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1. 发明申请

WO2016056837A1 발광 장치 审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2016056837A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/KR2015/010590
申请日：2015-10-07
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 김명진 , 오광용 , 남기범 , 오지연 , 박상신 , 임마이클
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , C09K11/0883 , C09K11/617 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명은 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징; 하우징에 배치되는 발광 다이오드 칩; 발광 다이오드 칩 상에 배치되는 파장변환부; 파장변환부 내에 분포되고, 시안(Cyan)광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 제1 형광체; 파장변환부 내에 분포되고, 적색광 대역의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 제2 형광체를 포함하고, 발광 다이오드 칩이 방출하는 광의 피크 파장은 415 내지 430nm 범위 내에 위치한다.
摘要翻译：本发明涉及包含荧光物质的发光二极管封装。根据本发明的发光二极管封装包括：壳体; 布置在壳体中的发光二极管芯片; 布置在所述发光二极管芯片上的波长转换单元; 分布在所述波长转换单元内的第一荧光物质，并发射在所述青色光带中具有峰值波长的光; 以及第二荧光物质，其分布在所述波长转换单元的内部并发射在所述红色光带中具有峰值波长的光，其中，从所述发光二极管芯片发射的光的峰值波长位于415nm至430nm的范围内。

2. 发明申请

WO2016056836A1 발광 장치 审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2016056836A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/KR2015/010589
申请日：2015-10-07
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 오광용 , 강민경 , 김명진 , 남기범 , 오지연 , 박상신
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50
摘要： 본 발명은 좁은 반치폭을 가지는 형광체를 포함하는 발광 장치에 대한 것이다. 본 발명에 따른 발광 장치는 하우징; 하우징에 배치되는 발광 다이오드 칩; 발광 다이오드 칩을 덮는 파장변환부; 파장변환부 내에 분포되어, 녹색광을 방출하는 제1 형광체; 파장변환부 내에 분포되어, 적색광을 방출하는 제2 형광체 및 제3 형광체를 포함하되, 제2 형광체는 A 2 MF 6 : Mn 4+ 의 화학식을 가지는 형광체이고, A는 Li, Na, K, Rb, Ce 및 NH 4 중 하나이고, M은 Si, Ti, Nb 및 Ta 중 하나이며, 제3 형광체는 파장변환부에 대하여 0.1 내지 1 wt%의 질량범위를 가진다.
摘要翻译：本发明涉及一种发光装置，其包括半高全宽窄的荧光物质。根据本发明的发光器件包括：壳体; 布置在所述壳体上的发光二极管芯片; 用于覆盖发光二极管芯片的波长转换单元; 分布在所述波长转换单元内的第一荧光物质，以便发出绿光; 以及第二荧光物质和第三荧光物质，其分布在所述波长转换单元内以发射红光，其中所述第二荧光物质是具有化学式为A2MF6：Mn4 +的荧光物质，A为Li，Na，K，Rb，Ce 和NH 4，M是Si，Ti，Nb和Ta中的一种，第三荧光物质相对于波长转换单元的质量范围为0.1〜1重量％。

3. 发明申请

WO2010035944A2 발광 장치 审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2010035944A2
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/KR2009/003773
申请日：2009-07-09
申请人： 서울반도체 주식회사 , 조유정 , 김경남 , 오광용
发明人： 조유정 , 김경남 , 오광용
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 장치가 개시되어 있다. 발광 장치는 광을 발생시키는 발광 칩, 발광 칩이 실장되는 칩 실장부, 칩실장부의 외주면 상의 적어도 일부 영역에 형성된 반사층 및 상기 반사층의 외주면 상에 금 고유의 색이 나타나지 않는 두께의 박막으로 코팅된 금 도금층을 포함한다. 칩 실장부는 리드 단자, 슬러그, 인쇄회로기판, 세라믹 기판, CNT 기판 등으로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 발광 칩이 실장되는 칩 실장부 상에 반사율이 높은 반사층을 형성하고, 반사층 상에 반사층의 부식을 방지하기 위한 금 도금층을 얇은 두께로 형성함으로써, 반사층의 반사율 저하를 억제하고 반사층의 부식을 효율적으로 방지할 수 있다.
摘要翻译：公开了能够提高发光效率的发光装置。发光装置包括：发光的发光芯片; 安装有发光芯片的芯片安装单元; 反射单元，其形成在所述芯片安装单元的外表面的至少一些区域中; 以及涂覆有反射层的外表面的镀金层，其中镀金层很薄以隐藏金的固有颜色。芯片安装单元可以具体化为引线端子，芯片，印刷电路板，陶瓷基板，CNT基板等。由于在安装有发光芯片的芯片安装单元上形成具有高反射率的反射层，反射层的反射率不能降低。此外，由于在反射层上形成薄镀金层，因此可以防止反射层的侵蚀。

4. 发明申请

WO2015130055A2 발광 다이오드 패키지 审中-公开
标题翻译：发光二极管封装
公开(公告)号：WO2015130055A2
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/KR2015/001715
申请日：2015-02-23
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 오광용 , 변호준 , 최혁중 , 남기범
IPC分类号： H01L33/52
CPC分类号： H01L33/504 , H01L33/501 , H01L33/56
摘要： 본 발명은 고강도의 몰딩부를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 대한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징; 상기 하우징 내에 배치되는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩; 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 덮는 몰딩부; 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 녹색광을 방출하는 제1 형광체; 및 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 적색광을 방출하는 제2 형광체를 포함하되, 상기 몰딩부는 140cc/m 2 /day 이하의 산소 가스 투과도를 가지고, 상기 제2 형광체는 20㎚ 이하의 반치폭을 가지는 적색광을 방출할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种包括高强度成型部件的发光二极管封装。根据本发明的发光二极管封装包括：壳体; 设置在所述壳体中的至少一个发光二极管芯片; 覆盖所述至少一个发光二极管芯片的成型部件; 由所述至少一个发光二极管芯片激发以发射绿光的第一荧光体; 以及由所述至少一个发光二极管芯片激发以发射红光的第二荧光体，其中所述成型部件的氧气透过率为140cc / m 2 /天以下，所述第二荧光体可以发射具有半峰全宽为20nm以下。

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