 설치되어 공수용기에 수용된 연습볼을 상기 구장을 향해 발사하는 연습볼 발사장치와; 상기 구장의 바닥면의 상부에 설치되어 상면 공투입구로 낙하된 연습볼을 수용하고, 상기 수용된 연습볼을 배출제어신호에 의해 하부에 회동가능하게 설치된 낙하통로를 통해 상기 구장의 상면으로 수평방향 또는 수직방향에서 배출하는 볼배급기 및 상기 이송골을 따라 한곳으로 모아진 연습볼을 자동으로 회수하여 상기 연습볼 발사장치와 볼배급기로 공급하는 공회수기를 포함하여 구성된다.
    • 提供了一种球类游戏训练装置,其发射球,从而能够实施各种球类游戏,例如从外部接收和踢球到运动场(足球,脚排球等),直接执行犯规 从上方踢球(排球,脚排球等),练习在空中(篮球)射门。 球类运动训练装置包括:足底场,其底面形成在其中心部分,以向下倾斜到两侧;以及传送沟,其从一个角向下倾斜到另一个角; 安装在足球场的触摸线和目标线的拐角处的足球发射装置,或足球场的中心区域,用于向球场发射容纳在球容器中的训练球; 安装在足球场底面顶部的球分配器,用于接收落入上表面球插入孔的训练球,并将接收到的训练球在水平方向上排放到足球场的上表面 或垂直方向根据排放控制信号经由下降路径可旋转地安装在底部; 以及球收集器,用于自动收集沿着转移沟的一个地方收集的训练球,并将训练球供应到训练球发射装置和球分配器。
    • 4. 发明申请
    • 자외선 발광 다이오드용 다중 양자 우물 및 그의 제조 방법
    • 用于超紫外光发光二极管的多量子阱及其生产方法
    • WO2013012232A2
    • 2013-01-24
    • PCT/KR2012/005660
    • 2012-07-16
    • 주식회사 칩테크놀러지조병구민재식권세훈
    • 조병구민재식권세훈
    • H01L33/04H01L33/06
    • H01L33/06H01L33/007H01L33/0075H01L33/08H01L33/32
    • 본 발명은 AlN 배리어 원자층과 상기 AlN 배리어 원자층 상에 GaN 배리어 원자층이 교번적으로 배치되는 Al x1 Ga 1-x1 N 배리어부 및 상기 Al x1 Ga 1-x1 N 배리어부 상에 형성된 AlN 우물 원자층과 상기 AlN 우물 원자층 상에 형성된 GaN 우물 원자층이 교번적으로 배치되는 Al x2 Ga 1-x2 N 양자 우물부를 포함하며, 상기 Al x1 Ga 1-x1 N 배리어부의 Al 조성비(x1)는 0 내지 0.7이고, 상기 Al x2 Ga 1-x2 N 양자 우물부의 Al 조성비(x2)는 0 내지 0.7이며, 상기 Al x1 Ga 1-x1 N 배리어부의 Al 조성비(x1)는 상기 Al x2 Ga 1-x2 N 양자 우물부의 Al 조성비(x2)보다 크고, 상기 Al x1 Ga 1-x1 N 배리어부와 상기 Al x2 Ga 1-x2 N 양자 우물부가 교번적으로 2 회 이상 적층되는 자외선 발광 다이오드용 다중 양자 우물가 제공된다.
    • 本发明提供一种紫外发光二极管的多量子阱,其特征在于,包括:Al x Ga 1-x N阻挡单元,其在AlN势垒原子层上交替配置AlN势垒原子层和GaN势垒原子层; 和Al x Ga 1-x 2 N量子阱单元,其中交替地设置形成在Al x1Ga1-x1N势垒单元上的AlN阱原子层和形成在AlN阱原子层上的GaN阱原子层。 Alx1Ga1-x1N势垒单元中的Al组成比(x1)在0和0.7之间; Alx2Ga1-x2N量子阱单元中的Al组成比(x2)在0和0.7之间; Al x Ga 1-x N N势垒单元中的Al组成比(x1)大于Alx2Ga1-x2N量子阱单元中的Al组成比(x2) 并且Alx1Ga1-x1N势垒单元和Alx2Ga1-x2N量子阱单元交替层叠至少两次。