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    • 1. 发明申请
    • LEISTUNGSTRANSISTOR-SCHALTEINRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR FUNKTIONSPRÜFUNG EINER DERARTIGEN LEISTUNGSTRANSISTOR-SCHALTEINRICHTUNG
    • 功率晶体管开关器件和方法用于检查这种权力晶体管开关设备的功能
    • WO2007062979A1
    • 2007-06-07
    • PCT/EP2006/068451
    • 2006-11-14
    • ROBERT BOSCH GMBHVOIGTLAENDER, KlausSTEINLECHNER, SiegbertPLUNTKE, ChristianCHABAUD, AntoineTILS, Valentin
    • VOIGTLAENDER, KlausSTEINLECHNER, SiegbertPLUNTKE, ChristianCHABAUD, AntoineTILS, Valentin
    • H03K17/18
    • H03K17/18H01L27/0629
    • Die Erfindung betrifft eine Leistungstransistor-Schalteinrichtung, die aufweist: einen Leistungstransistor (6, 7) mit einem isolierten Gate (G) und einer ersten und zweiten Leistungselektrode (S,D; E,C), und eine zwischen dem Gate (G) und der zweiten Leistungselektrode (S, E) geschalteten Gate-Widerstandseinrichtung (Rg), wobei die Leistungselektroden über Leistungselektroden-Anschlusskontakte (3s, 3d, 3c, 3e, 3c) an einen Leistungs-Stromkreis mit einer Gleichspannungsquelle (5) und einem Gleichstromverbraucher (4) anschließbar sind, das Gate (G) über einen Gate-Anschlusskontakt (3g) an eine Ansteuereinrichtung (2) anschließbar ist, und die Gate-Widerstandseinrichtung (Rg) in einer gateseitigen Anbindung (k1) an dem Gate (G) und einer zweiten Anbindung (k2) an der zweiten Leistungselektrode (S, E) angeschlossen ist und die gateseitige Anbindung (k1) zwischen dem Gate (G) und dem Gate-Anschlusskontakt (3g) angeordnet ist. Weiterhin sind eine Schaltungsanordnung mit einer derartigen Leistungstransistor-Schalteinrichtung und ein Verfahren zur Funktionsüberprüfung einer derartigen Leistungstransistor-Schalteinrichtung vorgesehen. Erfindungsgemäß kann eine Unterbrechung der Kontaktierung des Gates während des Betriebes mit geringem Aufwand ermittelt werden.
    • 本发明涉及的功率晶体管的开关装置,包括:一个功率晶体管(6,7)具有绝缘栅(G)和第一和第二功率电极(S,D; E,C),和栅极之间(G)和 所述第二功率电极(S,E),其连接在栅极电阻装置(RG),其中所述经由输出电极端子(3S,3D,3C图3e,图3c),以与一个直流电压源(5)和直流负载的电源电路(电源电极4 连接),经由栅极端子(3G)的驱动装置(2)的栅极(G)被连接,并且在栅极侧连接(K1)到栅极(G)和第二栅极电阻器装置(RG) 连接(K2)到第二功率电极(S,E)被连接和栅极(G)和栅极端子(3G)之间的栅极侧连接(K1)被设置。 此外,具有这样的功率晶体管的开关装置和用于这样设置的功率晶体管的开关装置的功能测试的方法的电路装置。 根据本发明,可确定门的操作过程中的接触很少的努力的中断。
    • 2. 发明申请
    • HALL-SENSORELEMENT UND VERFAHREN ZUR MESSUNG EINES MAGNETFELDS
    • 霍尔传感器元件和方法用于测量磁场
    • WO2011000601A1
    • 2011-01-06
    • PCT/EP2010/055904
    • 2010-04-30
    • ROBERT BOSCH GMBHHELLWIG, WolfgangTILS, ValentinEBERHARDT, FriedemannRUEBENACKE, Stefan
    • HELLWIG, WolfgangTILS, ValentinEBERHARDT, FriedemannRUEBENACKE, Stefan
    • G01R33/07H01L43/04H01L43/06H01L43/14
    • G01R33/07G01R33/075H01L43/065
    • Die vorliegende Erfindung schafft ein Hall-Sensorelement mit einem Substrat, das eine Hauptoberfläche aufweist, mit einem elektrisch leitfähigen aktiven Gebiet, das sich von der Hauptoberfläche in das Substrat erstreckt, und mit einer elektrisch leitfähigen ersten vergrabenen Schicht im Substrat, die das aktive Gebiet an einer ersten unteren Kontaktfläche kontaktiert. Unter einem weiteren Gesichtspunkt schafft die Erfindung ein Verfahren zur Messung eines Magnetfeldes mittels eines derartigen Hall-Sensorelements, bei dem ein elektrischer Messstromes zwischen einer ersten oberen Kontaktelektrode an der Hauptoberfläche und der ersten unteren Kontaktfläche durch das aktive Gebiet geleitet wird. Am aktiven Gebiet wird entlang einer Strecke, die geneigt zu einer Verbindungslinie zwischen der ersten unteren Kontaktfläche und der ersten oberen Kontaktelektrode verläuft, eine Hall-Spannung abgegriffen. Alternativ wird ein Messstrom über eine solche Strecke durch das aktive Gebiet geleitet und eine Hall-Spannung zwischen der ersten oberen Kontaktelektrode und der ersten unteren Kontaktfläche abgegriffen.
    • 本发明提供了一种霍尔传感器元件,其包括具有与从主表面延伸到衬底的导电有源区的主表面和在所述衬底具有导电的第一掩埋层的衬底,所述有源区 由第一下接触表面接触。 在另一个方面,本发明提供由这样的霍尔传感器元件,其中,第一上接触电极的主表面上,并通过有源区域中的第一下接触表面之间的电测量电流被传导的装置测量磁场的方法。 在有源区上,一个霍尔电压沿着倾斜于所述第一下接触表面和所述第一上接触电极之间的连接线的路径测量。 可替换地,感测电流通过有源区经过这样的距离和攻丝的第一上接触电极和第一下接触表面之间的霍尔电压。