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1. 发明申请

WO2009091051A1 配合計画作成装置、方法、プログラム及び記録媒体审中-公开
标题翻译：组合计划制造设备，方法，程序和记录介质
公开(公告)号：WO2009091051A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/JP2009/050590
申请日：2009-01-16
申请人：新日本製鐵株式会社 , 小林敬和 , 屋地靖人 , 石井義人 , 石山理 , 植木誠 , 斎藤元治 , 鈴木豊 , 野村誠治 , 渡辺裕司 , 金澤典一 , 佐藤智宏
发明人：小林敬和 , 屋地靖人 , 石井義人 , 石山理 , 植木誠 , 斎藤元治 , 鈴木豊 , 野村誠治 , 渡辺裕司 , 金澤典一 , 佐藤智宏
IPC分类号： G05B19/418 , G06F19/00 , G06Q50/00
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B2219/32268 , G06Q10/04 , Y02P80/40 , Y02P90/20 , Y02P90/26
摘要：　複数種の配合原材料を混合する配合計画を作成する配合計画作成装置は、配合原材料の需給状態及び混合後の性状を計算するシミュレータ（２０１、２０２）と、入力データ取込み部（３０１）と、配合原材料の入荷予定、配合原材料の在庫状況、配合原材料の性状、費用情報を含むデータに基づいて、立案開始日時から予め設定された最適化期間分を対象として、配合原材料の需給バランス制約を表す数式モデル、及び、混合後の性状制約を表す数式モデルを構築するモデル構築部（２０３、２０４）と、モデル構築部（２０３、２０４）により構築された数式モデルを用いて、費用に関して構築された目的関数に基づいて最適化計算を行い、シミュレータ（２０１、２０２）に対する指示を算出する計画部（２０５）とを備える。
摘要翻译：一种组合计划制作装置，用于制备用于混合多种组合物原料的组合计划，设置有模拟器（201,202），其计算组合物原料的供给条件，原料的性质混合后; 输入数据取入单元（301）; 构建用于表示供需平衡限制的数值公式的模型构建单元（203,204），以及用于表示混合后的组合物原料在预定优化时间段内的性质限制的数值公式根据组合物原料的出货时间表，组合物原料的库存状况，组成原料的性质和包括费用信息的数据计划生产日期和时间作为目标; 以及平面单元（205），其通过使用由所述模型构造单元（203,204）构造的数学公式，根据与所述费用构成的对象函数进行优化计算，并计算所述模拟器（201）的指令，202）。

2. 发明申请

WO2004053971A1 配線用銅合金、半導体装置、配線の形成方法及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于接线的铜合金，半导体器件，用于形成接线的方法和用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004053971A1
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：PCT/JP2003/012080
申请日：2003-09-22
申请人：日本電気株式会社 , 植木誠 , 廣井政幸 , 五十嵐信行 , 林喜宏
发明人：植木誠 , 廣井政幸 , 五十嵐信行 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/53233 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：配線金属は、銅（Ｃｕ）を主成分とする多結晶とＣｕ以外の添加元素とを含有し、添加元素の濃度が、Ｃｕ多結晶を構成する結晶粒の結晶粒界及び結晶粒界近傍において、その結晶粒内部よりも高い。添加元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ及びＡｇからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることが好ましい。このＣｕ配線は、Ｃｕ多結晶膜を形成し、そのＣｕ膜の上に添加元素の層を形成し、この添加元素を前記添加元素の層からＣｕ膜中に拡散させることにより形成される。この配線用銅合金は、半導体装置に形成される金属配線として好適である。
摘要翻译：一种用于布线的铜合金，其包含以铜（Cu）为主要成分的多晶铜合金和添加金属，其中存在于构成所述多晶铜合金的晶粒的晶粒边界和所述晶粒附近的所述添加金属的浓度所述添加金属优选为选自Ti，Zr，Hf，Cr，Co，Al，Sn，Ni，Mg和Ag中的至少一种; 以及形成上述Cu布线的方法，其包括形成Cu多晶膜，在Cu膜上形成添加金属层，并将添加金属从添加金属层扩散到Cu膜中。铜合金适用于形成在半导体器件中的金属布线。

