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1. 发明申请

WO2009060916A1 透光性基板、その製造方法、有機ＬＥＤ素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：光传输基板，制造发光基板的方法，有机LED元件和制造有机LED元件的方法
公开(公告)号：WO2009060916A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/070239
申请日：2008-11-06
申请人：旭硝子株式会社 , 中村伸宏 , 小野元司 , 今北健二 , 小高秀文 , 石橋奈央 , 林和孝
发明人：中村伸宏 , 小野元司 , 今北健二 , 小高秀文 , 石橋奈央 , 林和孝
IPC分类号： H05B33/02 , H01B5/14 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L51/56 , H01L2251/5346 , H01L2251/5361 , H01L2251/5392 , H05B33/10 , H05B33/22
摘要：　本発明は、取り出し効率を最大で発光光の８０％まで向上した有機ＬＥＤ素子を提供することを企図し、透光性のガラス基板と、前記ガラス基板上に形成され、透過する光の少なくとも１波長に対して第１の屈折率を有するベース材と、前記ベース材中に分散された、前記ベース材と異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質とを具備したガラスからなる散乱層と、前記散乱層上に形成され、前記第１の屈折率より高い第３の屈折率を有する透光性電極とを具備し、前記散乱層内における前記散乱物質の分布は前記透光性電極に向かって小さくなっている透光性基板を提供する。
摘要翻译：提供了一种有机LED元件，其中提取效率最大地提高到发光的80％。有机LED元件设置有透光基板。透光基板设置有透光玻璃基板; 由玻璃基板上形成的具有至少一个透射光波长的第一折射率的基材构成的散射层和分散在基材中并具有多个散射材料的玻璃，所述散射层具有多个散射材料，与基材不同的第二折射率; 以及透光电极，其形成在所述散射层上并且具有比所述第一折射率高的第三折射率。散射层中散射物质的分布朝向透光电极减少。

2. 发明申请

WO2009017035A1 透光性基板、その製造方法、有機ＬＥＤ素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：透明基板，制造透明基板的方法，有机LED元件和制造有机LED元件的方法
公开(公告)号：WO2009017035A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063319
申请日：2008-07-24
申请人：旭硝子株式会社 , 中村伸宏 , 林和孝 , 今北健二 , 大川博之 , 小高秀文 , 石橋奈央
发明人：中村伸宏 , 林和孝 , 今北健二 , 大川博之 , 小高秀文 , 石橋奈央
IPC分类号： H05B33/02 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L2924/16152 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/22
摘要：　取り出し効率を最大で発光光の８０％まで向上した有機ＬＥＤ素子を提供する。　本発明の電極付き透光性基板は、透光性基板と、透光性基板上に形成され有機ＬＥＤ素子の発光光の波長のうち少なくとも一つの波長において第１の屈折率を有するベース材とベース材内部に位置しベース材と異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質とを備えた散乱層と、散乱層上に形成され第１の屈折率と同じ若しくはより低い第３の屈折率を有する透光性電極とを有し、前記散乱物質の前記散乱層内分布が、前記散乱層内部から前記透光性電極にむかって、小さくなっていることを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种有机LED元件，其中提取效率最高可达80％以上。具有电极的半透明基板设置有透光性基板，散射层和透光性电极。散射层设置有形成在透光性基板上的基材，并且具有从有机LED元件发出的光的波长中的至少一个波长的第一折射率; 以及多个散射材料，其位于基材内部，并且具有与基材的折射率不同的第二折射率。透光性电极形成在散射层上，具有与第一折射率相同的第三折射率。散射层中的散射材料的分布从散射层的内部朝向透光性电极减少。

3. 发明申请

WO2007142330A1 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：透明导电薄膜，薄膜生产工艺和用于生产薄膜的溅射目标
公开(公告)号：WO2007142330A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061638
申请日：2007-06-08
申请人：旭硝子株式会社 , 小高秀文 , 光井彰 , 中釜晋
发明人：小高秀文 , 光井彰 , 中釜晋
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/457 , G02F1/1343 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , G02F1/13439
摘要：　ＤＣスパッタリング法、ＤＣパルススパッタリング法およびＡＣスパッタリング法により透明導電膜を形成するのに好適な酸化スズ系ターゲットの提供。　スパッタリング法を用いて透明導電膜を形成する際に使用されるスパッタリングターゲットであって、酸化スズを主成分とし、亜鉛、ニオブ、チタン、マグネシウム、アルミニウムおよびジルコニウムからなるＡドーパント群から選択される少なくとも一つの元素と；タングステン、タンタルおよびモリブデンからなるＢドーパント群から選択される少なくとも一つの元素と；をドーパントとして含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
摘要翻译：公开了一种适用于通过DC溅射法，CD脉冲溅射法或AC溅射法形成透明导电膜的含氧化锡的靶。更具体地，公开了用于通过溅射工艺形成透明导电膜的溅射靶。溅射靶包括：以氧化锡为主要成分; 以及选自由锌，铌，钛，镁，铝和锆组成的掺杂剂组A中的至少一种元素和选自由钨，钽和钼组成的掺杂剂组B中的至少一种元素作为掺杂剂。

