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1. 发明申请

WO2004088734A1 熱処理方法と熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理和热处理设备的方法
公开(公告)号：WO2004088734A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/003152
申请日：2004-03-10
申请人：学校法人関西学院 , 財団法人新産業創造研究機構 , 岩崎電気株式会社 , 浅岡康 , 金子忠昭 , 佐野直克 , 川井博 , 岩崎朋宏 , 山口誠治 , 松本裕之 , 高野俊行
发明人：浅岡康 , 金子忠昭 , 佐野直克 , 川井博 , 岩崎朋宏 , 山口誠治 , 松本裕之 , 高野俊行
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： H01L21/67109 , C30B19/04 , C30B19/06 , C30B19/106 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02625
摘要：本発明は、種結晶となる単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを重ね、密閉容器内に設置して、高温熱処理を行なうことによって、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記多結晶炭化ケイ素基板との間に、熱処理中に極薄金属シリコン融液を介在させ、前記単結晶炭化ケイ素基板上に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長法における熱処理方法における熱処理に適した方法である。前記密閉容器を、予め圧力10 -5 Pa以下の予備加熱室で約800℃以上に加熱するとともに、前記密閉容器内を圧力10 -5 Pa以下に減圧し、予め約1400℃以上2300℃以下の温度範囲内で所定の温度に加熱された圧力10 -2 Pa以下の真空又は所定の減圧された不活性ガス雰囲気の加熱室に移動して設置することで、前記単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを短時間で約1400℃以上2300℃以下の温度範囲内で所定の温度に加熱して微結晶粒界の存在しない、表面のマイクロパイプ欠陥密度が1/cm 2 以下である単結晶炭化ケイ素を製造する。そして、本発明は前記熱処理方法の実施に用いられる熱処理装置である。
摘要翻译：一种适用于在单晶碳化硅的液相外延生长工艺中进行热处理的热处理方法，该方法包括将单晶碳化硅基板作为晶种并且多晶碳化硅基板彼此叠置，在密闭容器中层压，进行高温热处理，并且在热处理期间，在单晶碳化硅基板和多晶碳化硅基板之间插入极薄的金属硅熔体，以实现液相外延生长单晶碳化硅单晶碳化硅基板上。在热处理方法中，将密闭容器在10 -5 Pa或更低压力的预热室中预先加热至约800℃或更高，同时密封容器的内部压力同时降低至10 -5 > Pa以下，并且移动并放置在预热至约1400至2300℃范围内的给定温度的惰性气体气氛的加热室中，并将其压力降低至10 -2 Pa或更低的真空度或给定度，使得单晶碳化硅基板和多晶碳化硅基板在短时间内被加热到给定温度在约1400至2300℃的范围内，从而获得不含微晶晶界的单晶碳化硅表面微管缺陷密度为1 / cm 2以下。此外，提供了一种用于执行热处理方法的热处理装置。

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