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1. 发明申请

WO2005081061A1 フォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：光刻胶组合物和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：WO2005081061A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/001392
申请日：2005-02-01
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 北條卓馬 , 辻裕光 , 廣崎貴子 , 佐藤充
发明人：緒方寿幸 , 北條卓馬 , 辻裕光 , 廣崎貴子 , 佐藤充
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , B82Y30/00 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要： A photoresist composition which contains a fullerene derivative (A) having two or more malonic ester residues. The malonic ester residues preferably are groups represented by the following general formula (1): [Chemical formula 1] wherein R and R may be the same or different and each independently is alkyl. The alkyl preferably is one selected among C1-10 linear, branched, and cyclic alkyls. Symbol n preferably is an integer of 2 to 10.
摘要翻译：含有具有两个以上丙二酸酯残基的富勒烯衍生物（A）的光致抗蚀剂组合物。丙二酸酯残基优选为由以下通式（1）表示的基团：其中R 1和R 2可以相同或不同且各自独立地为烷基的[化学式1]。烷基优选选自C1-10直链，支链和环状烷基。符号n优选为2〜10的整数。

2. 发明申请

WO2006067944A1 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于液体暴露的耐蚀组合物和耐蚀图案的形成方法
公开(公告)号：WO2006067944A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/022121
申请日：2005-12-01
申请人：東京応化工業株式会社 , 辻裕光 , 松丸省吾
发明人：辻裕光 , 松丸省吾
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/2041
摘要：　酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分（Ａ）を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、放射線の照射により酸を発生する酸発生基を有する構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する液浸露光用レジスト組成物。
摘要翻译：本发明提供了一种用于液浸曝光的抗蚀剂组合物，其包括通过酸的作用使碱溶解度发生变化的树脂组分（A）。树脂组分（A）包括包含含有在暴露于辐射时产生酸的酸产生基团的结构单元（a0）的聚合化合物（A1）。

3. 发明申请

WO2005057284A1 ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：光刻胶组合物和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：WO2005057284A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/JP2004/017719
申请日：2004-11-29
申请人：東京応化工業株式会社 , 辻裕光 , 遠藤浩太朗
发明人：辻裕光 , 遠藤浩太朗
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要：　ホトレジスト組成物を、（Ａ）（ｉ）フッ素原子又はフッ素化アルキル基と（ｉｉ)アルコール性水酸基とを共に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、　（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分として、少なくとも下記、一般式（１）　【化１】［式中、Ｘは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数２～６のアルキレン基を表し；Ｒ 1 ～Ｒ 3 は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し、Ｒ 1 ～Ｒ 3 のうち少なくとも１つはアリール基を表す］で表される少なくとも１種のスルホニウム化合物とを含んで構成する。
摘要翻译：公开了一种光致抗蚀剂组合物，其包含（A）包含具有脂族基团的碱溶性结构单元的聚合物组分，其具有（i）氟原子或氟化烷基和（ii）醇羟基，所述聚合物组分具有通过酸的作用而改变的碱溶解度，和（B）至少一种由至少下述通式（1）表示的锍化合物作为在暴露于光时产生酸的酸产生剂。（式中，X表示具有2-6个碳原子的亚烷基，其中至少一个氢原子被氟原子取代; R 1 -R 3独立地表示芳基或烷基，而在 R 1 -R 3中的至少一个表示芳基。

4. 发明申请

WO2004088428A1 ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：光刻胶组合物和使用其形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：WO2004088428A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/004012
申请日：2004-03-24
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 遠藤浩太郎 , 辻裕光 , 吉田正昭
发明人：緒方寿幸 , 遠藤浩太郎 , 辻裕光 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/108
摘要：（Ａ）(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基及び(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位（ａ１）を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体､（Ｂ）光照射により酸を発生する酸発生剤、並びに（Ｃ）フッ素原子を有する溶解抑止剤及び／又は（Ｄ）（ｄ１）極性基を有する第３級アミン、（ｄ２）炭素数７以上１５以下の第３級アルキルアミン又は（ｄ３）アンモニウム塩から選ばれる含窒素化合物を含有していることを特徴とするホトレジスト組成物。当該組成物は、半導体集積回路のリソグラフィーによるパターン加工精度として９０ｎｍ以下のライン・アンド・スペース（１：１）を良好な形状で達成可能なレジスト特性を有する。
摘要翻译：一种光致抗蚀剂组合物，其特征在于，其包含（A）包含含有（i）氟原子或氟代烷基的脂族环状基团的碱溶性构成单元（a1）的聚合物和（ii）醇羟基并且通过酸的作用显示碱溶性，（B）在用光照射时产生酸的试剂，和（C）含有氟原子的溶解抑制剂和/或（D ）选自（d1）具有极性基团的叔胺，（d2）具有7-15个碳原子的叔烷基胺和（d3）铵盐的含氮化合物。所述组合物具有允许90nm或更小的线和空间（1：1）的抗蚀特性，因为通过光刻实现半导体集成电路的图案处理的精度具有良好的形状。

