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1. 发明申请

WO2016108306A1 전자기파 발진기, 플라즈마파 전력 추출기 및 전자기파 검출기 审中-公开
标题翻译：电磁波振荡器，等离子波浪电机和电磁波探测器
公开(公告)号：WO2016108306A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/KR2014/013049
申请日：2014-12-30
申请人： 울산과학기술원 , 한국과학기술원
发明人： 김경록 , 박종률 , 김성호
IPC分类号： H03B9/08 , H01P3/00
CPC分类号： G01J5/22 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/66977 , H01L29/778 , H03B9/08 , H05H1/46 , H05H2001/4607
摘要： 전자기파 발진기가 제공되며, 2DEG(2-Dimensional Electron Gas) 채널을 형성하는 2DEG 플레이트(Plate), 2DEG 플레이트의 일측 노드에 연결된 제 1 저항 및 타측 노드에 연결된 제 2 저항, 제 2 저항과 접지 간에 2DEG 플레이트로 전원을 인가하는 소스, 2DEG 채널에 의해 전기 쌍극자(Electric Dipole)가 형성되어 전자기파를 발진하는 플로팅 플레이트(Floating Plate), 및 2DEG 플레이트와 플로팅 플레이트 간에 형성된 유전체를 포함한다.
摘要翻译：提供了一种电磁波振荡器，包括：形成2DEG通道的二维电子气（2DEG）板; 连接到2DEG板的一侧节点的第一电阻器和连接到2DEG板的另一侧节点的第二电阻器; 在第二电阻和地之间向2DEG板施加功率的源; 浮动板，由2DEG通道形成电偶极以振荡电磁波; 以及形成在2DEG板和浮动板之间的电介质。

2. 发明申请

WO2022050816A1 실리콘 링 전계효과트랜지스터 어레이에 의한 활성 안테나 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2022050816A1
公开(公告)日：2022-03-10
申请号：PCT/KR2021/012114
申请日：2021-09-07
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 장이산 , 류민우 , 안상효
IPC分类号： H01Q1/38 , H01Q17/00
摘要： 일 실시예에 따른 안테나 장치는 제1 타입 도핑의 실리콘 기판, 제1 타입 도핑과 구별되는 제2 타입 도핑에 의하여 형성되는 적어도 2개의 제1 도핑 영역, 제1 도핑 영역을 감싸는 채널 영역의 바깥에서 제2 타입 도핑에 의하여 형성되는 제2 도핑 영역, 유전층 상단에 배치되는 적어도 2개의 게이트를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 안테나 장치는 적어도 2개의 게이트에 대하여 개별적으로 인가되는 외부 전압에 따라 공진 주파수(resonance frequency)가 조절되며, 적어도 2개의 게이트에서 측정되는 전기장의 패턴 및 양에 따라 테라헤르츠 광원의 분극(polarization) 정보를 획득할 수 있다.

3. 发明申请

WO2020145555A1 3진 메모리 셀 및 이를 포함하는 메모리 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2020145555A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：PCT/KR2019/018496
申请日：2019-12-26
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 정재원 , 최영은
IPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412
摘要： 3진 메모리 셀을 포함하는 메모리 장치에서 3진 메모리 셀은, 제1 노드 및 제2 노드에서 교차 연결되고, 턴-오프시 정전류를 통과시키는 풀업 소자 및 풀다운 소자를 포함하는, 제1 인버터 및 제2 인버터, 제1 노드 및 제1 비트 라인에 각각 연결된 제1 기입 트랜지스터, 제2 노드 및 제2 비트 라인에 각각 연결된 제2 기입 트랜지스터, 제1 노드에 연결된 입력단 및 제1 비트 라인에 연결된 출력단을 가지는 제1 증폭 회로, 및 제2 노드에 연결된 입력단 및 제2 비트 라인에 연결된 출력단을 가지는 제2 증폭 회로를 포함할 수 있다.

