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1. 发明申请

WO2004025083A1 発電電動機装置审中-公开
标题翻译：发电机电机
公开(公告)号：WO2004025083A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/JP2003/010226
申请日：2003-08-11
申请人：本田技研工業株式会社 , 福富耕二 , 牧野博行 , 前田進
发明人：福富耕二 , 牧野博行 , 前田進
IPC分类号： F01B31/26
CPC分类号： H02K7/1823 , H02K7/14
摘要：ランキンサイクル装置の容積型の膨張機のケーシング（１５）に発電電動機（ＭＧ）のケーシング（１１１）を結合し、膨張機から発電電動機ケーシング（１１１）内に延びる出力軸（３２）の軸端に発電電動機（ＭＧ）のロータ（１１７）を支持する。膨張機の膨張室からの漏れ蒸気が存在する膨張機ケーシング（１５）の内部空間と、発電電動機ケーシング（１１１）の内部空間とを連通孔（１５ａ）を介して連通させることで、コイル（１２４）の発熱で高温になった発電電動機（ＭＧ）を連通孔（１５ａ）から浸入する漏れ蒸気で冷却し、また低温の膨張機ケーシング（１５）を高温の発電電動機ケーシング（１１１）で覆うことで、膨張機ケーシング（１５）からの熱逃げを最小限に抑えて膨張機の効率を高めることができる。これにより、容積型の膨張機に連結された発電電動機を効果的に冷却すると同時に、前記膨張機からの熱逃げを最小限に抑えて効率の向上を図ることができるようになる。
摘要翻译：发电机马达（MG）的壳体（111）与兰金循环装置中的位移型膨胀机的壳体（15）相连，发电机马达（MG）的转子（117）支撑在从膨胀机延伸到发电机电机壳体（111）的输出轴（32）。存在从膨胀机的膨胀室泄漏的蒸气的膨胀机壳体（15）的内部空间经由连通孔（15a）与发电机电动机壳体（111）的内部空间连通，从而冷却发电机电动机（MG）通过经由连通孔（15a）进入的泄漏的蒸汽的加热的线圈（124）被加热到高温，并且低温膨胀机壳体（15）被高温发电机壳体（111）覆盖，从而使从膨胀机壳体（15）排出的热量最小化并且提高膨胀机的效率。因此，可以有效地冷却与排量型膨胀机连接的发电机马达，同时使从膨胀机逸出的热量最小化，提高效率。

2. 发明申请

WO2004040045A1 シリコンウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：生产硅波的方法
公开(公告)号：WO2004040045A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/JP2003/014001
申请日：2003-10-31
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 前田進 , 稲垣宏 , 川島茂樹 , 黒坂昇栄 , 中村浩三
发明人：前田進 , 稲垣宏 , 川島茂樹 , 黒坂昇栄 , 中村浩三
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203
摘要： A method for producing a silicon crystal wherein the boron concentration in the silicon crystal and the growth condition V/G are controlled so that the boron concentration in the silicon crystal is not less than 1 x 10 atoms/cm and the growth condition V/G falls within the epitaxial defect-free region alpha2 whose lower limit line LN1 is the line indicating that the growth rate V gradually drops as the boron concentration increases. A method for producing a silicon wafer wherein the boron concentration in the silicon crystal and the growth condition V/G are controlled so that the growth condition V/G falls within at least the epitaxial defect region beta1, and the heat treatment condition of the silicon crystal and the oxygen concentration in the silicon crystal are controlled so that no OSF nucleis grow to OSFs. A method for producing a silicon crystal wherein the boron concentration in the silicon crystal and the growth condition V/G are controlled so that they fall in the vicinity of the lower limit line LN3 within the epitaxial defect-free region alpha1.
摘要翻译：控制硅晶体中的硼浓度和生长条件V / G的硅晶体的制造方法，使得硅晶体中的硼浓度为1×10 18原子/ cm 3以上，生长条件V / G落在外延无缺陷区域α2中，其下限线LN1是表示随着硼浓度增加，生长速率V逐渐下降的线。控制硅晶体中的硼浓度和生长条件V / G的硅晶片的制造方法，使得生长条件V / G至少在外延缺陷区域β1内，硅的热处理条件晶体和硅晶体中的氧浓度被控制，使得OSF核不生长到OSF。控制硅晶体中的硼浓度和生长条件V / G的硅晶体的制造方法，使得它们落在外延缺陷区域α1内的下限线LN3附近。

