专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO03003430A3 FILM OR LAYER MADE OF SEMI-CONDUCTIVE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAID FILM OR LAYER 审中-公开
标题翻译：衬底材料膜或层以及制造膜或层的方法
公开(公告)号：WO03003430A3
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/EP0207125
申请日：2002-06-27
申请人： WACKER SILTRONIC HALBLEITERMAT , MURPHY BRIAN , WAHLICH REINHOLD , SCHMOLKE RUEDIGER , AMMON VON WILFRIED , MORELAND JAMES
发明人： MURPHY BRIAN , WAHLICH REINHOLD , SCHMOLKE RUEDIGER , AMMON VON WILFRIED , MORELAND JAMES
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/76251
摘要： The invention relates to a film or a layer made of semi-conducting material with low defect density in the thin layer, and a SOI-disk with a thin silicon layer exhibiting low surface roughness, defect density and thickness variations. The invention also relates to a method for producing a film or a layer made of semi-conductive material. Said method comprises the following steps: a) producing structures from a semi-conductive material with periodically repeated recesses which have a given geometrical structure, b) thermally treating the surface structured material until a layer with periodically repeated hollow spaces is formed under a closed layer on the surface of the material, c) separating the closed layer on the surface along the layer of hollow spaces from the remainder of the semi-conductive material.
摘要翻译：本发明涉及一种膜或半导体具有在薄层以及与具有低的表面粗糙度，缺陷密度和厚度变化的薄硅层的SOI晶片中的低缺陷密度材料的层。本发明还涉及一种方法zuir生产薄膜或半导体材料，其包括以下步骤的层组成：a）制备包含半导体材料，b）该表面结构材料的热处理的表面上的预定几何形状的周期性重复的凹部的结构的直到包括周期性重复的空腔的层具有沿着空腔从半导体材料的其余部分的层形成的封闭层下方在材料，c）该封闭层的分离表面上的表面。

2. 发明申请

WO2008025475A3 MULTILAYERED SEMICONDUCTOR WAFER AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：多层半导体晶片及其制造方法
公开(公告)号：WO2008025475A3
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/EP2007007391
申请日：2007-08-22
申请人： SILTRONIC AG , MURPHY BRIAN , WAHLICH REINHOLD
发明人： MURPHY BRIAN , WAHLICH REINHOLD
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a process for manufacturing a multilayered semiconductor wafer comprising a handle wafer (5) and a layer (40) comprising silicon carbide bonded to the handle wafer (5), the process comprising the steps of : a) providing a handle wafer (5), b) providing a donor wafer (1) comprising a donor layer (2) and a remainder (3) of the donor wafer, the donor layer (2) comprising monocrystalline silicon, e) bonding the donor layer (2) of the donor wafer (1) to the handle wafer (5), and f ) removing the remainder (3) of the donor wafer in order to expose the donor layer (2) which remains bonded to the handle wafer (5), the process being characterized by further steps of c) implanting carbon ions into the donor layer (2) in order to produce a layer (4) comprising implanted carbon, and d) heat-treating the donor layer (2) comprising the layer (4) comprising implanted carbon in order to form a silicon carbide donor layer (44) in at least part of the donor layer (2). The invention also relates to a multilayered semiconductor wafer comprising a handle wafer (5) and a silicon carbide donor layer (44) which is bonded to the handle wafer (5), wherein the silicon carbide donor layer (44) is free of twins and free of additional silicon carbide polytypes, as determined by X-ray diffraction.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造多层半导体晶片的方法，其包括处理晶片（5）和包含结合到所述处理晶片（5）的碳化硅的层（40），所述方法包括以下步骤：a）提供处理晶片（5），b）提供包括施主晶片的施主层（2）和剩余部分（3）的施主晶片（1），施主层（2）包括单晶硅，e）将施主层（2）以及f）去除施主晶片的剩余部分（3），以便露出与晶片（5）保持接合的施主层（2），所述施主晶片（1）方法的特征在于进一步的步骤，c）将碳离子注入施体层（2）中以便产生包含植入碳的层（4），和d）热处理包含该层（4）的施主层（2）包括植入碳以便在施主层（2）的至少一部分中形成碳化硅施体层（44）。本发明还涉及一种包括处理晶片（5）和结合到处理晶片（5）的碳化硅施体层（44）的多层半导体晶片，其中，碳化硅施体层（44）不含双胞胎和没有额外的碳化硅多型，通过X射线衍射测定。

