会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 4. 发明申请
    • 不純物導入層の形成方法及び被処理物の洗浄方法並びに不純物導入装置及びデバイスの製造方法
    • 用于形成引入层的方法,用于清洁要处理的对象的方法,用于引入伪造的装置和用于生成装置的方法
    • WO2005020306A1
    • 2005-03-03
    • PCT/JP2004/012583
    • 2004-08-25
    • 松下電器産業株式会社佐々木 雄一朗岡下 勝己水野 文二伊藤 裕之金 成国田村 秀貴中山 一郎奥村 智洋前嶋 聡
    • 佐々木 雄一朗岡下 勝己水野 文二伊藤 裕之金 成国田村 秀貴中山 一郎奥村 智洋前嶋 聡
    • H01L21/265
    • H01L21/02052H01L21/2236
    • シリコン基板などの固体基体の一主面上にレジストパターンを形成する工程(S27)と、固体基体にイオンモードのプラズマドーピングで不純物を導入する工程(S23)と、レジストを除去する工程(S28)と、固体基体表面の金属コンタミネーション、パーティクルを洗浄する工程(S25a)と、熱処理する工程(S26)を少なくとも有し、レジストを除去する工程は(S28)レジストに酸素プラズマ照射(S28a)を行うか、レジストに硫酸と過酸化水素水の混合溶液、又はNH 4 OHとH 2 O 2 とH 2 Oの混合溶液を接触させる。洗浄する工程(S25a)は固体基体の一主面に硫酸と過酸化水素水の混合溶液、又はNH 4 OHとH 2 O 2 とH 2 Oの混合溶液を接触させる、また、レジストを除去する工程(S28)と洗浄する工程(S25a)はレジストと固体基体の一主面に硫酸と過酸化水素水の混合溶液、又はNH 4 OHとH 2 O 2 とH 2 Oの混合溶液を接触させることで同時に行う。
    • 公开了一种用于形成杂质导入层的方法,其至少包括在诸如硅衬底的固体基底的一个主表面上形成抗蚀剂图案的步骤(S27),通过等离子体将杂质引入固体基底的步骤 离子模式的掺杂(S23),去除抗蚀剂的步骤(S28),通过去除金属污染物和颗粒清洗固体基底表面的步骤(S25a)和进行热处理的步骤(S26)。 通过用氧等离子体(S28a)照射抗蚀剂或通过使抗蚀剂与硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液或NH 4 OH,H 2 O 2和H 2 O的混合溶液接触来进行抗蚀剂去除步骤(S28)。 通过使固体基底的主表面与硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液或NH 4 OH,H 2 O 2和H 2 O的混合溶液接触来进行清洗步骤(S25a)。 通过使固体基质的抗蚀剂和主表面与硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液或混合溶液接触,同时进行抗蚀剂去除步骤(S28)和清洁步骤(S25a) NH4OH,H2O2和H2O。
    • 5. 发明申请
    • プラズマドーピング方法及び装置
    • 等离子体掺杂法和系统
    • WO2006106872A1
    • 2006-10-12
    • PCT/JP2006/306741
    • 2006-03-30
    • 松下電器産業株式会社奥村 智洋佐々木 雄一朗岡下 勝己水野 文二伊藤 裕之中山 一郎金 成国
    • 奥村 智洋佐々木 雄一朗岡下 勝己水野 文二伊藤 裕之中山 一郎金 成国
    • H01L21/265H01L21/22H05H1/46
    • H01L21/2236H01J37/32412H01J37/3244H01J37/32834H01J2237/3342
    •  本発明の課題は、試料表面に導入される不純物濃度の均一性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供することである。   本発明のプラズマドーピング装置は、真空容器(1)内に、ガス供給装置(2)から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ(3)により排気口(11)を介して排気を行い、調圧弁(4)により真空容器(1)内を所定の圧力に保つ。そして、高周波電源(5)により13.56MHzの高周波電力を試料電極(6)に対向した誘電体窓(7)の近傍に設けられたコイル(8)に供給することにより、真空容器(1)内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極(6)に高周波電力を供給するための高周波電源(10)が設けられている。試料電極(6)の中心部に対向して設けられたガス吹き出し口(15)の開口部面積の合計を、試料電極(6)の周辺部に対向して設けられたガス吹き出し口(15)の開口部面積の合計よりも小さくすることにより、均一性が高まった。
