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1. 发明申请

WO2006046579A1 不揮発性半導体記憶装置及び相変化メモリ审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件和相变存储器
公开(公告)号：WO2006046579A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/JP2005/019630
申请日：2005-10-25
申请人：エルピーダメモリ株式会社 , 藤幸雄 , 浅野勇 , 川越剛 , 中井潔
发明人：藤幸雄 , 浅野勇 , 川越剛 , 中井潔
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/105
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C2213/78 , H01L27/0207 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要：　相変化メモリ素子を高集積化して十分な書込み電流を確保し、平面レイアウトや動作制御の面において有利な相変化メモリを提供する。　本発明の不揮発性半導体記憶装置は、複数のワード線３と複数のビット線４がマトリクス状に配列され、ワード線３とビット線４の各交点に設けられた選択トランジスタ１と、一端が選択トランジスタ１に共通に接続されるとともに他端がそれぞれ異なる素子選択線５に接続され、情報の書込みと読出しが可能な所定数のメモリ素子２からなるメモリ素子群とを備える。制御対象の選択トランジスタ１を介して、メモリ素子群の中から選択されたメモリ素子２に接続された素子選択線５を経由して所定の電流を供給することにより、選択されたメモリ素子２に対する書込み動作と読出し動作を制御する。そして、半導体基板上では素子選択線５がビット線４と平行に配置されている。
摘要翻译：相变存储器，其中相变存储器元件被高度集成以确保足够的写入电流并且在平面布局和操作控制中提供优点。其中多个字线（3）和多个位线（4）以矩阵形式布置的非易失性半导体存储器件包括设置在字线（3）的每个交叉点处的选择晶体管（1））和位线（4）; 和存储元件组，每个存储元件组包括预定数量的存储器元件（2），它们各自的一端共同连接到选择晶体管（1），并且它们各自的另一端连接到相应的不同元件选择线（5），并且允许写信息和从他们那里读取信息。通过连接到从存储元件组中选择的存储元件（2）的元件选择线（5），经由要被控制的选择晶体管（1）提供预定电流，由此控制写入或读取操作所选存储元件（2）。在半导体衬底上，元件选择线（5）与位线（4）平行布置。

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