3. 发明申请

WO2007131635A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE DURCH ÄTZEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备处理半导体晶片通过蚀刻
公开(公告)号：WO2007131635A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/EP2007/003866
申请日：2007-05-02
申请人： SILTRONIC AG , FEIJÓO, Diego , WAHLICH, Reinhold , RIEMENSCHNEIDER, Oliver
发明人： FEIJÓO, Diego , WAHLICH, Reinhold , RIEMENSCHNEIDER, Oliver
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe, umfassend folgende Schritte in der angegebenen Reihenfolge: a) ortsabhängige Messung eines die Halbleiterscheibe charakterisierenden Parameters, um den ortsabhängigen Wert dieses Parameters auf einer gesamten Fläche der Halbleiterscheibe zu ermitteln, b) Aufbringen eines Ätzmediums mit einer Viskosität von 50 mPas bis 2000 mPas auf diese gesamte Fläche der Halbleiterscheibe, c) Ätzbehandlung dieser gesamten Fläche der Halbleiterscheibe durch Einwirkung des Ätzmediums unter gleichzeitiger Belichtung dieser gesamten Fläche, wobei die Abtragsrate der Ätzbehandlung von der Lichtintensität an der Fläche der Halbleiterscheibe abhängig ist, und wobei die Lichtintensität ortsabhängig so vorgegeben wird, dass die Unterschiede in den in Schritt a) gemessenen ortsabhängigen Werten des Parameters durch die ortsabhängige Abtragsrate verringert werden, und d) Entfernung des Ätzmediums von der Fläche der Halbleiterscheibe. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
摘要翻译：本发明提供了一种用于在给定的顺序处理的半导体晶片，其包括以下步骤的方法：确定在半导体晶片的整个表面上的参数的依赖于位置的值，b）将蚀刻介质a）该半导体晶片的参数表征的依赖于位置的测定，为50mPa·s至2000毫帕·秒，以在半导体晶片的该整个表面上的粘度，c）中的蚀刻通过用整个表面的同时曝光蚀刻介质的作用的半导体晶片的整个表面，蚀刻的移除速率是依赖于光强度在半导体晶片的表面上，并且其中，所述光强度是依赖于位置的集合，使得在步骤a测量的值）的参数的依赖于位置的值的差异是由依赖于位置的移除速率降低，和d）从所述PL去除蚀刻介质半导体晶片的即本发明还提供了一种用于根据本发明执行该方法的装置。

