专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2011125043A1 LDMOS -TRANSISTOREN FÜR CMOS - TECHNOLOGIEN SOWIE EIN ZUGEHÖRIGES HERSTELLVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： LDMOS晶体管作为CMOS - 技术和相关生产方法研究
公开(公告)号：WO2011125043A1
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：PCT/IB2011/051505
申请日：2011-04-07
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , UHLIG, Thomas , STEINBECK, Lutz
发明人： UHLIG, Thomas , STEINBECK, Lutz
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L21/823814 , H01L27/092 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/1095 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7835
摘要： In einem Halbleiterbauelement wird ein lateraler Leistungs-Feldeffekttransistor als LDMOS-Transistor, so hergestellt, dass im Zusammenwirken mit einem Grabenisolationsgebiet (12) und einem stark dotierten Feldführungsgebiet (28, 28A) ein verbesserter Potenzialverlauf in einem Drain-Driftgebiet (8) des Transistors erreicht wird. Dazu können in vorteilhaften Ausführungsformen standardmäßige Implantationsprozesse der CMOS-Technologie eingesetzt werden, ohne dass zusätzliche Verfahrensschritte erforderlich sind.
摘要翻译：在半导体器件中，一个横向场效应功率晶体管，被生产为LDMOS晶体管，使得在漏极漂移区与一个严重的隔离区（12）和一个重掺杂场引导区域（28，28A），改进的电势分布连接来实现（8）的晶体管的是。可以在没有任何附加的工艺步骤中使用的CMOS技术的这些标准注入工艺需要在有利实施例。

2. 发明申请

WO2008116875A1 BIPOLARINTEGRATION OHNE ZUSÄTZLICHE MASKENSCHRITTE 审中-公开
标题翻译： BIPOLARINTEGRATION无额外的步骤MASK
公开(公告)号：WO2008116875A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/EP2008/053555
申请日：2008-03-26
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , UHLIG, Thomas , FÜRNHAMMER, Felix , ELLMERS, Christoph
发明人： UHLIG, Thomas , FÜRNHAMMER, Felix , ELLMERS, Christoph
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/06
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0883
摘要： Die Erfindung betrifft ein BiMOS-Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat, bei dem in einem ersten aktiven Gebiet ein MOS-Transistor vom Verarmungstyp mit zusätzlichen, in Tiefenrichtung über das Verarmungsgebiet hinaus in das Body-Dotierungsgebiet reichenden Source- und Drain-Dotierungsgebieten vom ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist, während in einem zweiten aktiven Gebiet (101) ein Bipolartransistor (100) ausgebildet ist, dessen Basis ein Body-Dotierungsgebiet (112) und dessen Kollektor eine tiefe Wanne (110) umfasst, wobei im Body-Dotierungsgebiet ein Emitter-Dotierungsgebiet (114) vom ersten Leitfähigkeitstyp und ein Basisanschluss-Dotierungsgebiet (118) vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sind. Das Halbleiterbauelement ist mit besonders geringem Verfahrensaufwand herstellbar. Denn es verwendet dieselbe Grundstruktur für Dotierungsgebiete im Bipolartransistor, wie sie auch in dem MOS-Transistor desselben Halbleiterbauelements verwendet wird.
摘要翻译：本发明涉及包括半导体基板，其中活性在整个耗尽区的MOS晶体管的第一区也延伸到主体掺杂区域的源和漏的第一导电类型的耗尽型与附加的形成掺杂区一个双极金属氧化物半导体的半导体器件，在深度方向上而形成在第二有源区（101），其中所述基部包括一本体掺杂区（112）和一个深槽（110）的集电极，双极晶体管（100），其中在本体掺杂区的发射极掺杂区（114）第一导电类型和基极端子掺杂区（118）从第二导电型形成。半导体器件可以以特别低的工艺的成本制造。因为它使用用于在双极晶体管掺杂区，因为它是在相同的半导体装置的MOS晶体管也用同样的基本结构。

