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热词
    • 1. 发明申请
    • TRANSISTOR HEMT
    • HEMT晶体管
    • WO2016097576A1
    • 2016-06-23
    • PCT/FR2015/053503
    • 2015-12-15
    • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS -UNIVERSITE LIBANAISE
    • MORANCHO, FrédéricHAMADY, SaleemBEYDOUN, Bilal
    • H01L29/778H01L21/338H01L21/336H01L29/10H01L29/20
    • H01L29/66462H01L29/1054H01L29/1075H01L29/1083H01L29/2003H01L29/778H01L29/7786
    • Structure à hétérojonction, dite aussi hétéro-structure, en matériau semi-conducteur, notamment pour un transistor à grande mobilité d'électrons (HEMT) comprenant un substrat (4), un empilement d'au moins trois couches tampons en un même matériau semi-conducteur à large bande interdite EG1 à base de nitrure de la colonne, dont une première couche tampon (6) non intentionnellement dopée, une deuxième couche tampon (8), une troisième couche tampon (10) non intentionnellement dopée, une couche intermédiaire non intentionnellement dopée (11) et une couche barrière (12) disposée sur la couche intermédiaire (11), ladite couche barrière (12) étant en un matériau semi-conducteur à large bande interdite EG2 à base de nitrure de la colonne III; la deuxième couche tampon (8) présente un dopage de type P+ constant sur tout ou partie de son épaisseur; et la troisième couche tampon (10) présente une première région (16) non intentionnellement dopée sur toute son épaisseur ainsi qu'au moins une deuxième région (18) adjacente à ladite première région avec un dopage N+ entourant la première région (16).
    • 半导体异质结结构,即也称为异质结构,特别是高电子迁移率晶体管(HEMT)的异质结构,包括基板(4)和由宽带隙基于EG1的相同半导体制成的至少三个缓冲层的叠层 在无定形掺杂的第一缓冲层(6),第二缓冲层(8)和无意掺杂的第三缓冲层(10),无意掺杂的中间层(11)和阻挡层(12)上的氮化物上, 放置在中间层(11)上,所述阻挡层(12)基于列III的氮化物由宽带隙EG2的半导体制成; 第二缓冲层(8)通过其厚度的全部或部分具有恒定的p +型掺杂剂浓度; 并且第三缓冲层(10)具有通过其厚度的第一无意义掺杂区域(16)和与所述第一区域相邻的至少一个第二区域(18),其围绕第一区域(16)包围n +掺杂。
    • 3. 发明申请
    • TRANSISTOR HEMT À BASE D'HETEROJONCTION
    • HEMT从一个异常
    • WO2015052456A1
    • 2015-04-16
    • PCT/FR2014/052587
    • 2014-10-10
    • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS -UNIVERSITE LIBANAISE
    • MORANCHO, FrédéricHAMADY, SaleemBEYDOUN, Bilal
    • H01L29/778H01L29/10
    • H01L29/7787H01L29/1029H01L29/2003H01L29/66431H01L29/7783
    • Structure à hétérojonction, dite aussi hétéro-structure, en matériau semi-conducteur, notamment pour un transistor à grande mobilité d'électrons (HEMT) comprenant un substrat, une couche tampon disposée sur le substrat en un matériau semi-conducteur à large bande interdite à base de nitrure de la colonne III, ladite couche tampon (1) étant non-intentionnellement dopée avec des porteurs de type N, une couche barrière, disposée au-dessus de la couche tampon, en un matériau semi-conducteur à large bande interdite Eg2 à base de nitrure de la colonne III, la largeur de bande interdite Eg2 de la couche barrière étant inférieure à la largeur de bande interdite Eg1 de la couche tampon. La structure à hétérojonction comprenant en outre une zone intentionnellement dopée, en un matériau de la colonne III identique au matériau de la couche tampon, dans un plan parallèle au plan du substrat et d'une épaisseur déterminée suivant une direction orthogonale au plan du substrat, ladite zone étant comprise dans la couche tampon.
    • 一种由半导体材料制成的异质结结构,特别是用于包含衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)的异质结结构,设置在由宽带隙半导体材料制成的衬底上的缓冲层 列III族氮化物,所述缓冲层(1)被无意地掺杂有N型载流子,阻挡层设置在缓冲层的顶部,由由III-III族氮化物制成的宽带隙Eg2半导体材料制成, 阻挡层的带隙Eg2的宽度小于缓冲层的带隙Eg1的宽度。 该异质结结构还包括在平行于衬底的平面的平面中由与柱状材料相同的柱III材料制成的有意掺杂的区域,并且具有在垂直于衬底的平面的方向上限定的厚度 衬底,所述区域包括在缓冲层中。