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1. 发明申请

WO2007024005A1 超小形コンタクトおよびその製造方法並びに電子部品审中-公开
标题翻译：微型接触器及其制造方法以及电子元件
公开(公告)号：WO2007024005A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/317025
申请日：2006-08-23
申请人：第一電子工業株式会社 , 森内裕之 , 大森英男 , 清水春樹
发明人：森内裕之 , 大森英男 , 清水春樹
IPC分类号： H01R4/02 , H01R12/04 , H01R12/32 , H01R43/16 , H05K1/18
CPC分类号： H05K3/3447 , H01R4/028 , H01R13/03 , H01R43/16 , H05K2201/10909 , H05K2201/2081 , H05K2203/0315 , H05K2203/107
摘要：　端子部を基板に半田接合する際に、半田上がりを所定位置で停止できる酸化露出表面を、コンタクトの中間部内に簡便かつ精度よく形成することができる超小形コンタクトおよびその製造方法並びに電子部品を提供する。　本発明のコンタクトは、導電性素地材料と、その上に形成した下地表面処理層および上側表面処理層とで構成され、接触部２と端子部３と中間部４とからなり、中間部４内に、その全周にわたって下地表面処理層の酸化露出表面５を形成したものであり、前記酸化露出表面５は、コンタクト１の表裏面1a,1bに対しそれぞれ所定の傾斜角度θa,θｂでレーザー光を照射して、上側表面処理層の除去と、この除去により露出した狭幅の下地表面処理層の酸化を同時に行うことにより形成することを特徴とする、全長10ｍｍ以下の超小形コンタクトである。
摘要翻译：提供了一种微型触点，一种用于制造微型触点的方法和一种电子部件，通过该电子部件可以在触点的中间部分中简单且精确地形成可以阻止在规定位置的焊料堆叠的暴露的氧化物表面，通过焊接将端子部分接合到基板的时间。接触由导电性基材，基材表面处理层和形成在导电性基材上的上表面处理层构成。触点由接触部分（2），端子部分（3）和中间部分（4）组成。在中间部分（4）中，基底表面处理层的暴露的氧化物表面（5）在整个圆周上形成。暴露的氧化物表面（5）通过分别以规定的倾斜角（θa，θb）以激光束照射触点（1）的前面和后平面（1a，1b）并且去除上表面处理层并同时氧化通过这种去除而暴露的窄基面处理层。因此，形成总长度为10mm以下的微型接触。

2. 发明申请

WO2009008526A1 電子部品の製造方法及び該方法により製造する電子部品审中-公开
标题翻译：生产电子元件的方法以及该方法生产的电子元件
公开(公告)号：WO2009008526A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/JP2008/062644
申请日：2008-07-07
申请人：第一電子工業株式会社 , 森内裕之 , 田所義浩 , 御子貝英一 , 中野芳一
发明人：森内裕之 , 田所義浩 , 御子貝英一 , 中野芳一
IPC分类号： C25D7/00 , C25D5/12 , H01L23/50 , H01R12/08 , H01R12/24 , H01R13/03
CPC分类号： C25D7/00 , C23C18/42 , H01L23/49582 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01R13/03 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要：　本発明は素材７０や下地層７２の組成成分原子が錫含有物層７４中に拡散することなく、外力型ウィスカの抑制する電子部品の製造方法と該方法により製造する電子部品を提供する。本目的は電子部品の製造方法としては、素材７０に表面処理を施す製造方法であって、素材７０表面に下地層７２の表面処理を施す工程と、下地層７２の上方に錫含有物層７４の表面処理を施す工程とを有する電子部品の製造方法において、錫含有物層７４を施す前に、素材７０や下地層７２の組成成分原子が錫含有物層７４に拡散することを防止して、錫含有物層７４の表面に外力が負荷した場合の外力型ウィスカの発生を抑制するバリア中間層７６を施す工程を有することにより達成できる。
摘要翻译：本发明提供一种电子部件的制造方法，其能够抑制外部力型晶须，而不会将构成材料（70）的成分原子和基板层（72）扩散到含锡材料层（74）中，由该方法生产的电子部件。在生产过程中，对材料（70）进行表面处理。制备方法包括在材料表面上提供基材层（72）以表面处理材料（70）的步骤，以及在基材层上方提供含锡材料层（74）的步骤（72）以表面处理所述基底层（72）。制备方法还包括在提供含锡材料层（74）之前提供用于防止构成材料（70）和基底层（72）的组分原子的阻挡中间层（76）的步骤，扩散到含锡材料层（74）中，以在外力作用于含锡材料层（74）的表面时抑制外力型晶须的发生。

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