3. 发明申请

WO2008062048A3 METHODS FOR OPTICALLY DETECTING MULTIPLE ANALYTES IN A LIQUID SAMPLE WITH A COMPRESSIBLE MICROFLUIDIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：用可压缩微流体装置在液体样品中光学检测多种分析物的方法
公开(公告)号：WO2008062048A3
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/EP2007062716
申请日：2007-11-22
申请人： CLONDIAG GMBH , SCHULZ TORSTEN , KAISER THOMAS , UHLIG THOMAS , MOEBIUS KLAUS PETER , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG ALE
发明人： SCHULZ TORSTEN , KAISER THOMAS , UHLIG THOMAS , MOEBIUS KLAUS PETER , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG ALE
IPC分类号： G01N33/543 , B01L3/00
CPC分类号： G01N33/54386 , B01L3/5027 , B01L2300/0636 , B01L2300/0654 , B01L2300/0825 , B01L2400/0406 , B01L2400/0481 , Y10T436/2575
摘要： A method for assaying a sample for each of multiple analytes is described. The method includes contacting an array of spaced-apart test zones with a liquid sample (e.g., whole blood). The test zones are disposed within a channel of a microfluidic device. The channel is defined by at least one flexible wall and a second wall which may or may not be flexible. Each test zone comprising a probe compound specific for a respective target analyte. The microfluidic device is compressed to reduce the thickness of the channel, which is the distance between the inner surfaces of the walls within the channel. The presence of each analyte is determined by optically detecting an interaction at each of multiple test zones for which the distance between the inner surfaces at the corresponding location is reduced. The interaction at each test zone is indicative of the presence in the sample of a target analyte.
摘要翻译：描述了用于分析多种分析物中的每一种的样品的方法。该方法包括使间隔开的测试区域的阵列与液体样品（例如全血）接触。测试区域设置在微流体装置的通道内。通道由至少一个柔性壁和可以是柔性的第二壁限定。每个测试区域包含对各个目标分析物特异的探针化合物。微流体装置被压缩以减小通道的厚度，其是通道内的壁的内表面之间的距离。每个分析物的存在通过光学检测在相应位置处的内表面之间的距离减小的多个测试区域中的每一个处的相互作用来确定。每个测试区域的相互作用表明样品中目标分析物的存在。

4. 发明申请

WO2008116883A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT INTEGRIERTEM HALL-EFFEKT-SENSOR 审中-公开
标题翻译：具有集成霍尔效应传感器半导体部件
公开(公告)号：WO2008116883A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/EP2008/053572
申请日：2008-03-26
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , UHLIG, Thomas , FÜRNHAMMER, Felix , ELLMERS, Christoph
发明人： UHLIG, Thomas , FÜRNHAMMER, Felix , ELLMERS, Christoph
IPC分类号： H01L27/22 , H01L43/06
CPC分类号： H01L27/22 , G01R33/07 , H01L43/065
摘要： Ein Halbleiterbauelement mit einer integrierten Schaltung auf einem Halbleitersubstrat hat in einem ersten aktiven Gebiet einen Hall-Effekt-Sensor und in einem zweiten aktiven Gebiet einen lateralen Hochvolt-MOS-Transistor. Das Halbleiterbauelement der vorliegenden Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Struktur desintegrierten Hall-Effekt-Sensors stark an die Struktur eines Hochvolt-DMOS-Transistors angelehnt ist. Der integrierte Hall-Effekt-Sensor ähnelt in einigen Strukturelementen einem an sich bekannten Hochvolt-DMOS-Transistor mit einer Double-RESURF-Struktur. Die Steuerkontakte des Hall-Effekt-Sensors entsprechen Source- und Drain-Kontakten des Hochvolt-DMOS-Transistors. Das Halbleiterbauelement der vorliegenden Erfindung ermöglicht so eine Vereinfachung der Prozessintegration.
摘要翻译：包括在半导体衬底上的集成电路的半导体器件具有在横向高电压MOS晶体管的第二有源区上的霍尔效应传感器和第一有源区。本发明的半导体装置的特征在于，所述结构解体霍尔效应传感器是非常相似的高电压DMOS晶体管的结构。集成霍尔效应传感器是在一些结构元件到一个已知的高电压DMOS晶体管具有双RESURF结构相似。霍尔效应传感器的控制接触对应于源极和漏极的高电压DMOS晶体管的触点。本发明的半导体装置因此使得该工艺集成的简化。