4. 发明申请

WO2005076292A1 透明電極の製造方法审中-公开
标题翻译：形成透明电极的方法
公开(公告)号：WO2005076292A1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：PCT/JP2005/001527
申请日：2005-02-02
申请人：旭硝子株式会社 , 光井彰 , 小高秀文 , 米森重明 , 赤尾安彦
发明人：光井彰 , 小高秀文 , 米森重明 , 赤尾安彦
IPC分类号： H01B13/00
CPC分类号： C03C17/245 , C03C2217/231 , C03C2218/154 , C03C2218/328 , C03C2218/33 , G02F1/13439 , H01J9/02 , H01J2217/04 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：　容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。　基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、基板上に光吸収性を有する酸化スズ膜を形成する工程、光吸収性を有する酸化スズ膜の一部をエッチング液で溶解してパターニングする工程、パターニングされた光吸収性を有する酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含むことを特徴とする透明電極の製造方法。
摘要翻译：公开了一种形成透明电极的方法，该透明电极由具有低电阻和优异透明度并且易于图案化的低成本氧化锡膜组成。具体公开了形成透明电极的方法，其中在衬底上形成图案化的氧化锡膜。该方法的特征在于包括在基板上形成光吸收性氧化锡膜的步骤，通过使用蚀刻液部分地溶解膜来图案化光吸收性氧化锡膜的步骤，以及用于加热如此图案化的光吸收性氧化锡膜，由此得到所需的氧化锡膜。

5. 发明申请

WO2006103871A1 電気伝導性材料审中-公开
标题翻译：电导体材料
公开(公告)号：WO2006103871A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/304131
申请日：2006-03-03
申请人：旭硝子株式会社 , 小高秀文
发明人：小高秀文
IPC分类号： H01B1/08 , C01G41/00 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC分类号： C01G41/00 , C01P2006/40 , C23C14/08 , C23C14/5806 , H01B1/08 , H05B33/28
摘要：　電気伝導性に優れ、かつｐ型の電気伝導性を示すことが可能な電気伝導性材料を提供する。　Ｓｎ、Ｗおよび酸素を含む電気伝導性材料であり、その組成範囲をＳｎ（ｘ）Ｗ（ｙ）Ｏ（ｚ）と表した場合に、ｘ、ｙおよびｚが下記の式（１）～（４）を満たすことを特徴とする電気伝導性材料。（１）０．７＜ｘ＜１．３（２）０．７＜ｙ＜１．３（３）３．２＜ｚ＜４．５（４）０．００１≦（ｘ－ｙ）≦０．１または０．００１≦（ｙ－ｘ）≦０．１
摘要翻译：公开了导电性优异且能够显示p型导电性的导电材料。具体公开了含有Sn，W和氧的导电材料。这种导电材料的特征在于当其化学组成表示为Sn（x）W（y）O（z）时，x，y和z满足以下关系式（1） - （4）。（1）0.7

6. 发明申请

WO2009072585A1 結晶質ＫＬＮ膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置审中-公开
标题翻译：用于制造晶体KLN膜的方法，用于制造半导体器件的工艺和半导体器件
公开(公告)号：WO2009072585A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/JP2008/072099
申请日：2008-12-04
申请人：旭硝子株式会社 , 小高秀文 , 木原直人
发明人：小高秀文 , 木原直人
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC分类号： C23C14/088 , C23C14/5873 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H03H9/02039
摘要：　結晶質ＫＬＮ膜を作製するための新規作製工程、および、プロセス安定化のための新規膜構成、ならびに圧電体薄膜として該結晶質ＫＬＮ膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。　本発明の結晶質ＫＬＮ膜の製造方法は、アモルファスのＰｏｔａｓｓｉｕｍ　Ｌｉｔｉｕｍ　Ｎｉｏｂａｔｅ（ＫＬＮ）膜を成膜する工程と、成膜されたＫＬＮ膜上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）若しくは酸化珪素（ＳｉＯ 2 ）を含むバリア層を成膜する工程と、バリア層が成膜されたＫＬＮ膜をアニールする工程とを含むことを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种用于生产结晶KLN膜的新型制备方法; 用于过程稳定的新型膜结构; 以及使用结晶KLN膜作为压电薄膜的半导体器件的制造方法。制造结晶KLN膜的方法包括以下步骤：形成无定形的铌酸锂钾（KLN）膜; 在KLN膜上形成包含氮化铝（AIN）或氧化硅（SiO 2）的阻挡层; 并对其上形成有阻挡层的KLN膜进行退火。