4. 发明申请

WO2017115896A1 게이트 메탈을 안테나로 활용한 링 형의 테라헤르쯔파 검출용 전계효과트랜지스터 审中-公开
标题翻译：环形场效应晶体管，用于使用门极金属作为天线的太赫兹波检测
公开(公告)号：WO2017115896A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/KR2015/014578
申请日：2015-12-31
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 류민우 , 안상효
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/41758 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/78 , H01L31/1126
摘要： 본 발명은 소스/드레인 및 게이트 자체의 형상만으로 비대칭 특성을 나타내어 높은 감도를 구현할 수 있으며, 추가적으로 게이트를 안테나로 활용하여 제조가 편리한 게이트 메탈을 안테나로 활용한 링 형의 테라헤르쯔파 검출용 전계효과트랜지스터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 실리콘 베이스; 실리콘 베이스 일부에 도핑에 의하여 형성되는 소스; 평면 상으로 상기 소스를 감싸는 형태로 형성되는 채널; 상기 채널 외부에 형성되는 드레인; 상기 소스, 채널 및 드레인 상단에 형성되는 유전층; 및 상기 유전층 상단에 위치하는 게이트;를 포함하여 구성되되, 평면상으로 상기 소스의 중심과 상기 채널의 중심은 일정 거리 이격되어 형성되고, 상기 게이트는 메탈 재질로 상기 채널 상단에 위치하며 상기 채널의 상면을 모두 덮고, 소스의 일부와 드레인의 일부와 오버랩되는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：通过仅通过源极/漏极和栅极本身的形状显示不对称特性，本发明可以实现高灵敏度，此外，环形金属用于检测太赫兹波的场效应晶体管。根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：硅基底; 通过掺杂硅基底的一部分而形成的源极; 形成为平面形状以围绕源的通道; 通道外形成排水沟; 形成在源极，沟道和漏极顶部的介电层; 并且，其位于所述介电层的顶部上的栅极; doedoe配置，包括，在集中于源和该信道的中心的平面间隔开一个预定距离，其中，所述栅极位于所述通道的顶部到该信道的金属材料并覆盖一部分上表面，并与部分源和漏的一部分重叠。

5. 发明申请

WO2021101288A1 트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 삼진 인버터 审中-公开
公开(公告)号：WO2021101288A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：PCT/KR2020/016414
申请日：2020-11-19
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 장지원 , 정재원 , 최영은 , 김우석
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L29/10 , H01L21/265 , H01L27/092
摘要： 트랜지스터는 기판, 기판 상에 제공되는 정전류 형성층, 정전류 형성층 상에 제공되는 한 쌍의 소스/드레인 패턴들, 한 쌍의 소스/드레인 패턴들 사이에 제공되는 게이트 전극, 한 쌍의 소스/드레인 패턴들 사이에서 일 방향을 따라 연장하는 채널 패턴, 및 채널 패턴을 둘러싸는 게이트 절연막,을 포함하되, 채널 패턴은 게이트 절연막 및 게이트 전극을 관통하고, 소스 패턴 및 드레인 패턴에 전기적으로 연결되며, 게이트 절연막은 채널 패턴과 게이트 전극을 이격시키고, 정전류 형성층은 드레인 패턴과 기판 사이에 정전류를 생성하고, 정전류는 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압으로부터 독립적이다.

6. 发明申请

WO2021101289A1 트랜지스터, 이를 포함하는 삼진 인버터, 및 트랜지스터 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021101289A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：PCT/KR2020/016416
申请日：2020-11-19
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 장지원 , 정재원 , 최영은 , 김우석
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L29/10 , H01L27/092 , H01L21/265
摘要： 트랜지스터는 기판, 기판 내에 제공되는 한 쌍의 정전류 형성 영역들, 기판 내에서 한 쌍의 정전류 형성 영역들 상에 각각 제공되는 한 쌍의 소스/드레인 영역들, 및 한 쌍의 소스/드레인 영역들 사이에 제공되는 게이트 구조체를 포함하되, 드레인인 한 쌍의 소스/드레인 영역들 중 어느 하나에 바로 인접하는 정전류 형성 영역들 중 어느 하나는, 한 쌍의 소스/드레인 영역들 중 어느 하나와 정전류 형성 영역들 중 어느 하나 사이에 정전류를 형성한다.

7. 发明申请

WO2020204651A1 3진 메모리 셀 및 이를 포함하는 메모리 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2020204651A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：PCT/KR2020/004558
申请日：2020-04-03
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 정재원 , 최영은
IPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412
摘要： 3진 메모리 셀을 포함하는 메모리 장치에서, 3진 메모리 셀은 제1 노드 및 제2 노드에서 교차 연결되고, 턴-오프시 정전류를 통과시키는 풀업 소자 및 풀다운 소자를 포함하는, 제1 인버터 및 제2 인버터, 제1 노드 및 제1 비트 라인 사이에서 상호 병렬 연결되된 제1 독출 트랜지스터 및 제1 기입 트랜지스터, 제2 노드 및 제2 비트 라인 사이에서 상호 병렬 연결되고, 기입 된 제2 독출 트랜지스터 및 제2 기입 트랜지스터를 포함할 수 있고, 제1 독출 트랜지스터 및 제2 독출 트랜지스터는, 활성화된 독출 워드라인에 응답하여 정전류 이하의 독출 액세스 전류를 통과시킬 수 있다.