5. 发明申请

WO2008116880A1 MASKENSPARENDE HERSTELLUNG KOMPLEMENTÄRER LATERALER HOCHVOLTTRANSISTOREN MIT RESURF-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：与表面电场的结构MASK节约生产互补横向电压晶体管
公开(公告)号：WO2008116880A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/EP2008/053565
申请日：2008-03-26
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , ELLMERS, Christoph , UHLIG, Thomas , FÜRNHAMMER, Felix , STOISIEK, Michael , GROSS, Michael
发明人： ELLMERS, Christoph , UHLIG, Thomas , FÜRNHAMMER, Felix , STOISIEK, Michael , GROSS, Michael
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L27/0922
摘要： Verfahren zur Herstellung eines ersten lateralen Hochvolt-MOS-Transistors und eines zweiten, zum ersten komplementären lateralen Hochvolt-MOS-Transistors auf einem Substrat, wobei der erste und zweite laterale Hochvolt-MOS-Transistor jeweils ein Driftgebiet entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps aufweist, mit den Schritten des Bereitstellens eines Substrats eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem ersten aktiven Gebiet für den ersten lateralen Hochvolt-MOS-Transistor und einem zweiten aktiven Gebiet für den zweiten lateralen Hochvolt-MOS-Transistor, und des Herstellens mindestens eines ersten Dotierungsgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps im ersten aktiven Gebiet und andererseits im zweiten aktiven Gebiet eines sich von der Substratoberfläche zum Substratinneren erstreckenden Drain-Extension-Gebiets des ersten Leitfähigkeitstyps, was ein gleichzeitiges Implantieren von Dotierstoff durch jeweilige Maskenöffnungen ein und derselben Maske in das erste und zweite aktive Gebiet umfasst.
摘要翻译：一种用于生产第一侧面高电压MOS晶体管和第二横向到基底，其中，在每种情况下，第一和第二横向高电压MOS晶体管具有相反导电类型的漂移区在第一高电压MOS晶体管的互补性，其包括以下步骤的过程提供具有用于所述第一侧面高电压MOS晶体管的第一有源区和所述第二侧面高电压MOS晶体管的第二有源区域上的第一导电类型的基板，以及在第一有源区建立所述第一导电类型的至少一个第一掺杂区和在从朝向所述第一导电类型的基板内部漏极延伸区域，其中通过各自的掩模开口和相同的掩模到第一和第二有源区UMF同时注入掺杂剂延伸在衬底表面所述第二有源区域另一方面助理。