7. 发明申请

WO2008111324A1 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：透明导电膜和制造透明导电膜的方法和方法中使用的溅射靶
公开(公告)号：WO2008111324A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/JP2008/050375
申请日：2008-01-15
申请人：旭硝子株式会社 , 林一郎 , 小高秀文
发明人：林一郎 , 小高秀文
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/457 , C23C14/08 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/3414
摘要：　本発明は、スパッタリング法、特にＤＣスパッタリング法、ＤＣパルススパッタリング法、ＡＣスパッタリング法およびＭＦスパッタリング法により透明導電膜を形成するのに好適な酸化スズ系ターゲットを提供することを目的とする。本発明は、スパッタリング法を用いて透明導電膜を形成する際に使用されるスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットは、酸化スズを主成分として含み、ニオブ、タングステン、タンタル、ビスマスおよびモリブデンからなるＡドーパント群から選択される少なくとも一つの元素と、銅元素と、をドーパントとして含むスパッタリングターゲットに関する。
摘要翻译：本发明提供适用于通过溅射法，特别是DC溅射法，DC脉冲溅射法，AC溅射法，MF溅射法形成透明导电膜的氧化锡靶。通过使用溅射法形成透明导电膜时使用的溅射靶包括氧化锡作为主要成分，以及选自由铌，钨，钽等构成的掺杂剂组（A）中的至少一种元素，铋和钼，以及铜元素作为掺杂剂。

8. 发明申请

WO2007142043A1 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：透明导电膜，其生产方法和用于生产的喷射目标
公开(公告)号：WO2007142043A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/060615
申请日：2007-05-24
申请人：旭硝子株式会社 , 小高秀文 , 光井彰
发明人：小高秀文 , 光井彰
IPC分类号： H01B5/14 , C04B35/457 , C23C14/34 , G02F1/1343 , H01B13/00 , C01G19/02
CPC分类号： C01G19/00 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G02F1/13439
摘要：　ガラスフリットの侵食に対して強い耐性を持ち、ガラスフリット接触した状態で焼成しても電気抵抗が増加することのない透明導電膜およびその製造方法を提供する。　酸化スズを主成分とする透明導電膜であって、前記透明導電膜は、タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデンおよびビスマスからなる群から選択される少なくとも一つ以上の元素をドーパントとして含み、アンチモンおよびインジウムを実質的に含まず、　前記透明導電膜中にドーパントとして含まれる前記元素の総量をＭ A 、前記透明導電膜に含まれるスズ元素の量をＳｎとした場合に、下記式（１），（２）を満たすことを特徴とする透明導電膜。０．８　＜　（Ｓｎ）／（Ｓｎ＋Ｍ A ）　＜　１．０　　・・・（１）０．０１　＜　（Ｍ A ）／（Ｓｎ＋Ｍ A ）　＜　０．２　・・・（２）
摘要翻译：一种透明导电膜，其具有高耐玻璃料腐蚀性，即使在与玻璃料接触的状态下燃烧时也不会增加电阻; 以及该膜的制造方法。透明导电膜包括氧化锡作为主要成分，其特征在于透明导电膜含有选自钨，钽，铌，钼和铋作为掺杂剂的一种或多种元素，并且基本上不含锑也不是铟。其特征还在于，当透明导电膜中作为掺杂剂包含的元素的总量由M A A表示时，透明导电膜中含有的锡元素的量为由Sn表示，该膜满足以下关系式（1）和（2）。 0.8 <（SN）/（SN + M A A）<1.0（1）0.01 <（M A A）/（Sn + M A A < ）<0.2（2）

9. 发明申请

WO2005056870A1 可視光で光触媒活性を有するＴｉ酸化物膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氧化钛薄膜在可见光照射下展示光催化活性及其生产工艺
公开(公告)号：WO2005056870A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/JP2004/018376
申请日：2004-12-09
申请人：旭硝子株式会社 , 府川真 , 小高秀文 , 尾山卓司 , 光井彰
发明人：府川真 , 小高秀文 , 尾山卓司 , 光井彰
IPC分类号： C23C14/08
CPC分类号： B01J21/063 , B01D53/007 , B01D53/885 , B01D2255/802 , B01J35/004 , B01J37/347 , C03C17/2456 , C03C17/256 , C03C17/3417 , C03C2217/71 , C23C14/083
摘要：　親水性、防曇性を有し、透明性に優れ、かつＵＶ光によるガス分解性を有する、可視光応答性を有するＴｉ酸化物膜およびその製造方法並びにＴｉ酸化物膜付き基体を提供する。　ガラス基板上に形成されたＴｉ酸化物膜であって、１００ｍＷ／ｃｍ２の輝度を有するキセノンランプの光を、４００ｎｍ未満の紫外光をカットして前記Ｔｉ酸化物膜に照射しながら前記Ｔｉ酸化物膜に電圧を印加したときの電流値が、暗所における前記Ｔｉ酸化物膜に該電圧と同じ電圧を印加したときの電流値に対して１０００倍以上であるＴｉ酸化物膜。
摘要翻译：具有亲水性和防雾性的可见光反应性Ti氧化物膜，透明性优异，具有紫外线辐射气体分解能力; 其制造方法; 和具有Ti氧化物膜的基底。提供了形成在玻璃基板上的Ti氧化物膜，其在将Ti氧化物膜暴露于100mW / cm 2以下的氙灯光的同时施加到Ti氧化物膜上，其中小于400nm的紫外线照射被切断的电流值至少为在暗处施加相同电压至Ti氧化物膜时所呈现的电流值的1000倍。

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