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1. 发明申请

WO2003071570A1 透過型光電陰極及び電子管审中-公开
标题翻译：发射型光电阴极和电子管
公开(公告)号：WO2003071570A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001991
申请日：2003-02-24
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 新垣実 , 内山昌一 , 菅博文
发明人：新垣実 , 内山昌一 , 菅博文
IPC分类号： H01J1/34
CPC分类号： H01J31/50 , H01J1/34 , H01J31/506 , H01J2201/3421
摘要： A transmitting type photoelectric cathode comprising a light absorbing layer (1) formed of diamond or a material mainly containing diamond, a support frame (21) for reinforcing the mechanical strength of the light absorbing layer (1), a first electrode (31) provided for the incident surface of the light absorbing layer (1), and a second electrode (32) provided for the outgoing surface of the light absorbing layer (1). Voltage is applied between the incident surface and the outgoing surface of the light absorbing layer (1) to form an electric field inside the light absorbing layer (1). When light to be detected is incident to generate photoelectrons in the light absorbing layer (1), photoelectrons are accelerated in an outgoing direction by the electric field formed inside the light absorbing layer (1) to be discharged to the outside of a transmitting type photoelectric cathode.
摘要翻译：一种发射型光电阴极，包括由金刚石形成的光吸收层（1）或主要含有金刚石的材料，用于增强光吸收层（1）的机械强度的支撑框架（21），设置有第一电极对于光吸收层（1）的入射表面，以及为光吸收层（1）的出射表面设置的第二电极（32）。在光吸收层（1）的入射面和出射面之间施加电压，在光吸收层（1）的内部形成电场。当被检测光入射以在光吸收层（1）中产生光电子时，光电子通过形成在光吸收层（1）内的电场在出射方向上被加速，以被放电到透射型光电阴极。

2. 发明申请

WO2003077271A1 透過型2次電子面及び電子管审中-公开
标题翻译：发射型二次电子表面和电子管
公开(公告)号：WO2003077271A1
公开(公告)日：2003-09-18
申请号：PCT/JP2003/001992
申请日：2003-02-24
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 新垣実 , 内山昌一 , 菅博文
发明人：新垣実 , 内山昌一 , 菅博文
IPC分类号： H01J1/32
CPC分类号： H01J31/50 , H01J1/32 , H01J29/023 , H01J29/482 , H01J31/506 , H01J43/22
摘要： A transmitting type secondary electron surface comprising a secondary electron discharge layer (1) formed of diamond or a material mainly containing diamond, a support frame (21) for reinforcing the mechanical strength of the secondary electron discharge layer (1), a first electrode (31) provided for the incident surface of the secondary electron discharge layer (1), and a second electrode (32) provided for the outgoing surface of the secondary electron discharge layer (1). Voltage is applied between the incident surface and the outgoing surface of the secondary electron discharge layer (1) to form an electric field inside the secondary electron discharge layer (1). When primary electrons are incident to form secondary electrons inside the secondary electron discharge layer (1), secondary electrons are accelerated in an outgoing direction by the electric field formed inside the secondary electron discharge layer (1) to be discharged to the outside of a transmitting type secondary electron surface. Accordingly, a transmitting type secondary electron surface capable of efficiently emitting secondary electrons as a result of incident primary electrons, and an electron tube using it are realized.
摘要翻译：一种透射型二次电子表面，包括由金刚石形成的二次电子放电层（1）或主要含有金刚石的材料，用于增强二次电子放电层（1）的机械强度的支撑框架（21），第一电极设置在二次电子放电层（1）的入射面上的第一电极（31）和设置在二次电子放电层（1）的出射面的第二电极（32）。在二次电子放电层（1）的入射面和出射面之间施加电压，在二次电子放电层（1）的内部形成电场。当一次电子入射以在二次电子放电层（1）内形成二次电子时，二次电子通过形成在二次电子放电层（1）内部的电场在出射方向上被加速，以被放电到发射型二次电子表面。因此，实现了能够有效地发射作为入射的一次电子的结果的二次电子的透射型二次电子表面和使用它的电子管。

3. 发明申请

WO2005097945A1 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置审中-公开
标题翻译： LUMINOUS BODY，使用它的电子束检测器，扫描电子显微镜和大量分析装置
公开(公告)号：WO2005097945A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：PCT/JP2005/006870
申请日：2005-04-07
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 内山昌一 , 高木康文 , 新垣実 , 近藤稔 , 水野到
发明人：内山昌一 , 高木康文 , 新垣実 , 近藤稔 , 水野到
IPC分类号： C09K11/62
CPC分类号： H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
摘要：　応答速度が速く、且つ発光強度が高い発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置を提供する。本発明に係る発光体１０においては、基板１２の一方の面１２ａに形成された窒化物半導体層１４が電子の入射により蛍光を発すると、少なくともこの蛍光の一部は基板１２を透過し、基板の他方の面１２ｂから蛍光を出射する。この蛍光の応答速度はμｓｅｃオーダー以下である。また、この蛍光の発光強度は、従来のＰ４７蛍光体と同程度の強度が得られている。すなわち、この発光体１０は、走査型電子顕微鏡や質量分析装置への適応に十分な応答速度及び発光強度を有している。その上、キャップ層１６が窒化物半導体層１４における発光の残存率の向上に寄与するため、この発光体１０においては、高速応答及び高発光強度だけでなく、優れた残存率も実現されている。
摘要翻译：提供了具有快速响应速度和高发光度的发光体，以及使用该发光体的电子束检测器，扫描电子显微镜和质量分析装置。在发光体（10）中，当形成在基板（12）的一个表面（12a）上的氮化物半导体层（14）通过接收电子而发射荧光时，至少一部分荧光透射基板（12）并发射来自衬底的另一表面（12b）的荧光。荧光的响应速度是小音乐或以下的顺序。此外，获得的荧光的发光水平与常规P47荧光材料相似。也就是说，发光体（10）具有足够高的响应速度和发光度。此外，由于在该发光体（10）中，覆盖层（16）有助于增加氮化物半导体层（14）中的发光剩余率，所以不仅可以实现高响应速度和发光体水平，但也是优秀的剩余比例。

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