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    • 5. 发明申请
    • 金属薄膜チップ製造方法及び金属薄膜チップ製造装置
    • 金属薄膜生产方法和金属薄膜生产设备
    • WO2005031031A1
    • 2005-04-07
    • PCT/JP2004/014251
    • 2004-09-29
    • 独立行政法人科学技術振興機構隅田 泰生末吉 秀一
    • 隅田 泰生末吉 秀一
    • C23C14/58
    • C23C16/06C23C14/14C23C14/5806C23C14/5886C23C16/56
    •  低コストにて金属薄膜の大きな凹凸を平坦化し得る金属薄膜チップ製造方法及び金属薄膜チップ製造装置並びに金属薄膜を実現するために、本発明にかかる金属薄膜チップ製造装置は、容器(9)内に、絶縁性基板(3)と加圧部材(4)とを含む加圧手段(13)、チップ設置台(5)、コイル(7)とこのコイル(7)に交流電流を供給する電源(8)とを含む加熱装置(12)とを備えている。また、上記容器(9)には、当該容器(9)内の空気を排出する真空ポンプ(11)が設けられている。上記コイル(7)により発生された磁束が、上記チップ設置台(5)にされた金属薄膜チップ(10)における金属薄膜(1)を貫通するようになっている。上記金属薄膜(1)を磁束が貫通すると、電磁誘導により該金属薄膜(1)内でうず電流が誘導される。金属薄膜(1)は、このうず電流により融点あるいは融点近傍まで加熱される。さらに、チップ設置台(5)による荷重により、絶縁性基板(2)または絶縁性基板(3)の表面のプロフィールが金属薄膜(1)に転写され平坦化する。
    • 一种金属薄膜芯片制造方法和能够以低成本平坦化金属薄膜上的大的不规则性的金属薄膜芯片制造装置。 用于实现金属薄膜的金属薄膜芯片制造装置在容器(9)的内部具有包括绝缘基板(3)和加压部件(4)的加压机构(13),芯片安装台(5) 以及包括用于向线圈(7)提供交流电流的线圈(7)和电源(8)的加热装置(12)。 容器(9)设置有用于排出容器(9)中的空气的真空泵(11)。 允许由线圈(7)产生的磁通量穿过支撑在芯片安装台(5)上的金属薄膜芯片(10)上的金属薄膜(1)。 当磁通量穿过金属薄膜(1)时,通过电磁感应在金属薄膜(1)中产生涡流。 通过该涡流将金属薄膜(1)加热至熔点或其附近。 在绝缘基板(2)或绝缘基板(3)的表面上的轮廓被转印到金属薄膜(1)上,并且由于芯片安装台(5)而被负载压平。