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1. 发明申请

WO2008120498A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008120498A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/JP2008/052125
申请日：2008-02-08
申请人：三菱重工業株式会社 , 小林靖之 , 坂井智嗣 , 山口賢剛 , 浅原裕司 , 呉屋真之
发明人：小林靖之 , 坂井智嗣 , 山口賢剛 , 浅原裕司 , 呉屋真之
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/0463 , Y02E10/548
摘要：　低コストでより高い性能を得ることができる光電変換装置及びその製造方法を提供する。積層された少なくとも２層の光電変換層と、前記２層の光電変換層の間に介在し、該２層の光電変換層を電気的及び光学的に接続する中間層９３とを備えた光電変換装置９０が、前記中間層９３の表面にプラズマ耐性保護層９３Ａを有する。
摘要翻译：提供了一种低成本的高性能的光电转换装置以及这种光电转换装置的制造方法。光电转换装置（90）具有至少两个层叠光电转换层和存在于两个光电转换层之间的电气和光学连接两个光电转换层的中间层（93）。光电转换装置还在中间层（93）的表面上设置等离子体保护层（93A）。

2. 发明申请

WO2007114432A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换器装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2007114432A1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/JP2007/057426
申请日：2007-04-03
申请人：三菱重工業株式会社 , 呉屋真之 , 坂井智嗣 , 佐竹宏次
发明人：呉屋真之 , 坂井智嗣 , 佐竹宏次
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/03687 , H01L31/1816 , Y02E10/548
摘要：　微結晶シリコンゲルマニウムを光電変換層に有し、セル特性が向上した光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。基板側不純物添加層と微結晶シリコンゲルマニウムを有するｉ層との間に、微結晶シリコン又は微結晶シリコンゲルマニウムを有し、所定のラマンピーク比を有するバッファ層を設ける。
摘要翻译：在其光电转换层中具有微晶硅锗的光电转换器装置，从而实现电池性能的提高; 及其制造方法。含有微晶硅或微晶硅 - 锗的给定拉曼峰比的缓冲层介于衬底侧杂质掺杂层和含有微晶硅 - 锗的层（i）之间。

3. 发明申请

WO2009119124A1 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：WO2009119124A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/050094
申请日：2009-01-07
申请人：三菱重工業株式会社 , 呉屋真之 , 笹川英四郎 , 真島浩 , 坂井智嗣
发明人：呉屋真之 , 笹川英四郎 , 真島浩 , 坂井智嗣
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：　高変換効率を有し、量産性に優れた大面積光電変換装置を提供する。基板（１）上に結晶質シリコン層を含む光電変換層（３）を形成した光電変換装置（１００）であって、結晶質シリコン層が結晶質シリコンｉ層（４２）を有し、結晶質シリコンｉ層（４２）における非晶質シリコン相のラマンピーク強度に対する結晶質シリコン相のラマンピーク強度の比であるラマンピーク比の平均値が４以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１５％以下で表される基板面内分布を有する。基板（１）の光電変換層（３）を形成した面の大きさが１ｍ角以上であり、結晶質シリコンｉ層（４２）におけるラマンピーク比の平均値が５以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１０％以下で表される基板面内分布を有する光電変換装置（１００）。
摘要翻译：提供了一种具有高转换效率和优异的批量生产效率的大面积光电转换装置。光电转换装置（100）包括含有在基板（1）上形成的结晶硅酮层的光电转换层（3）。光电转换装置（100）在基板中具有如下分布：结晶硅酮层具有晶体硅i层（42）; 晶体硅酮相的拉曼峰强度的拉曼峰值的比值相对于结晶性硅酮i层（42）中的非晶硅相的拉曼峰强度的平均值为4以上，不大于拉曼峰值比的标准偏差不小于1且不大于3; 并且拉曼峰值比不大于4的区域的比率不小于0％且不大于15％。基板（1）中的光电转换层（3）的尺寸不小于1m×1μm。结晶硅氧烷i层（42）中的拉曼峰值比的平均值不小于5且不大于8.拉曼峰值比的标准偏差不小于1且不大于3.比率的拉曼峰值比不大于4的区域不小于0％且不大于10％。