5. 发明申请

WO2007034949A1 有機膜の液浸リソグラフィ溶解成分測定方法审中-公开
标题翻译：用于测量有机膜中液体沉降光刻溶液分离的方法
公开(公告)号：WO2007034949A1
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：PCT/JP2006/318994
申请日：2006-09-25
申请人：東京応化工業株式会社 , 幸田伸之 , 吉田正昭 , 矢島隆之 , 辻裕光
发明人：幸田伸之 , 吉田正昭 , 矢島隆之 , 辻裕光
IPC分类号： G01N31/00 , G01N27/62 , G03F7/26
CPC分类号： G01N1/02 , G01N2001/028 , G01N2013/003 , G03F7/2041 , G03F7/70341 , G03F7/70608
摘要：　特に有機膜の表面に空気より屈折率が大きい所定厚さの液体を介在させた状態で有機膜を露光する液浸露光プロセスにおいて、微細なパターンを形成できる有機膜組成物を探索するための有機膜の液浸リソグラフィ溶解成分測定方法を提供すること。　基板１２上に形成された有機膜１３の表面に液浸リソグラフィ用の液浸媒体の液滴１５を載置し、この液滴１５を前記有機膜１３の表面を等線速で移動させながら前記有機膜１３中の成分を前記液滴１５中に移行させ、前記液滴１５中の滲出成分濃度を測定することにより有機膜組成物の液浸リソグラフィ適性を測定する。この測定方法によると、有機膜１３中の溶解成分の検出感度が非常に向上するので、有機膜組成物の液浸リソグラフィ適性を的確に判断することができるようになる。
摘要翻译：本发明提供了一种用于测量有机膜中的液浸光刻可溶性级分的方法，用于找到能够形成精细图案的有机膜组合物，特别是在液浸曝光工艺中，其中有机膜在下述状态下暴露：具有折射率大于空气的预定厚度的液体插入有机膜的表面上。用于液浸光刻的液浸介质的液滴（15）安装在形成在基板（12）上的有机膜（13）的表面上。当以相等的线速度将该液滴（15）移动到有机膜（13）的表面上时，有机膜（13）中的成分被转移到液滴（15）中，并且成分的浓度渗出到测量液滴（15）以确定用于液浸光刻的有机薄膜组合物的适用性。根据这种测量方法，由于溶解在有机膜（13）中的组分的检测灵敏度显着提高，因此可以准确地确定用于液浸光刻的有机膜组合物的适用性。

6. 发明申请

WO2006040949A1 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：暴露暴露的积极阻力组成和形成耐力图的方法
公开(公告)号：WO2006040949A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/JP2005/018138
申请日：2005-09-30
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 辻裕光 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：緒方寿幸 , 辻裕光 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397
摘要：　この液浸露光用ポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含む液浸露光用ポジ型レジスト組成物であって、樹脂成分（Ａ）が、水素原子を有するアルカリ可溶性基（ｉ）を有し、かつ該アルカリ可溶性基（ｉ）の一部において、その水素原子が下記一般式（Ｉ）［上記式中、Ｚは脂肪族環式基を表し；ｎは０または１～３の整数を表し；Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１～５の低級アルキル基を表す。］で表される酸解離性溶解抑制基（Ｉ）で置換されている樹脂（Ａ１）を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物である。　　　　　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：一种用于浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物，其包含通过酸曝光增强碱溶性的树脂成分（A）和在曝光时产生酸的酸产生剂成分（B），其特征在于，所述树脂成分（A）包含具有碱溶性基团（i）的具有氢原子的树脂（A1），其中部分碱溶性基团（i）的氢原子被酸解离溶解 - 由以下通式（I）表示的抑制基（I）[其中Z表示脂环基; n为0-3的整数; 并且R

