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1. 发明申请

WO2008114685A1 太陽電池の製造方法および該太陽電池审中-公开
标题翻译：制造太阳能电池和太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2008114685A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/054615
申请日：2008-03-13
申请人：オムロン株式会社 , 藤原直樹 , 松井優貴 , 青山茂 , 船本昭宏
发明人：藤原直樹 , 松井優貴 , 青山茂 , 船本昭宏
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/06 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/035281 , Y02E10/50
摘要：太陽電池１は、基板２と太陽光を吸収するための光吸収層５および光吸収層５の上に積層された各層により構成されている。基板２にはソーダライムガラス３上に金属電極４が形成された基板が用いられており、金属電極４上には凹凸形状が形成されている。光吸収層５は、凹凸形状に沿った形の層が複数形成された構成である。その光吸収層５の上にはバッファ層９が形成され、バッファ層９の形状は金属電極４上の凹凸形状に沿った形状となっている。バッファ層９の上には半絶縁層１０、透明電極層１１、反射防止膜層１２が形成されている。
摘要翻译：公开了一种太阳能电池（1），其由基板（2），用于吸收太阳光的光吸收层（5）和布置在光吸收层（5）上的多个层组成。在基板（2）中，在钠钙玻璃（3）上形成金属电极（4），金属电极（4）具有波纹状表面。光吸收层（5）由多个每个层具有与波纹表面对应的形状。缓冲层（9）形成在光吸收层（5）上，缓冲层（9）也具有与金属电极（4）的波纹状表面对应的形状。在缓冲层（9）上形成半绝缘层（10），透明电极层（11）和抗反射膜层（12）。

2. 发明申请

WO2009011333A1 ＣＩＳ系太陽電池及びその製造方法审中-公开
标题翻译： CIS太阳能电池和制造CIS太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2009011333A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/062695
申请日：2008-07-14
申请人：オムロン株式会社 , 大田盛久 , 小林大造 , 船本昭宏 , 青山茂
发明人：大田盛久 , 小林大造 , 船本昭宏 , 青山茂
IPC分类号： H01L31/04 , C25D1/00
CPC分类号： H01L31/0236 , C25D1/04 , C25D3/562 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：電鋳法によってＮｉとＭｏの合金からなる合金基板３２が形成されている。合金基板３２は厚み方向において合金組成が変化した傾斜組成となっており、下面側はＮｉが主な組成となり、上面側はＭｏが主な組成となっている。また、合金基板３２の上面には、光散乱効果の高いピラミッド状をした多数の微細な凹凸形状３７が形成されている。合金基板３２の上面にはＣＩＳ系の光吸収層３３が形成され、その上方には上部電極３５が設けられる。
摘要翻译：通过电铸形成由Ni和Mo的合金形成的合金基板（32）。合金基板（32）具有在其厚度方向上变化的合金组成的渐变组成。在这种情况下，其下表面侧的合金基板（32）主要由Ni构成，上表面侧的合金基板（32）主要由Mo构成。合金基板（32）的上表面大量的具有高散射效应的棱锥形凹凸（37）。在合金基板（32）的上表面上设置有CIS光吸收层（33），并且设置有上电极（35）在光吸收层（33）的上方。

3. 发明申请

WO2009011338A1 太陽電池审中-公开
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：WO2009011338A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/062707
申请日：2008-07-14
申请人：オムロン株式会社 , 松井優貴 , 船本昭宏 , 青山茂
发明人：松井優貴 , 船本昭宏 , 青山茂
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/06
摘要：障壁層３３と、障壁層３３よりもバンドギャップの小さな井戸層３４とを複数層交互に積層して多重量子井戸層２８を構成する。受光面側とは反対側の端に位置する障壁層３３に隣接させて、障壁層３３よりもバンドギャップが小さく、かつ、井戸層３４よりも厚さの大きな第３の半導体層２７を設ける。多重量子井戸層２８に入射した光は、障壁層３３と井戸層３４においてそれぞれ吸収される。さらに、多重量子井戸層２８を透過した光は、第３の半導体層２７によりさらに吸収される。
摘要翻译：多量子阱层（28）通过交替堆叠多个阻挡层（33）和多个阱层（34）构成，每个阱层具有比阻挡层（33）的带隙小的带隙。具有比阻挡层（33）的带隙小的具有比阱层（34）的厚度大的带隙的第三半导体层（27）邻近位于在与光接收表面相对的一侧的端部。进入多量子阱的光（28）被阻挡层（33）和阱层（34）吸收。此外，通过多量子阱结构（28）的光被第三半导体层（27）进一步吸收。

4. 发明申请

WO2005080862A1 面光源装置审中-公开
标题翻译：表面光源设备
公开(公告)号：WO2005080862A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002622
申请日：2005-02-18
申请人：オムロン株式会社 , 松井優貴 , 船本昭宏 , 青山茂 , 廣田和英 , 篠原正幸
发明人：松井優貴 , 船本昭宏 , 青山茂 , 廣田和英 , 篠原正幸
IPC分类号： F21V8/00
CPC分类号： G02B6/0038 , G02B6/0028 , G02B6/0036
摘要：　導光板２２の光入射面２３に対向させて光源２１を配置する。光源２１から出射された光は、導光板２２内を導光する。導光板２２の下面には凹パターン状の偏向パターン２５が形成されており、偏向パターン２５の光源側を向いた傾斜面である光反射部２５ａと平坦部２８との間に、指向性変換部３０を設ける。指向性変換部３０は、光反射部２５ａに入射する光の指向性を高くする働きをし、それによって光出射面２４から出射される光の指向性を向上させる。指向性変換部３０としては、例えば光反射部２５ａで反射された後に光出射面２４の垂線に対して大きな角度で斜めに出射される光となるものを、光反射部２５ａに対して反射させないようにしたものである。
摘要翻译：光源（21）被放置成面对导光板（22）的光入射表面（23）。从光源（21）发射的光在导光板（22）中被引导。在导光板（22）的下表面形成凹陷偏转图案（25），在光反射部（25a）和平坦部（28）之间设置方向性转换部（30）。光反射部分是偏转图案（25）的倾斜表面并且面向光源侧。指向性转换部（30）增加进入光反射部（25a）的光的方向性，增大从发光面（24）发出的光的方向性。指向性转换部30被构造为不将光反射到光反射部25a，所述光是例如相对于发光面24的法线倾斜发光的光，在光反射面（25a）反射后。

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