    • 等离子体掺杂方法和系统,用于提供导入样品表面的杂质浓度的优异均匀性。 在等离子体掺杂系统中,通过作为排气器的涡轮分子泵(3)通过排气口(11)排出真空容器(1),同时从气体供应源(2)和预定压力水平引入预定气体 通过压力控制阀(4)在真空容器(1)中维持。 然后,在真空容器(1)中,从设置在高频率的13.56MHz的高频功率的面向样品电极(6)的电介质窗(7)附近提供线圈(8),在真空容器(1)中产生感性耦合等离子体 电源(5)。 提供了一种用于向样品电极(6)提供高频功率的高频电源(10)。 通过将与样品电极(6)的中心部分相对设置的气体吹出口(15)的总开口面积设置为小于相对设置的气体吹出口(15)的总开口面积而增大均匀性 到样品电极(6)的外围部分。
    • 6. 发明申请
    • プラズマ処理方法及び装置
    • 等离子体处理方法和系统
    • WO2006107044A1
    • 2006-10-12
    • PCT/JP2006/307126
    • 2006-04-04
    • 松下電器産業株式会社奥村 智洋佐々木 雄一朗岡下 勝己伊藤 裕之水野 文二金 成国中山 一郎
    • 奥村 智洋佐々木 雄一朗岡下 勝己伊藤 裕之水野 文二金 成国中山 一郎
    • H05H1/00H01L21/205H01L21/265H01L21/302H05H1/46
    • H01J37/32935H01J37/321H01J37/32412
    •  本発明の課題は、試料表面に入射するイオン電流を正確にモニタリングできるプラズマ処理方法及び装置を提供することである。   真空容器(1)内に、ガス供給装置(2)から所定のガスを導入しつつ、ターボ分子ポンプ(3)により排気口(11)を介して排気を行い、調圧弁(4)により真空容器(1)内を所定の圧力に保つ。プラズマ源用高周波電源(5)により高周波電力を誘電体窓(7)の近傍に設けられたコイル(8)に供給することにより、真空容器(1)内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極(6)に高周波電力を供給するための試料電極用高周波電源(10)が設けられ、これと試料電極(6)の間に、試料電極用整合回路(13)及び高周波センサ(14)が設けられている。高周波センサ(14)と演算装置(15)を用いて、試料表面に入射するイオン電流を正確にモニタリングすることができた。
    • 可以精确地监测入射到样品表面的离子电流的等离子体处理方法和系统。 真空容器(1)通过涡轮分子泵(3)通过出口(11)排出,同时从气体供应单元(2)引入预定气体,并且在真空容器中维持预定的压力水平 1)通过压力调节阀(4)。 通过从用于等离子体源的高频电源(5)向设置在电介质窗(7)附近的线圈(8)提供高频功率,在真空容器(1)中产生感应耦合等离子体。 提供了一种用于向样品电极(6)提供高频电力的样品电极的高频电源(10),并且用于样品电极和高频传感器(14)的匹配电路(13)设置在高电平 用于样品电极和样品电极(6)的高频电源(10)。 因此,可以使用高频传感器(14)和运算单元(15)精确地监测入射到样品表面的离子电流。
    • 7. 发明申请
    • プラズマドーピング方法及び装置
    • 等离子体掺杂方法和设备
    • WO2006098109A1
    • 2006-09-21
    • PCT/JP2006/302554
    • 2006-02-14
    • 松下電器産業株式会社奥村 智洋佐々木 雄一朗岡下 勝己伊藤 裕之水野 文二金 成国中山 一郎
    • 奥村 智洋佐々木 雄一朗岡下 勝己伊藤 裕之水野 文二金 成国中山 一郎
    • H01L21/265H01L21/22
    • H01L21/2236H01J37/321H01J37/32412H01J2237/2001
    •  試料表面に導入される不純物濃度の制御性に優れたプラズマドーピング方法及び装置を提供する。  真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気口11を介して排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つ。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられている。所定数の試料を処理するたびに、ダミー試料をプラズマドーピング処理した後加熱し、表面のシート抵抗を測定した値が所定の値となるように試料を処理する条件を制御することで、不純物濃度の制御性を高めることができる。
    • 提供了一种等离子体掺杂方法和设备,其对引入样品表面的杂质浓度的可控性优异。 在从气体供给装置2向真空容器1内导入规定的气体的同时,作为排气装置的涡轮分子泵3通过排气口11排出气体,利用压力调整阀4将真空容器1内加压至规定的压力 保持到。 从高频电源5向设置在与样品电极6相对的电介质窗7附近的线圈8供给13.56MHz的高频电力,在真空容器1内产生感应耦合等离子体。 提供用于向样品电极6提供高频功率的高频电源10。 每次处理预定数量的样本时,虚拟样本经过等离子体掺杂处理,然后加热以控制处理样本的条件,使得通过测量表面的薄层电阻而获得的值变成预定值,由此杂质浓度 可以改进。