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1. 发明申请

WO2004088734A1 熱処理方法と熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理和热处理设备的方法
公开(公告)号：WO2004088734A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/003152
申请日：2004-03-10
申请人：学校法人関西学院 , 財団法人新産業創造研究機構 , 岩崎電気株式会社 , 浅岡康 , 金子忠昭 , 佐野直克 , 川井博 , 岩崎朋宏 , 山口誠治 , 松本裕之 , 高野俊行
发明人：浅岡康 , 金子忠昭 , 佐野直克 , 川井博 , 岩崎朋宏 , 山口誠治 , 松本裕之 , 高野俊行
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B19/04 , C30B19/06 , C30B19/106 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02625
摘要：本発明は、種結晶となる単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを重ね、密閉容器内に設置して、高温熱処理を行なうことによって、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記多結晶炭化ケイ素基板との間に、熱処理中に極薄金属シリコン融液を介在させ、前記単結晶炭化ケイ素基板上に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長法における熱処理方法における熱処理に適した方法である。前記密閉容器を、予め圧力10 -5 Pa以下の予備加熱室で約800℃以上に加熱するとともに、前記密閉容器内を圧力10 -5 Pa以下に減圧し、予め約1400℃以上2300℃以下の温度範囲内で所定の温度に加熱された圧力10 -2 Pa以下の真空又は所定の減圧された不活性ガス雰囲気の加熱室に移動して設置することで、前記単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを短時間で約1400℃以上2300℃以下の温度範囲内で所定の温度に加熱して微結晶粒界の存在しない、表面のマイクロパイプ欠陥密度が1/cm 2 以下である単結晶炭化ケイ素を製造する。そして、本発明は前記熱処理方法の実施に用いられる熱処理装置である。
摘要翻译：一种适用于在单晶碳化硅的液相外延生长工艺中进行热处理的热处理方法，该方法包括将单晶碳化硅基板作为晶种并且多晶碳化硅基板彼此叠置，在密闭容器中层压，进行高温热处理，并且在热处理期间，在单晶碳化硅基板和多晶碳化硅基板之间插入极薄的金属硅熔体，以实现液相外延生长单晶碳化硅单晶碳化硅基板上。在热处理方法中，将密闭容器在10 -5 Pa或更低压力的预热室中预先加热至约800℃或更高，同时密封容器的内部压力同时降低至10 -5 > Pa以下，并且移动并放置在预热至约1400至2300℃范围内的给定温度的惰性气体气氛的加热室中，并将其压力降低至10 -2 Pa或更低的真空度或给定度，使得单晶碳化硅基板和多晶碳化硅基板在短时间内被加热到给定温度在约1400至2300℃的范围内，从而获得不含微晶晶界的单晶碳化硅表面微管缺陷密度为1 / cm 2以下。此外，提供了一种用于执行热处理方法的热处理装置。

2. 发明申请

WO2003015145A1 イオンビーム微細加工方法审中-公开
标题翻译：使用IONBEAM的MICROMACHINING方法
公开(公告)号：WO2003015145A1
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/JP2002/007999
申请日：2002-08-06
申请人：財団法人新産業創造研究機構 , 金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
发明人：金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： B81C1/00531 , B81C2201/0143 , H01L21/302
摘要： A micromachining method using an ionbeam, characterized in that it comprises injecting an Ga ion controlled to have a predetermined ion beam diameter and ion current density into the surface of a Ga x In 1−x As y P 1−y (0 ≤ x, y ≤ 1) layer, including a GaAs and InP substrate, in a condition wherein an oxide film is formed on its surface or the surface is being irradiated with oxygen molecules, to thereby convert the oxide selectively to Ga 2 O 3 or Ga 2 O or form the gallium oxide, and then subjecting the surface of the Ga x In 1−x As y P 1−y layer to a dry etching on one atomic layer basis by the use of a bromide to remove the above oxide film formed on the surface and the Ga x In 1−x As y P 1−y layer which have not converted to Ga 2 O 3 or Ga 2 O.
摘要翻译：一种使用离子束的微加工方法，其特征在于，其包括将控制的具有预定离子束直径和离子电流密度的Ga离子注入到Ga x Sb 1-x < / sb> As y P 1-y （0≤x，y≤1）层，包括GaAs和InP衬底，在形成氧化物膜的条件下在其表面或表面上被氧分子照射，从而将氧化物选择性地转化为Ga 2 O 3 s 3或Ga 2 S 2 O 3，或形成氧化镓，然后使Ga x Sb 1-x Sb的表面经受1 / sb>层通过使用溴化物去除在表面上形成的上述氧化膜和Ga x Sb 1-x Seb的一个原子层的干法蚀刻。作为尚未转换为Ga sb> O 3 或Ga sb> 2的 y P 1-y 层 0。

