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    • 4. 发明申请
    • 半導体チップ及び半導体装置
    • 半导体芯片和半导体器件
    • WO2008111409A1
    • 2008-09-18
    • PCT/JP2008/053612
    • 2008-02-29
    • 日本電気株式会社半杭 英二栗山 敏秀佐々木 英樹深石 宗生
    • 半杭 英二栗山 敏秀佐々木 英樹深石 宗生
    • H01L25/065H01L21/822H01L25/07H01L25/18H01L27/04
    • H01L27/0688H01L23/48H01L25/0657H01L2225/06513H01L2225/06527H01L2924/0002H01L2924/00
    •  複数CPU間、CPU-メモリ間、複数メモリ間など、データ伝送の高速化や大容量化の要求と、実装面積の小型化の要求の特に強い半導体チップおよび半導体装置に対し、チップ間を非接触で3層以上に積み上げることにより、接続信頼性の高い半導体装置及びその半導体チップを提供する。  本発明の半導体チップ2bは、第1の信号伝送回路6bと第1の切替えスイッチ7が形成されたシリコン基板3bと、第1の容量性結合用上部電極8bがその上に形成された配線層4bとから構成される半導体チップであって、シリコン基板を貫通する第1のビアホール9を介してシリコン基板の裏面にも第1の容量性結合用下部電極8cが形成され、第1の容量性結合用上部電極は第1の信号伝送回路に直接接続されているのに対し、第1の容量性結合用下部電極は第1のビアホールと第1の切替えスイッチとを介して第1の信号伝送回路に接続されている。
    • 提供了一种半导体芯片和半导体器件,其特别期望提高数据传输的速度和容量,并且减小CPU,CPU和存储器之间的封装区域的大小以及存储器,并且高度地 通过以非接触方式堆叠三层或多层可靠的连接。 半导体芯片(2b)由具有第一信号传输电路(6b)和形成在其中的第一转换开关(7)的硅衬底(3b)和具有第一电容耦合上部 电极(8b)。 第一电容耦合下电极(8c)也通过穿过硅衬底的第一通孔(9)形成在硅衬底的背面上。 第一电容耦合上电极与第一信号传输电路直接连接,而第一电容耦合下电极通过第一通孔和第一转换开关与第一信号传输电路连接。
    • 7. 发明申请
    • クロック再生装置及び方法
    • 时钟生成装置和方法
    • WO2007037312A1
    • 2007-04-05
    • PCT/JP2006/319276
    • 2006-09-28
    • 日本電気株式会社須永 和久山口 晃一深石 宗生
    • 須永 和久山口 晃一深石 宗生
    • H04L7/033H04L25/497
    • H04L7/033H04L25/4906
    •  デュオバイナリ伝送データから受信クロックを高精度で再生するクロック再生装置を提供する。  デュオバイナリ伝送信号inの波形のコモンモードを0とし、データアイの大きさをVeyeとして、参照電位Vref_H,Vref_Lを以下の値に設定する。    Veye/√3≦Vref_H≦Veye/√2  ・・・(1)   -Veye/√2≦Vref_L≦-Veye/√3 ・・・(2)  特に、参照電位Vref_H,Vref_Lを、それぞれ、式(1),(2)に示す範囲の中心値に設定することにより、効果が顕著となる。この中心値では、遷移データの揺らぎ(ジッタ)が最も小さくなり、再生クロックのジッタ特性が最も良くなる。
    • 提供了一种用于从二进制二进制数据精确再现接收时钟的时钟再生装置。 二进制二进制信号“in”的波形的共模被设置为0,数据眼大小设置为Veye,参考电位Vref_H,Vref_L被设置为以下值:Veye / v3 = Vref_H = Veye / v2 ...(1)-Veye / v2 = Vref_L = -Veye / v3 ...(2)特别是通过将表达式(1)和(2)所示范围内的中心值设定为参考电位Vref_H,Vref_L ),效果显着。 在中心值时,瞬态数据抖动变得最小,再现时钟抖动特性变得最好。