6. 发明申请

WO2008135564A3 ASSAYS 审中-公开
公开(公告)号：WO2008135564A3
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/EP2008055508
申请日：2008-05-05
申请人： CLONDIAG GMBH , KAISER THOMAS , MOEBIUS KLAUS-PETER , SCHULZ TORSTEN , UHLIG THOMAS , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG ALE , ERMANTRAUT EUGEN , TUCHSCHEERER JENS
发明人： KAISER THOMAS , MOEBIUS KLAUS-PETER , SCHULZ TORSTEN , UHLIG THOMAS , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG ALEXANDER , ERMANTRAUT EUGEN , TUCHSCHEERER JENS
IPC分类号： B01L3/00
CPC分类号： B01L3/50273 , B01L3/502715 , B01L3/502738 , B01L2300/0636 , B01L2300/0816 , B01L2300/123 , B01L2400/0481
摘要： A method for assaying a sample for each of multiple analytes is described. The method includes contacting an array of spaced-apart test zones with a liquid sample (e.g., whole blood). The test zones disposed within a channel of a microfluidic device. The channel is defined by at least one flexible wall and a second wall which may or may not be flexible. Each test zone comprising a probe compound specific for a respective target analyte. The microfluidic device is compressed to reduce the thickness of the channel, which is the distance between the inner surfaces of the walls within the channel. The presence ofeach analyte is determined by optically detecting an interaction at each of multiple test zones for which the distance between the inner surfaces at the corresponding location is reduced. The interaction ateach test zone is indicative of the presence in the sample of a target analyte.
摘要翻译：描述了用于分析多种分析物中的每一种的样品的方法。该方法包括使间隔开的测试区域的阵列与液体样品（例如全血）接触。测试区域设置在微流体装置的通道内。通道由至少一个柔性壁和可以是柔性的第二壁限定。每个测试区域包含对各个目标分析物特异的探针化合物。微流体装置被压缩以减小通道的厚度，其是通道内的壁的内表面之间的距离。每个分析物的存在通过光学检测在相应位置处的内表面之间的距离减小的多个测试区域中的每一个处的相互作用来确定。每个测试区的相互作用表明在样品中存在目标分析物。

7. 发明申请

WO2008135564A2 ASSAYS 审中-公开
公开(公告)号：WO2008135564A2
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/EP2008/055508
申请日：2008-05-05
申请人： CLONDIAG GMBH , KAISER, Thomas , MÖBIUS, Klaus-Peter , SCHULZ, Torsten , UHLIG, Thomas , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG, Alexander , ERMANTRAUT, Eugen , TUCHSCHEERER, Jens
发明人： KAISER, Thomas , MÖBIUS, Klaus-Peter , SCHULZ, Torsten , UHLIG, Thomas , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG, Alexander , ERMANTRAUT, Eugen , TUCHSCHEERER, Jens
CPC分类号： B01L3/50273 , B01L3/502715 , B01L3/502738 , B01L2300/0636 , B01L2300/0816 , B01L2300/123 , B01L2400/0481
摘要： A method for assaying a sample for each of multiple analytes is described. The method includes contacting an array of spaced-apart test zones with a liquid sample (e.g., whole blood). The test zones disposed within a channel of a microfluidic device. The channel is defined by at least one flexible wall and a second wall which may or may not be flexible. Each test zone comprising a probe compound specific for a respective target analyte. The microfluidic device is compressed to reduce the thickness of the channel, which is the distance between the inner surfaces of the walls within the channel. The presence ofeach analyte is determined by optically detecting an interaction at each of multiple test zones for which the distance between the inner surfaces at the corresponding location is reduced. The interaction ateach test zone is indicative of the presence in the sample of a target analyte.
摘要翻译：描述了用于分析多种分析物中的每一种的样品的方法。该方法包括使间隔开的测试区域的阵列与液体样品（例如全血）接触。测试区域设置在微流体装置的通道内。通道由至少一个柔性壁和可以是柔性的第二壁限定。每个测试区域包含对各个目标分析物特异的探针化合物。微流体装置被压缩以减小通道的厚度，其是通道内的壁的内表面之间的距离。每个分析物的存在通过光学检测在相应位置处的内表面之间的距离减小的多个测试区域中的每一个处的相互作用来确定。每个测试区的相互作用表明在样品中存在目标分析物。