3. 发明申请

WO2003029619A1 蒸発器の温度制御装置审中-公开
标题翻译：蒸发器温度控制装置
公开(公告)号：WO2003029619A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/JP2002/009724
申请日：2002-09-20
申请人：本田技研工業株式会社 , 永谷修志 , 馬場剛志 , 茨木茂 , 佐藤聡長 , 前田進
发明人：永谷修志 , 馬場剛志 , 茨木茂 , 佐藤聡長 , 前田進
IPC分类号： F01K23/10
CPC分类号： F01N5/02 , F01K23/065 , F01K23/101 , Y02T10/16
摘要： A temperature control means (U) of an evaporator for controlling the supply amount of water to the evaporator based on the flow of exhaust gas and the temperatures of the exhaust gas, water, and steam to match the temperature of the steam generated by heating the water by the exhaust gas from an engine to a target temperature, wherein the flow (Gmix) of the exhaust gas is calculated based on the fuel injection amount, air/fuel ratio, and rotational speed of the engine to increase an accuracy and a responsiveness, whereby a control accuracy for matching the steam temperature to the target temperature can be increased by controlling the supply amount of the water to the evaporator based on the flow (Gmix) of the exhaust gas.
摘要翻译：蒸发器的温度控制装置（U），用于基于排气的流量和排气，水和蒸汽的温度来控制蒸发器的水的供应量，以匹配通过加热产生的蒸汽的温度水通过发动机的废气到目标温度，其中基于燃料喷射量，空气/燃料比和发动机的转速来计算废气的流量（Gmix），以提高精度和响应性通过根据排气的流量（Gmix）控制蒸发器的供水量，可以提高蒸汽温度与目标温度的匹配控制精度。

4. 发明申请

WO2006016659A1 窒素ドープシリコンウェーハとその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化硅陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：WO2006016659A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/014773
申请日：2005-08-11
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 中村浩三 , 前田進 , 林田広一郎 , 杉万貴久 , 杉澤克彦
发明人：中村浩三 , 前田進 , 林田広一郎 , 杉万貴久 , 杉澤克彦
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T117/1056
摘要：　エピタキシャル成長または高温熱処理を行うことにより、高いゲッタリング能を有するエピタキシャルウェーハおよび高温熱処理ウェーハを得る。窒素を添加したシリコン結晶における結晶成長時に導入された酸素析出物の半径に対する密度を表す関係式を、窒素濃度と結晶成長中の１１００°C近傍での冷却速度から導出し、導出された酸素析出物の半径毎の密度を表す関係式と酸素濃度およびウェーハ熱処理プロセスを与えることにより、熱処理後に得られる酸素析出物密度を予測できる。また、その方法を用いて予測される条件を用いて適正な酸素析出物密度に制御されたエピタキシャル成長ウェーハおよび高温アニールウェーハを得る。
摘要翻译：通过外延生长或高温热处理提供高吸收性能外延晶片和高温热处理晶片。用于在生长添加氮的硅晶体时引入的氧沉积物的半径表示密度的关系表达式来自在1100℃左右的晶体生长期间的氮浓度和冷却速度，以及热处理后的氧沉积密度可以通过给出通过半径和氧浓度表达衍生的氧沉积物的密度并通过进行晶片热处理工艺的关系表达来预测。提供外延生长的晶片和通过使用通过这种方法预测的条件正确控制其氧沉积密度的高温退火晶片。