4. 发明申请

WO2010064455A1 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：WO2010064455A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/JP2009/050100
申请日：2009-01-07
申请人：三菱重工業株式会社 , 呉屋真之 , 小林靖之 , 坂井智嗣
发明人：呉屋真之 , 小林靖之 , 坂井智嗣
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1812 , H01L31/046 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要：　高い変換効率を得るためのトリプル型光電変換装置の適切な膜厚構成を提供する。基板（１）上に、透明電極層（２）と、ｐｉｎ接合を有する電池層（９１，９２，９３）を３層積層された光電変換層（３）と、裏面電極層（４）とを備える光電変換装置（１００）であって、光の入射側に設けられた入射部の電池層（９１）が、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の非晶質シリコンｉ層を有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層（９３）が、膜厚が７００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の結晶質シリコンゲルマニウムｉ層を有し、結晶質シリコンゲルマニウムｉ層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対するゲルマニウム原子の割合が１５原子％以上２５原子％以下であり、入射部の電池層（９１）と底部の電池層（９３）との間に設けられた中間部の電池層（９２）が、膜厚が１０００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の結晶質シリコンｉ層を有する。
摘要翻译：提供了用于获得高转换效率的三重光电转换装置的合适的膜厚结构。具体而言，在光电转换装置（100）的基板（1）上，层叠有具有针状接点的三个电池层（91,92,93）的透明电极层（2），光电转换层（3），以及配置有背面电极层（4）。布置在光入射侧的光入射区域的电池层（91）具有厚度为100nm以上但不大于200nm的非晶硅i层。布置在与光入射侧相反的一侧的底部的电池层（93）具有膜厚度为700nm以上且不大于1,600nm的结晶硅锗i层。晶体硅锗层中锗原子与锗原子和硅原子之和的比率为15atm％以上且25atm％以下。布置在光入射部分的电池层（91）和底部的电池层（93）之间的中间部分的电池层（92）具有膜厚度为1000nm以上的晶体硅i层但不超过2000nm。

5. 发明申请

WO2009081713A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置和用于制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2009081713A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/072132
申请日：2008-12-05
申请人：三菱重工業株式会社 , 鶴我薫典 , 山口賢剛 , 呉屋真之 , 坂井智嗣
发明人：鶴我薫典 , 山口賢剛 , 呉屋真之 , 坂井智嗣
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/028 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　開放電圧を増加させることで発電効率を向上させた光電変換装置を提供する。ｐ層（４１）と、ｉ層（４２）と、ｎ層（４３）とが積層された光電変換層（３）を備える光電変換装置（１００）であって、前記ｐ層（４１）が、窒素原子を１％以上２５％以下の原子濃度で含有し、かつ、前記ｐ層（４１）の結晶化率が０以上３未満である窒素含有層とされる。または、前記ｎ層（４３）が、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、前記ｎ層（４３）の結晶化率が０以上３未満である窒素含有層とされる。または、前記ｐ層（４１）と前記ｉ層（４２）との界面に界面層が形成され、該界面層が窒素原子を１％以上３０％以下の原子濃度で含有する窒素含有層とされる。または、前記ｎ層（４３）と前記ｉ層（４２）との界面に界面層が形成され、該界面層が窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有する窒素含有層とされる。
摘要翻译：提供了一种通过增加的开路电压具有改进的发电效率的光电转换装置。光电转换装置是包括由p层（41），i层（42）和n层（43）构成的叠层的光电转换层（3）的光电转换装置（100）。 p层（41）为含氮原子浓度为1％以上且25％以下的含氮层，并且使p层（41）的结晶化率不低于 0以上且n以下。n层（43）为氮原子浓度为1％以上且20％以下的含氮层，并且使n的结晶化率层（43）不小于0且小于3.或者，也可以采用以含有不少于1％且不大于30％的含氮层的界面层的结构的原子浓度为氮原子，设置在p层（41）和i层（42）的界面中，或者其中含有不少于1％的含氮层的界面层在n层的界面中提供了超过20％的原子浓度的氮原子（43）和第i层（42）。

6. 发明申请

WO2008029716A1 製膜条件設定方法、光電変換装置並びにその製造方法、製造装置及び検査方法审中-公开
标题翻译：电影成型条件设定方法，光电转换器及制造方法，制造装置及其检测方法
公开(公告)号：WO2008029716A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2007/066944
申请日：2007-08-30
申请人：三菱重工業株式会社 , 呉屋真之 , 中野要治 , 佐竹宏次
发明人：呉屋真之 , 中野要治 , 佐竹宏次
IPC分类号： H01L31/042 , C23C16/24
CPC分类号： H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/52 , Y02E10/545 , Y02P70/521
摘要：高い変換効率を有する光電変換装置を安定的に製造する。微結晶シリコン層（４）中の基板（１）側のラマンスペクトルにおけるラマンピーク比と、基板（１）と反対側のラマンスペクトルにおけるラマンピーク比とに基づいて、光電変換装置における微結晶シリコン光電変換層（４）の製膜条件を設定する。
摘要翻译：稳定地制造具有高转换效率的光电转换器。具体地，基于基板（1）侧的拉曼光谱的拉曼峰值比和拉曼光谱的拉曼峰值比例，设定光电转换器中的微晶硅光电转换层（4）的成膜条件在微晶硅层（4）中与衬底（1）相对的一侧。

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