7. 发明申请

WO2004088429A1 液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于液体暴露暴露过程的阻燃组合物及其形成耐药性图案的方法
公开(公告)号：WO2004088429A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/004022
申请日：2004-03-24
申请人：東京応化工業株式会社 , 遠藤浩太郎 , 吉田正昭 , 平山拓 , 辻裕光 , 緒方寿幸 , 佐藤充
发明人：遠藤浩太郎 , 吉田正昭 , 平山拓 , 辻裕光 , 緒方寿幸 , 佐藤充
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要：（Ａ）(i)フッ素原子またはフッ素化アルキル基および(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位（ａ１）を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体および（Ｂ）光照射により酸を発生する酸発生剤を含む液浸露光プロセス用レジスト組成物、並びにそれを用いたレジストパターン形成方法。これらにより、高い解像度及び焦点深度を実現しながら、浸漬液の悪影響を回避することができる。
摘要翻译：一种液浸曝光工艺用抗蚀剂组合物，其含有通过酸作用而碱溶解度变化的聚合物（A），含有含有氟原子的脂环式基团的碱溶性结构单元（a1）的聚合物（A）或氟化烷基（i）与醇羟基（ii）一起，并且包含当暴露于辐射时能够产生酸的酸产生剂（B）。还提供了与其形成抗蚀剂图案的方法。这些可以避免浸没液体的任何不利影响，同时实现高分辨率和焦深。

8. 发明申请

WO2006008934A1 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：WO2006008934A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/012057
申请日：2005-06-30
申请人：東京応化工業株式会社 , 辻裕光 , 吉田正昭
发明人：辻裕光 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397
摘要：　浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、２－ヘプタノンおよび乳酸エチルからなる群から選択される少なくとも１種の溶剤（ｃ１）を主成分とする有機溶剤（Ｃ）とを含有するレジスト組成物。
摘要翻译：公开了用于形成抗蚀剂图案的方法中的抗蚀剂组合物，其包括浸渍曝光步骤。抗蚀剂组合物含有通过酸的作用改变碱溶性的树脂组分（A）和通过暴露产生酸的酸产生剂组分（B）和主要含有至少一种溶剂的有机溶剂（C）（c1）选自2-庚酮和乳酸乙酯。

9. 发明申请

WO2006008914A1 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：耐蚀组合物和形成耐力图案的方法
公开(公告)号：WO2006008914A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/011737
申请日：2005-06-27
申请人：東京応化工業株式会社 , 辻裕光 , 内海義之
发明人：辻裕光 , 内海義之
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：本発明のレジスト組成物は、酸発生剤成分（Ｂ）として、下記一般式（ｂ－１）［式中、Ｒ１１～Ｒ１３は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し、Ｒ１１～Ｒ１３のうち少なくとも１つは、少なくとも１つの水素原子がアルキル基で置換されたアリール基を表し、Ｚ－はアニオンを表す。］で表されるオニウム塩系酸発生剤（Ｂ１）、または、環式基含有アニオンを有するオニウム塩系酸発生剤（Ｂ２）を含有する。
摘要翻译：含有酸产生剂成分（B）的抗蚀剂组合物，其为由以下通式（b-1）表示的鎓盐型酸产生剂（B1）（其中R ^{11> R ^{13 各自独立地表示芳基或烷基，条件是R 11和R 13中至少一个表示芳基，其中至少一个氢原子已经被烷基，Z“ - >表示阴离子）或具有含环状阴离子的鎓盐型酸发生剂（B2）。 [化学式1]（b-1）}}

10. 发明申请

WO2004097525A1 ホトレジスト組成物、該ホトレジスト組成物用低分子化合物および高分子化合物审中-公开
标题翻译：光电组合物和用于光电组合物的低分子化合物和高分子化合物
公开(公告)号：WO2004097525A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/JP2004/005410
申请日：2004-04-15
申请人：東京応化工業株式会社 , 緒方寿幸 , 遠藤浩太朗 , 辻裕光 , 吉田正昭 , 佐藤充 , 松丸省吾 , 羽田英夫
发明人：緒方寿幸 , 遠藤浩太朗 , 辻裕光 , 吉田正昭 , 佐藤充 , 松丸省吾 , 羽田英夫
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： C07C43/126 , C07C43/162 , C07C43/1747 , C07C69/96 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , Y10S430/108
摘要：アルカリ可溶性部位（ｉ）を有し、このアルカリ可溶性部位（ｉ）の少なくとも一部がハロゲン原子含有アセタール系酸解離性溶解抑止基（ii）で保護されている高分子化合物または／および低分子化合物、並びにそれ含むホトレジスト組成物。露光光、特に３００ｎｍ以下の波長光に対する透明性が高く、かつ断面矩形状の良好なレジストパターンを得ることができ、保存安定性の高いホトレジスト組成物とすることができる。
摘要翻译：具有碱溶性部位的高分子化合物或/和低分子化合物（i），其至少部分被卤化缩醛型酸解离抑制基团（ii）保护; 和含有该组合物的光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂组合物是高曝光后的保存稳定性之一，实现了相对于辐射，特别是300nm以下波长的光线显示高透明度的优异的截面矩形的抗蚀剂图案。

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