3. 发明申请

WO2008078649A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008078649A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/074543
申请日：2007-12-20
申请人：日本電気株式会社 , 植木誠 , 山本博規 , 林喜宏 , 伊藤文則 , 福本能之
发明人：植木誠 , 山本博規 , 林喜宏 , 伊藤文則 , 福本能之
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/312 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/31633 , C23C16/30 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】　配線の信頼性劣化を抑制し、配線の実効誘電率を低減する。【解決手段】　半導体装置の銅含有配線がバリア絶縁膜で被覆されており、前記バリア絶縁膜が、不飽和炭化水素とアモルファスカーボンとを含む有機シリカの成分を含有するものである。前記銅含有配線を、不飽和炭化水素とアモルファスカーボンを含む有機シリカ構造のバリア絶縁膜で被覆する。したがって、本発明によれば、銅含有配線の信頼性を劣化させることなく、配線間容量を低減でき、そのため、高速、低消費電力なＬＳＩを実現できる。
摘要翻译：本发明旨在抑制布线的可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体器件，其中含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，并且阻挡绝缘膜含有含有不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅成分。也就是说，含有铜的布线被具有含有不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构的阻隔绝缘膜覆盖。因此，在不劣化含铜布线的可靠性的情况下降低线间电容，从而实现低功耗的高速LSI。

4. 发明申请

WO2009051163A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009051163A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/068719
申请日：2008-10-16
申请人：日本電気株式会社 , 川原潤 , 山本博規 , 植木誠 , 林喜宏
发明人：川原潤 , 山本博規 , 植木誠 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/31633 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02362 , H01L21/76801 , H01L21/823475 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、半導体装置のコンタクトプラグとして銅を用いた場合に、銅がコンタクトプラグから絶縁膜を介して、ＭＩＳ型ＦＥＴの不純物拡散領域まで拡散することを抑制する半導体装置を提供する。基板１表面にＭＩＳ型ＦＥＴ２０が設けられ、基板１上に、ＭＩＳ型ＦＥＴ２０を覆うように絶縁膜５が設けられ、絶縁膜５には、ＭＩＳ型ＦＥＴ２０の不純物拡散領域２１へ至る開口部１１と、ゲート電極４またはゲート電極４の引き出し部１９へ至る開口部１１が設けられ、開口部１１には、主成分を銅とする導電部材８が充填され、絶縁膜５は、シリコン、酸素、炭素、水素を主成分とする層を含む、構成とされる（図１）。
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其中当使用铜作为半导体器件的接触插塞时，通过绝缘膜从接触插塞将铜扩散到MIS型FET的杂质扩散区域。在基板（1）的表面上配置MIS型FET（20），在基板（1）上配置绝缘膜（5），覆盖MIS型FET（20）。绝缘膜（5）设置有到达MIS型FET（20）的杂质扩散区域（21）的开口（11）和到达栅电极（4）或提取部（19）的开口）的栅电极（4）。开口（11）填充有以铜为主要成分的导电构件（8），并且绝缘膜（5）包括含有硅，氧碳和氢作为主要成分的层。

5. 发明申请

WO2005094151A1 電子機器の空冷の方法及び装置审中-公开
标题翻译：空气冷却电子设备的方法和装置
公开(公告)号：WO2005094151A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/JP2005/005244
申请日：2005-03-23
申请人：日本電気株式会社 , 植木誠
发明人：植木誠
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： H05K7/20181
摘要：　筐体１１の内部に発熱を伴う電気部品１２が収容されており、筐体１１には外部の空気を筐体内部へと吸い込むための吸気口１４と吸気口に付設されたエアフィルタ１５と筐体の内部の空気を外部へと排出するためのファン１３とが設けられている電子機器１０における空冷装置であって、エアフィルタ１５をその面内方向に周波数１００Ｈｚ～１０００Ｈｚ且つ振幅０．１ｍｍ～２ｍｍで振動させる振動装置１７を備える。振動装置１７はエアフィルタ１５を振動させることでエアフィルタに付着した塵埃１６を凝集させる。
摘要翻译：一种空气冷却电子设备的方法和装置。电子设备（10）中的空气冷却装置通过储存在壳体（11）中发热的电气部件（12）而形成，形成用于将外部空气吸入壳体内的进气口（14）壳体（11），并且将空气过滤器（15）装配到进气口;以及风扇（13），用于将壳体中的空气排出到壳体的出口处的外部。该装置还包括振动器（17），振动器（17）以100至1000Hz的频率和0.1至2mm的振幅在面内方向上振动空气过滤器（15）。振动器（17）通过使空气过滤器（15）振动来凝结粘附到空气过滤器上的污物（16）。

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