4. 发明申请

WO2003003430A2 FILM ODER SCHICHT AUS HALBLEITENDEM MATERIAL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES FILMS ODER DER SCHICHT 审中-公开
标题翻译：膜或半导体材料和工艺的层用于产生膜或层
公开(公告)号：WO2003003430A2
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：PCT/EP2002/007125
申请日：2002-06-27
申请人： WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FÜR HALBLEITERMATERIALIEN AG , MURPHY, Brian , WAHLICH, Reinhold , SCHMOLKE, Rüdiger , AMMON von, Wilfried , MORELAND, James
发明人： MURPHY, Brian , WAHLICH, Reinhold , SCHMOLKE, Rüdiger , AMMON von, Wilfried , MORELAND, James
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3223 , H01L21/76251
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen Film oder eine Schicht aus halbleitendem Material mit einer geringen Defektdichte in der dünnen Schicht sowie auf eine SOI-Scheibe mit einer dünnen Siliciumschicht, die eine geringe Oberflächenrauhigkeit, Defektdichte und Dickenvariation aufweist. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zuir Herstellung eines Films oder einer Schicht aus Halbleitendem Material, das folgende Schritte umfasst: a) Erzeugung von Strukturen aus sich periodisch wiederholenden Vertiefungen vorgegebener Geometrien auf der Oberfläche eines halbleitenden Materials, b) thermische Behandlung des oberflächenstrukturierten Materials, bis sich eine Schicht mit sich periodisch wiederholenden Hohlräumen unter einer geschlossenen Schicht an der Oberfläche des Materials gebildet hat, c) Trennung der geschlossenen Schicht an der Oberfläche entlang der Schicht von Hohlräumen vom Rest des halbleitenden Materials.
摘要翻译：本发明涉及一种膜或半导体具有在薄层以及与具有低的表面粗糙度，缺陷密度和厚度变化的薄硅层的SOI晶片中的低缺陷密度材料的层。本发明还涉及一种方法zuir生产薄膜或半导体材料，其包括以下步骤的层组成：a）制备包含半导体材料，b）该表面结构材料的热处理的表面上的预定几何形状的周期性重复的凹部的结构的直到包括周期性重复的空腔的层具有沿着空腔从半导体材料的其余部分的层形成的封闭层下方在材料，c）该封闭层的分离表面上的表面。

5. 发明申请

WO2008025475A2 MULTILAYERED SEMICONDUCTOR WAFER AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：多层半导体晶圆及其制造工艺
公开(公告)号：WO2008025475A2
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：PCT/EP2007/007391
申请日：2007-08-22
申请人： SILTRONIC AG , MURPHY, Brian , WAHLICH, Reinhold
发明人： MURPHY, Brian , WAHLICH, Reinhold
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a process for manufacturing a multilayered semiconductor wafer comprising a handle wafer (5) and a layer (40) comprising silicon carbide bonded to the handle wafer (5), the process comprising the steps of : a) providing a handle wafer (5), b) providing a donor wafer (1) comprising a donor layer (2) and a remainder (3) of the donor wafer, the donor layer (2) comprising monocrystalline silicon, e) bonding the donor layer (2) of the donor wafer (1) to the handle wafer (5), and f ) removing the remainder (3) of the donor wafer in order to expose the donor layer (2) which remains bonded to the handle wafer (5), the process being characterized by further steps of c) implanting carbon ions into the donor layer (2) in order to produce a layer (4) comprising implanted carbon, and d) heat-treating the donor layer (2) comprising the layer (4) comprising implanted carbon in order to form a silicon carbide donor layer (44) in at least part of the donor layer (2). The invention also relates to a multilayered semiconductor wafer comprising a handle wafer (5) and a silicon carbide donor layer (44) which is bonded to the handle wafer (5), wherein the silicon carbide donor layer (44) is free of twins and free of additional silicon carbide polytypes, as determined by X-ray diffraction.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造多层半导体晶片的方法，所述多层半导体晶片包括处理晶片（5）和包括结合到处理晶片（5）的碳化硅的层（40），所述方法包括步骤 a）提供处理晶片（5），b）提供包括施体晶片的施体层（2）和剩余部分（3）的施主晶片（1），施主层（2）包含单晶硅，e ）将施主晶片（1）的施主层（2）结合到处理晶片（5），以及f）移除施主晶片的剩余部分（3）以暴露保持键合的施主层所述处理晶片（5）的特征在于进一步的步骤c）将碳离子注入所述供体层（2）以产生包含注入的碳的层（4），以及d）热处理所述供体层（ 2），其包括包含注入碳的层（4），以便在施主层的至少一部分中形成碳化硅供体层（44） 2）。本发明还涉及多层半导体晶片，其包括处理晶片（5）和结合到处理晶片（5）的碳化硅供体层（44），其中碳化硅供体层（44）不含孪晶和不含额外的碳化硅多型体，如通过X射线衍射所确定的。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式