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1. 发明申请

WO2009119129A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009119129A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/050178
申请日：2009-01-09
申请人：三菱重工業株式会社 , 坂井智嗣 , 浅原裕司 , 小林靖之 , 森匡史 , 鶴我薫典 , 山下信樹
发明人：坂井智嗣 , 浅原裕司 , 小林靖之 , 森匡史 , 鶴我薫典 , 山下信樹
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/056 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要：　裏面構造の表面形状を最適化することによって、発電層の光吸収特性を向上させた光電変換装置及びその製造方法を提供する。基板（１）上に、基板（１）側から順に、第１透明電極層（２）と、発電層（３）と、第２透明電極層（６）と、裏面電極層（４）とを備える光電変換装置（１００）であって、裏面電極層（４）が銀薄膜を備え、第２透明電極層（６）の裏面電極層（４）側の表面が微細な凹凸形状を有し、表面の投影面積に対する表面積増加率が、１０％以上３２％以下であることを特徴とする。及び、基板（１）上に、基板（１）側から順に、第１透明電極層（２）と、発電層（３）と、第２透明電極層（６）と、裏面電極層（４）とを備える光電変換装置（１００）であって、裏面電極層（４）が銀薄膜を備え、第２透明電極層（６）の裏面電極層（４）側の表面が微細な凹凸形状を有し、第２透明電極層（６）が、針状結晶を有することを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种通过优化后表面结构的表面形状来提高发电层的光吸收特性的光电转换装置及其制造方法。具体公开了一种光电转换装置（100），其中第一透明电极层（2），发电层（3），第二透明电极层（6）和背面电极接头（4）依次布置在从基板（1）侧的基板（1）和背面电极层（4）设置有银薄膜，第二透明电极层（6）的背面电极侧的表面层（4）具有细小的不均匀形状，并且与表面投影面积的表面积增加率为10％以上但不高于32％。还具体公开了一种光电转换装置（100），其中第一透明电极层（2），发电层（3），第二透明电极层（6）和背面电极层（4）依次布置在从基板（1）侧的基板（1）和背面电极层（4）设置有银薄膜，第二透明电极层（6）的背面侧电极层（4）具有微细的凹凸形状，第二透明电极层（6）具有针状晶体。

2. 发明申请

WO2009119125A1 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器
公开(公告)号：WO2009119125A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/050098
申请日：2009-01-07
申请人：三菱重工業株式会社 , 坂井智嗣 , 浅原裕司 , 小林靖之 , 森匡史 , 鶴我薫典 , 山下信樹
发明人：坂井智嗣 , 浅原裕司 , 小林靖之 , 森匡史 , 鶴我薫典 , 山下信樹
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L21/02554 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0687 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要：　透明導電層を最適化することによって、光電変換装置の短絡電流を向上させる。基板（１）上に第１透明電極層（２）と、発電層（３）と、第２透明電極層（６）と、裏面電極層（４）とを備える光電変換装置（１００）であって、前記第２透明電極層（６）の膜厚が８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域における前記第２透明電極層（６）の光吸収率が１．５％以下であることを特徴とする光電変換装置（１００）。及び、前記第２透明電極層（６）の膜厚が８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、前記第２透明電極層（６）及び前記裏面電極層（４）で反射された光の反射率が、波長６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の領域で９１％以上であることを特徴とする光電変換装置（１００）。
摘要翻译：通过优化透明导电层来增强光电转换器的短路电流。光电转换器（100）具有形成在基板（1）上的第一透明电极层（2），发电层（3），第二透明电极层（6）和背面电极层（4）。第二透明电极层（6）的膜厚为80nm以上但不大于100nm，并且第二电极层（6）在600nm以上且不大于1000nm的波长区域的光吸收率 nm为1.5％以下。在光电转换器（100）中，第二透明电极层（6）的膜厚为80nm以上但不大于100nm，第二透明电极层（6）和背面电极层（4）在600nm以上且不大于1000nm的波长区域中具有91％以上的光的反射率。

3. 发明申请

WO2008120498A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008120498A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/JP2008/052125
申请日：2008-02-08
申请人：三菱重工業株式会社 , 小林靖之 , 坂井智嗣 , 山口賢剛 , 浅原裕司 , 呉屋真之
发明人：小林靖之 , 坂井智嗣 , 山口賢剛 , 浅原裕司 , 呉屋真之
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/0463 , Y02E10/548
摘要：　低コストでより高い性能を得ることができる光電変換装置及びその製造方法を提供する。積層された少なくとも２層の光電変換層と、前記２層の光電変換層の間に介在し、該２層の光電変換層を電気的及び光学的に接続する中間層９３とを備えた光電変換装置９０が、前記中間層９３の表面にプラズマ耐性保護層９３Ａを有する。
摘要翻译：提供了一种低成本的高性能的光电转换装置以及这种光电转换装置的制造方法。光电转换装置（90）具有至少两个层叠光电转换层和存在于两个光电转换层之间的电气和光学连接两个光电转换层的中间层（93）。光电转换装置还在中间层（93）的表面上设置等离子体保护层（93A）。

4. 发明申请

WO2010064455A1 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：WO2010064455A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/JP2009/050100
申请日：2009-01-07
申请人：三菱重工業株式会社 , 呉屋真之 , 小林靖之 , 坂井智嗣
发明人：呉屋真之 , 小林靖之 , 坂井智嗣
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1812 , H01L31/046 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要：　高い変換効率を得るためのトリプル型光電変換装置の適切な膜厚構成を提供する。基板（１）上に、透明電極層（２）と、ｐｉｎ接合を有する電池層（９１，９２，９３）を３層積層された光電変換層（３）と、裏面電極層（４）とを備える光電変換装置（１００）であって、光の入射側に設けられた入射部の電池層（９１）が、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の非晶質シリコンｉ層を有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層（９３）が、膜厚が７００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の結晶質シリコンゲルマニウムｉ層を有し、結晶質シリコンゲルマニウムｉ層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対するゲルマニウム原子の割合が１５原子％以上２５原子％以下であり、入射部の電池層（９１）と底部の電池層（９３）との間に設けられた中間部の電池層（９２）が、膜厚が１０００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の結晶質シリコンｉ層を有する。
摘要翻译：提供了用于获得高转换效率的三重光电转换装置的合适的膜厚结构。具体而言，在光电转换装置（100）的基板（1）上，层叠有具有针状接点的三个电池层（91,92,93）的透明电极层（2），光电转换层（3），以及配置有背面电极层（4）。布置在光入射侧的光入射区域的电池层（91）具有厚度为100nm以上但不大于200nm的非晶硅i层。布置在与光入射侧相反的一侧的底部的电池层（93）具有膜厚度为700nm以上且不大于1,600nm的结晶硅锗i层。晶体硅锗层中锗原子与锗原子和硅原子之和的比率为15atm％以上且25atm％以下。布置在光入射部分的电池层（91）和底部的电池层（93）之间的中间部分的电池层（92）具有膜厚度为1000nm以上的晶体硅i层但不超过2000nm。

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