8. 发明申请

WO2017115895A1 서스펜디드 채널 플라즈마파 트랜지스터의 성능 평가 방법 审中-公开
标题翻译：悬空沟道等离子体三极管的性能评估方法
公开(公告)号：WO2017115895A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：PCT/KR2015/014575
申请日：2015-12-31
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 박종률 , 김성호 , 정유정
IPC分类号： G01R31/28 , G01R23/02 , G01R27/02 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2601 , G01R23/02 , G01R27/02 , G01R31/26 , G01R31/28
摘要： 본 발명을 서스펜디드 채널 플라즈마파 트랜지스터의 물리적 특성을 이용하여 해당 소자의 테라헤르쯔 발진 가능성을 평가하는 서스펜디드 채널 플라즈마파 트랜지스터의 성능 평가 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 서스펜디드 채널 플라즈마파 트랜지스터의 성능 평가 방법에 있어서, 전자 표류 속도를 x축으로 설정하는 x축 설정 단계; 플라즈마파 속도를 y축으로 설정하는 y축 설정 단계; 및 전자 표류 속도에 따른 플라즈마파 속도의 관계식과 서스펜디드 채널 플라즈마파 트랜지스터의 플라즈마파 발생 조건을 이용하여 디자인 윈도우를 생성하여 소자의 동작을 판단하는 소자 성능 판단 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：
通过使用信道等离子体波晶体管的物理特性，以提供悬浮频道的等离子波晶体管的性能评估方法来评估太赫兹振荡悬浮本发明看来，用于该目的的装置。本发明为了达到上述目的，在悬浮等离子体波沟道晶体管的性能评价方法中，x轴设置在x轴设定步骤中的电子漂移速度; 将等离子体波速度设定为y轴的y轴设定步骤; 其特征在于它包括一<;以及使用所述表达的等离子体波速度和根据所述电子漂移速度阶段的器件性能的悬浮频道的等离子波晶体管的等离子体波生成条件被确定为生成设计窗口，以确定该设备的操作。 / p>

9. 发明申请

WO2020141756A1 트랜지스터 소자, 이를 포함하는 삼진 인버터 장치, 및 이의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2020141756A1
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：PCT/KR2019/017782
申请日：2019-12-16
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 정재원 , 최영은 , 김우석
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L29/10 , H01L27/092 , H01L21/265
摘要： 트랜지스터 소자는 기판, 기판 상부에 제공되는 소스 영역, 기판 내에서, 소스 영역으로부터 기판의 상면에 평행한 방향으로 이격된 드레인 영역, 기판 상에서, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 제공되는 게이트 전극, 게이트 전극과 기판 사이에 개재되는 게이트 절연막, 및 소스 영역과 드레인 영역 사이에서 기판의 상면에 평행한 방향을 따라 연장되는 정전류 형성층을 포함하되, 정전류 형성층은 드레인 영역과 기판 사이에 정전류를 형성하고, 정전류는 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압으로부터 독립적이다.

10. 发明申请

WO2016117724A1 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기 审中-公开
标题翻译： TERAHERTZ检测器使用场效应晶体管
公开(公告)号：WO2016117724A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：PCT/KR2015/000692
申请日：2015-01-23
申请人： 울산과학기술원
发明人： 김경록 , 류민우 , 김관성
IPC分类号： G01R33/00
CPC分类号： H01Q1/2283 , G01J5/20 , G01R33/00 , G01R33/066 , H01L27/14 , H01L29/0692 , H01L29/41725 , H01L29/42316 , H01L29/4238 , H01L29/7835
摘要： 본 발명은 소스/드레인 및 게이트 자체의 형상만으로 비대칭 특성을 나타내어 높은 감도를 구현할 수 있는 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기에 있어서, 상기 전계효과트랜지스터는: 실리콘 베이스 일부에 도핑에 의하여 형성되는 소스; 평면 상으로 상기 소스를 감싸는 형태로 형성되는 채널; 상기 채널 외부에 형성되는 드레인; 상기 소스, 채널 및 드레인 상단에 형성되는 유전층; 및 상기 유전층 상단에 위치하는 게이트;를 포함하여 구성되며, 상기 게이트를 통하여 테라헤르츠 전자기파가 인가되는 경우 상기 소스와 드레인에서 출력되는 전류/전압으로 전자기파의 정도를 감지하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种使用场效应晶体管的太赫兹检测器，其能够通过以源/漏和栅极的形式表现出非对称特性来实现高灵敏度。为此，本发明涉及使用场效应晶体管的太赫兹检测器，该场效应晶体管包括：通过掺杂在硅基底的一部分上形成的源; 形成为在平面上包围源的通道; 在通道外形成的排水沟; 形成在源极的上端，沟道和漏极上的电介质层; 以及位于电介质层的上端的栅极，其中当通过栅极施加太赫兹电磁波时，使用从源极和漏极输出的电流/电压来检测电磁波的强度。

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