5. 发明申请

WO2005104208A1 シリコン半導体基板の熱処理方法及び同方法で処理されたシリコン半導体基板审中-公开
标题翻译：硅半导体衬底加热处理方法和硅半导体衬底
公开(公告)号：WO2005104208A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/007716
申请日：2005-04-22
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 前田進 , 杉万貴久 , 佐土原晋弥 , 芳野史朗 , 中村浩三
发明人：前田進 , 杉万貴久 , 佐土原晋弥 , 芳野史朗 , 中村浩三
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225
摘要：　窒素含有雰囲気におけるＲＴＡ後のＢＭＤ密度のウェーハ深さ方向Ｍ字分布形態を任意に制御し、デバイスメーカー毎に要求が異なる近接ゲッタリング構造を自在に制御出来る方法を提供する。表面近傍に無欠陥層を有するシリコンウェーハを製造するために所定のシリコンウェーハを熱処理する方法であって、該熱処理用シリコンウェーハの深さ方向の窒素濃度分布を制御することにより所望の内部欠陥密度分布を形成させる熱処理方法を提供する。
摘要翻译：一种用于在含氮气氛中任意控制RTA之后的BMD密度的晶圆深度方向M字母分布形式的方法，从而可自由控制器件制造商不同所需的接近吸气结构。该方法用于对预定的硅晶片进行热处理，以通过将硅晶片的深度方向上的氮浓度分布控制在硅晶片的表面上形成期望的内部缺陷密度分布，从而形成具有无缺陷层的硅晶片，从而形成期望的内部缺陷密度分布进行热处理。

6. 发明申请

WO2004007814A1 単結晶半導体の製造方法、単結晶半導体の製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产单晶半导体的方法和用于生产单晶半导体的装置
公开(公告)号：WO2004007814A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008744
申请日：2003-07-10
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 前田進 , 稲垣宏 , 川島茂樹 , 黒坂昇栄 , 中村浩三
发明人：前田進 , 稲垣宏 , 川島茂樹 , 黒坂昇栄 , 中村浩三
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B15/36 , Y10S117/90 , Y10T117/1004
摘要：本発明は、単結晶半導体の製造方法、製造装置に関する。本発明は、既存の装置に大きな変更を加えることなく、単結晶半導体の酸素濃度、融液の温度に影響を与えることなく、必要以上に種結晶の温度を上昇させることなく、大径、大重量の単結晶半導体を引き上げることを課題とする。本発明では、着液する際の種結晶（１４）と融液（５）との温度差が、種結晶（１４）中に転位が導入されない許容温度差（ΔＴ）になるように、許容温度差（ΔＴ）と種結晶（１４）の直径（Ｄ）との関係（Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3）が予め設定される。そして関係（Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3）に基づいて、着液しようとする種結晶（１４）の直径（Ｄ）に対応する許容温度差（ΔＴ）が求められる。そして種結晶（１４）が融液（５）に着液する際に、種結晶（１４）と融液（５）との温度差が、求めた許容温度差（ΔＴ）以下になるように、温度が調整される。　
摘要翻译：一种单晶半导体的制造方法及其装置。可以使用不具有任何显着变化的现有设备来提升大直径和大重量的单晶半导体，同时不影响单晶半导体的氧浓度和熔体的温度，同时不会不适当地提高温度晶种。特别地，预先设定温度公差（DeltaT）和晶种（14）的直径（D）之间的关系（L1，L2，L3），使得晶种（14）在达到时的温度差熔体和熔体（5）落入耐温度（DeltaT）内，避免在晶种（14）中引入位错。根据关系式（L1，L2，L3），确定对应于即将到达熔体的晶种（14）的直径（D）的温度公差（DeltaT）。进行温度控制，使得在晶种（14）到熔体（5）到达时，晶种（14）和熔体（5）之间的温差落在确定的温度公差（DeltaT）内。

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