8. 发明申请

WO2008116877A1 LATERALER HOCHVOLT-MOS-TRANSISTOR MIT RESURF-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译：与RESURF结构的外侧高压MOS晶体管
公开(公告)号：WO2008116877A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/EP2008/053558
申请日：2008-03-26
申请人： X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG , FÜRNHAMMER, Felix , ELLMERS, Christoph , UHLIG, Thomas , STOISIEK, Michael
发明人： FÜRNHAMMER, Felix , ELLMERS, Christoph , UHLIG, Thomas , STOISIEK, Michael
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/7816 , H01L29/7835
摘要： Zur Erzielung eines verbesserten Kombination eines geringen On-Widerstands bei hoher Durchbruchsspannung hat lateraler Hochvolt-MOS-Transistor eine Vielzahl RESURF-Dotierungsgebiete (132-150) vom ersten Leitfähigkeitstyp im Driftgebiet (108), wobei die RESURF-Dotierungsgebiete von einander sowohl in einer ersten lateralen Richtung (y), die zur Substratoberfläche parallel und zu einer Verbindungslinie von Sourcegebiet zu Draingebiet senkrecht steht, als auch in einer zur Substratoberfläche senkrecht stehenden Tiefenrichtung (z) durch Driftgebiet-Abschnitte (110-130) getrennt sind, derart, dass in den genannten zwei Richtungen jeweils eine alternierende Anordnung von Gebieten des ersten und zweiten Leitfähigkeitstyps vorliegt.
摘要翻译：为了获得在高击穿电压的低导通电阻的改进的组合具有侧面高电压MOS晶体管具有在漂移区（108）的第一导电类型，其中第一个所述RESURF掺杂区彼此都在一个上的多个RESURF掺杂区（132-150）横向方向（y），它是垂直于衬底表面，并平行于在一个方向垂直于衬底表面的深度方向（z）由漂移区域的部分（110-130）的源极区域连接到漏极区域，以及一个行是分开的，使得在所述两个方向分别呈现所述第一及第二导电型的区域的交替布置。

9. 发明申请

WO2008062048A2 ASSAYS 审中-公开
公开(公告)号：WO2008062048A2
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/EP2007/062716
申请日：2007-11-22
申请人： CLONDIAG GMBH , SCHULZ, Torsten , KAISER, Thomas , UHLIG, Thomas , MÖBIUS, Klaus Peter , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG, Alexander
发明人： SCHULZ, Torsten , KAISER, Thomas , UHLIG, Thomas , MÖBIUS, Klaus Peter , VON SCHENK ZU SCHWEINSBERG, Alexander
IPC分类号： G01N33/543 , B01L3/00
CPC分类号： G01N33/54386 , B01L3/5027 , B01L2300/0636 , B01L2300/0654 , B01L2300/0825 , B01L2400/0406 , B01L2400/0481 , Y10T436/2575
摘要： A method for assaying a sample for each of multiple analytes is described. The method includes contacting an array of spaced-apart test zones with a liquid sample (e.g., whole blood). The test zones are disposed within a channel of a microfluidic device. The channel is defined by at least one flexible wall and a second wall which may or may not be flexible. Each test zone comprising a probe compound specific for a respective target analyte. The microfluidic device is compressed to reduce the thickness of the channel, which is the distance between the inner surfaces of the walls within the channel. The presence of each analyte is determined by optically detecting an interaction at each of multiple test zones for which the distance between the inner surfaces at the corresponding location is reduced. The interaction at each test zone is indicative of the presence in the sample of a target analyte.
摘要翻译：描述了用于分析多种分析物中的每一种的样品的方法。该方法包括使间隔开的测试区域的阵列与液体样品（例如全血）接触。测试区域设置在微流体装置的通道内。通道由至少一个柔性壁和可以是柔性的第二壁限定。每个测试区域包含对各个目标分析物特异的探针化合物。微流体装置被压缩以减小通道的厚度，其是通道内的壁的内表面之间的距离。每个分析物的存在通过光学检测在相应位置处的内表面之间的距离减小的多个测试区域中的每一个处的相互作用来确定。每个测试区域的相互作用表明样品中目标分析物的存在。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式