3. 发明申请

WO2005012174A1 タンタルの炭化物、タンタルの炭化物の製造方法、タンタルの炭化物配線、タンタルの炭化物電極审中-公开
标题翻译：碳化钨，生产碳酸钡的方法，碳化钨配线和碳酸铅电极
公开(公告)号：WO2005012174A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/011325
申请日：2004-07-30
申请人：財団法人新産業創造研究機構 , 金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
发明人：金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
IPC分类号： C01B31/30
CPC分类号： C23C8/02 , C23C8/20 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
摘要：簡易な方法で、所定の形状のタンタルの炭化物を形成することが可能であり、また、表面にタンタルの炭化物を被覆する場合であっても、均一な厚みのタンタルの炭化物を形成することができるとともに、熱履歴によっても剥離することのないタンタルの炭化物の製造方法及びその製造方法により得られるタンタルの炭化物並びにタンタルの炭化物配線及びタンタルの炭化物電極を提供する。タンタル若しくはタンタル合金を真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa 2 O 5 が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ta 2 O 5 を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面にタンタルの炭化物を形成することを特徴とする。
摘要翻译：公开了以简单的方式形成具有一定形状的碳化钽的方法。即使在制品的表面上形成碳化钽，也能够形成均匀厚度的碳化钽，并且这种碳化钽不会被热历史分离。还公开了通过这种方法获得的碳化钽，碳化钽布线和碳化钽电极。形成碳化钽的方法的特征如下：将钽或钽合金放置在真空热处理炉中，并且在形成于钽表面上的自然氧化膜即Ta 2 O 5的条件下进行热处理钽合金升华; 在除去Ta 2 O 5膜之后，将碳源引入真空热处理炉中，从而在钽或钽合金的表面上形成碳化钽。

4. 发明申请

WO2003054945A1 無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体审中-公开
标题翻译：无机多层耐蚀薄膜方法，半导体器件，量子器件，微电子元器件及方法制作的精细结构
公开(公告)号：WO2003054945A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/JP2002/012919
申请日：2002-12-10
申请人：財団法人新産業創造研究機構 , 金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
发明人：金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0279 , H01L21/3086
摘要： A method for ion beam fine patterning of an inorganic multilayer resist, which comprises forming, on the surface of a semiconductor substrate(X), an inorganic material (Y) layer capable of forming a thermally and chemically stable oxidized film layer preventing the oxidation of the substrate(X) and, forming, on the surface of the inorganic material(Y)layer, an inorganic material (Z) layer capable of forming a thermally unstable natural oxidation film preventing the oxidation of the inorganic material (Y) layer and a forced oxidation film which is weaker than the above (Y) layer but is chemically stable, implanting a metal ion in the presence of a naturally formed oxidized surface film being formed on the surface of the (Z) layer or under the irradiation of molecular oxygen, to thereby selectively substitute a stable forced oxidized film (Z') layer for the above naturally formed oxidized surface film, increasing the amount of the ion implanted, to form a thermally and chemically stable oxidized film (Y') layer on the above (Y) layer through propagation of an O ion from the above naturally oxidized film or the above forced oxidized film (Z') layer and through sputtering of (Z)layer, and then subjecting the surface of the above substrate (X) to a dry etching with good accuracy using a reactive etching gas, to thereby remove the above surface oxidized film exclusive of the part substituted with the above forced oxidized film (Z') layer or the above oxidized film (Y') layer, the (Z) layer, the (Y) layer and a part of the substrate(X).
摘要翻译：一种无机多层抗蚀剂的离子束精细图案化方法，其包括在半导体衬底（X）的表面上形成能够形成热和化学稳定的氧化膜层的无机材料（Y）层，防止氧化基板（X），并且在无机材料（Y）层的表面上形成能够形成防止无机材料（Y）层氧化的热不稳定的自然氧化膜的无机材料（Z）层和强制氧化膜比上述（Y）层弱，但化学稳定，在（Z）层的表面上形成的天然形成的氧化表面膜的存在下或在分子氧的照射下注入金属离子，从而选择性地将稳定的强制氧化膜（Z'）替代为上述天然形成的氧化表面膜，增加离子注入的量，以形成热和化学稳定的通过从上述自然氧化膜或上述强制氧化膜（Z'）层传播O离子并通过溅射（Z）层，在上述（Y）层上氧化膜（Y'）层，然后使用反应性蚀刻气体，将上述基板（X）的表面以良好的精度进行干法蚀刻，从而除去上述被上述被强制氧化膜（Z'）或上述氧化膜（Y'）层，（Z）层，（Y）层和衬底（X）的一部分。

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