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    • 4. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM BILDEN EINES GRABENS IN EINER MIKROSTRUKTUR
    • 制法沟渠所述的微结构
    • WO2006063885A1
    • 2006-06-22
    • PCT/EP2005/055298
    • 2005-10-17
    • ROBERT BOSCH GMBHFISCHER, FrankBAUMANN, HelmutMETZGER, LarsDUENN, ChristophSCHMITZ, VolkerULBRICH, Nicolaus
    • FISCHER, FrankBAUMANN, HelmutMETZGER, LarsDUENN, ChristophSCHMITZ, VolkerULBRICH, Nicolaus
    • B81B3/00
    • B81C1/00626B81B2203/033B81C1/00063B81C2201/014
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden eines Grabens definierter Breite in einer Mikrostruktur auf einem Substrat, mit folgenden Schritten: a) Aufbringen einer Opferschicht (6) auf das Substrat (1) zumindest im Bereich des zu bildenden Grabens; b) Aufbringen einer Hilfsschicht (7); c) Vorsehen eines Durchlasses im Bereich des zu bildenden Grabens durch die Hilfsschicht (7); d) Aufbringen einer Strukturschicht (11), in der die Mikrostruktur ausgebildet werden soll; e) Einbringen eines Begrenzungsgrabens (12) in die Strukturschicht (11), der die seitliche Begrenzung des zu bildenden Grabens definiert, wobei der Begrenzungsgraben (12) einen Block aus der Strukturschicht (11) definiert, wobei die Tiefe des Begrenzungsgrabens (12) im wesentlichen zumindest bis zur Hilfsschicht reicht; f) Aufbringen einer Schutzschicht (13) auf eine Seitenwand und eine Oberfläche des Blocks der Strukturschicht (11), so dass der Block der Strukturschicht (11) von der äußeren Umgebung vollständig durch die Schutzschicht (13) getrennt ist; g) Ausführen eines Ätzverfahrens, das selektiv durch den Begrenzungsgraben (12) die Hilfsschicht (7) und die Opferschicht (6) entfernt und das, nachdem die Opferschicht (6) im Bereich des Durchlasses (9a, 9b) entfernt worden ist, durch den Durchlass (9a, 9b) in der Hilfsschicht (7) den Block aus der Strukturschicht (11) entfernt, so dass lediglich die Schutzschicht (13) stehen bleibt; h) Entfernen der Schutzschicht (13), so dass der Graben gebildet wird.
    • 本发明涉及一种用于在一个基片上的微结构形成沟槽限定的宽度的方法,包括以下步骤:a)(6)在衬底上沉积牺牲层(1)至少在与形成沟槽的区域; b)将辅助层(7); c)提供一个通道,该区域的形成通过辅助层(7)的沟槽; d)将结构层(11),其中的微观结构将被形成; E)将限定的横向边界形成沟槽,其中所述限制沟槽(12)限定所述结构层(11),其中所述边界的深度的一个块中的限位槽(12)(在结构层11)的沟槽(12) 基本上至少到该辅助层的范围; F)施加在侧壁的保护层(13)和所述结构层(11)的所述块的表面上,以便从完全与外部环境的结构层(11)的块(通过保护层13)分开; 克)由限制槽12)进行蚀刻工艺选择性地(除去,辅助层(7)和所述牺牲层(6),并且,在所述通道(9a的区域中的牺牲层(6)之后,9B)已被除去 通路(9A,9B)在辅助层(7)的结构层的块(11)被去除残留,使得仅在保护层(13); 1H)去除保护层(13),从而形成所述沟槽。