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1. 发明申请

WO2006131990A1 窒化物半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006131990A1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：PCT/JP2005/010993
申请日：2005-06-09
申请人：住友化学株式会社 , 小野善伸 , 山中貞則 , 秦雅彦
发明人：小野善伸 , 山中貞則 , 秦雅彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/64
摘要： A nitride semiconductor light emitting element and a method for manufacturing such element are provided. The method for manufacturing the nitride semiconductor light emitting element includes steps (a)-(e), which are (a) a step of successively forming a semiconductor layer (i), a light emitting layer and a semiconductor layer (ii) on a single crystal substrate, (b) a step of successively forming a transparent conductive layer and a light reflecting functional layer on the semiconductor layer (ii), (c) a step of forming a heat conductive layer on the light reflecting functional layer, (d) a step of removing the single crystal substrate from the work obtained in the step (c), and (e) a step of forming a transparent conductive layer on the semiconductor layer (i) exposed by removing the single crystal substrate.
摘要翻译：提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。制造氮化物半导体发光元件的方法包括步骤（a） - （e），它们是（a）连续形成半导体层（i），发光层和半导体层（ii）的步骤单晶基板，（b）在半导体层（ii）上依次形成透明导电层和光反射功能层的工序，（c）在光反射功能层上形成导热层的工序，（d ）从步骤（c）中获得的工件中除去单晶衬底的步骤，以及（e）在通过去除单晶衬底而暴露的半导体层（i）上形成透明导电层的步骤。

2. 发明申请

WO2006085670A1 電極及び化合物半導体素子审中-公开
标题翻译：电极和化合物半导体元件
公开(公告)号：WO2006085670A1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/JP2006/302587
申请日：2006-02-08
申请人：住友化学株式会社 , 山中貞則 , 小野善伸 , 本多祥晃
发明人：山中貞則 , 小野善伸 , 本多祥晃
IPC分类号： H01L21/28 , H01L33/00
CPC分类号： H01L29/452 , H01L29/2003 , H01L33/40
摘要：電極及び化合物半導体素子が提供される。電極は(1)及び(2)を含む電極。(1)　ｐ型化合物半導体層上に配置され、平均表面被覆率Ｃが２０～７０％、平均等価円直径Ｒが８～３０ｎｍである金属粒子群、(2)　金属粒子群、及びｐ型化合物半導体層のうち金属粒子群で被覆されていない部分を一体被覆してなる、電気陰性度が１．６以上の金属膜、但し、平均表面被覆率Ｃは金属粒子群が占める面積ＳＭＰとｐ型化合物半導体層の表面全体の面積ＳＰの比（ＳＭＰ／ＳＰ）であり、平均等価円直径Ｒは、各々の金属粒子が占める面積から、円と等価として等価円直径を求め、これらの等価円直径について粒子数が最大となる等価円直径である。化合物半導体素子は前記電極とｐ型化合物半導体層を含む。
摘要翻译：电极和化合物半导体元件。电极包括（1）配置在p型化合物半导体层上的金属粒子群，其平均表面覆盖度C为20〜70％，平均当量圆直径R为8〜30nm，（2）金属膜整体覆盖金属粒子群和未被金属粒子群覆盖并且具有1.6以上的电负性的p型化合物半导体层的部分，其中平均表面覆盖度C为比例（S＆gt; MP＆在金属粒子群的占据面积S MP MP之间和p型化合物半导体的整个表面积S P N P 平均当量圆直径R是等效圆直径，其中从被假定为等于圆的每个金属颗粒的占据面积获得的当量圆直径的粒子数最大化。化合物半导体元件包括电极和p型化合物半导体层。

3. 发明申请

WO2005091384A1 化合物半導体発光素子审中-公开
标题翻译：化合物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2005091384A1
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：PCT/JP2005/004878
申请日：2005-03-14
申请人：住友化学株式会社 , 小野義伸 , 安部寿充 , 山中貞則
发明人：小野義伸 , 安部寿充 , 山中貞則
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01S5/0421 , H01S5/3095 , H01S2301/173
摘要： Disclosed is a compound semiconductor light-emitting device (such as a light-emitting diode or laser diode) having a high luminous efficiency. The compound semiconductor light-emitting device comprises a reduced reflectance layer, an ohmic electrode layer (i), a light-emitting layer and another ohmic electrode layer (ii) sequentially in this order; and the ohmic electrode layer (i) is transparent and conductive.
摘要翻译：公开了具有高发光效率的化合物半导体发光器件（例如发光二极管或激光二极管）。化合物半导体发光装置依次依次包括减反射层，欧姆电极层（i），发光层和另一欧姆电极层（ii）。并且欧姆电极层（i）是透明和导电的。

4. 发明申请

WO2007037504A1 ３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译： 3-5族氮化物半导体的制造方法及发光元件的制造方法
公开(公告)号：WO2007037504A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/319822
申请日：2006-09-27
申请人：住友化学株式会社 , 山中貞則 , 上田和正 , 土田良彦
发明人：山中貞則 , 上田和正 , 土田良彦
IPC分类号： H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/301 , C23C16/01 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0079
摘要：３−５族窒化物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供する。３−５族窒化物半導体の製造方法は工程(i)、(ii)及び(iii)をこの順に含む。発光素子の製造方法は工程(i)、(ii)、(iii)及び(iv)をこの順に含む。(i)基板上に無機粒子を配置する工程、(ii)半導体層を成長させる工程、(iii)基板と半導体層の間に光を照射して基板と半導体層を分離する工程、(iv) 電極を形成する工程。
摘要翻译：提供制造3-5族氮化物半导体的方法和制造发光元件的方法。制造3-5族氮化物半导体的方法依次包括步骤（i），（ii）和（iii）。制造发光器件的方法是步骤（i），包括：（ⅱ），（ⅲ）和（iv）的顺序。（I）将无机粒子在基片上，（ⅱ）生长半导体层的步骤中，在衬底和半导体层分离的工序与光（ⅲ）基片和半导体层期间照射，（ⅳ）形成电极的步骤。

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