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1. 发明申请

WO2005103760A1 MATERIAU SCINTILLATEUR A BASE DE TERRE RARE A BRUIT DE FOND NUCLEAIRE REDUIT 审中-公开
标题翻译：基于稀土的扫描材料与减少核的背景
公开(公告)号：WO2005103760A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/FR2005/050231
申请日：2005-04-12
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS , ILTIS, Alain
发明人： ILTIS, Alain
IPC分类号： G01T1/202
CPC分类号： C30B11/00 , C30B15/00 , C30B29/12
摘要： L'invention concerne un matériau scintillateur inorganique de formule A n Ln p X( 3p+n ) dans laquelle Ln représente une ou plusieurs terre rare(s), X représente un ou plusieur(s) atome(s) d'halogène choisi parmi F,Cl, Br ou I, et A représente un ou plusieurs alcalin(s) comme K, Li, Na, Rb ou Cs, n et p représentant des valeurs telles que n, pouvant être nul, est inférieur où égal à 2p , et que p est supérieur ou égal à 1, sa teneur en éléments fils de l'Uranium et du Thorium étant suffisamment faible pour que l'activité issue du rayonnement alpha de ces éléments soit inférieure à 0,7 Bq/cc. Ce matériau présente un très faible bruit de fond nucléaire et est particulièrement adapté comme scintillateur de détecteur pour des mesures d'épaisseur ou de grammage, dans les domaines de la médecine nucléaire, de la physique, de la chimie, de la recherche pétrolière, la détection de matières dangereuses ou illicites.
摘要翻译：本发明涉及具有式AnLnpX（3p + n）的无机闪烁体材料，其中Ln表示一或多个稀土，X表示选自F，Cl，Br或I中的一个或卤原子，A表示一个或几个碱性物质如K，Li，Na，Rb或Cs，n和p表示可以为零的n低于或等于2p的值，p大于或等于1 其中铀和钍纱中的含量足够低，使得所述元素的α辐射产生的活性小于0.7Bq / cc。该材料具有非常低的核背景，并且特别适合用作检测器的闪烁体，以便测量核医学，物理，化学，探索和危险或非法物质的检测中的厚度或物质。

2. 发明申请

WO2004050792A1 PREPARATION DE BLOCS D'HALOGENURE DE TERRE RARE 审中-公开
标题翻译：制备稀土块的方法
公开(公告)号：WO2004050792A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/FR2003/003356
申请日：2003-11-13
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS , ILTIS, Alain
发明人： ILTIS, Alain
IPC分类号： C09K11/00
CPC分类号： C04B35/653 , C04B35/5152 , C04B2235/3201 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/444 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C09K11/7704 , C09K11/7772 , C30B11/00 , C30B29/12
摘要： L'invention concerne un procédé de préparation d'un bloc polycristallin d'halogénure de formule A e Ln f X(3 f + e ) dans laquelle Ln représente une ou plusieurs terre rare(s), X représente un ou plusieur(s) atome(s) d'halogène choisi parmi CI, Br ou I, et A représente un ou plusieurs alcalin(s) comme K, Li, Na, Rb ou Cs, e pouvant être nul, étant inférieur où égal à 3f, et f étant supérieur ou égal à 1, à faible teneur en eau et oxyhalogénure, comprenant une étape de chauffage d'un mélange d'une part d'au moins un composé comprenant au moins une liaison LnX et d'autre part d'une quantité suffisante de NH 4 X pour l'obtention du taux souhaité d'oxyhalogénure, ladite étape menant à une masse fondue comprenant l'halogénure de terre rare ladite étape de chauffage étant suivie d'une étape de refroidissement, l' étape de chauffage, après avoir atteint 300°C ne redescendant jamais en dessous de 200°C avant l'obtention de la masse fondue. Les blocs ainsi réalisés permettent la croissance de monocristaux très purs aux propriétés de scintillation remarquables.
摘要翻译：本发明涉及一种制备式AeLnfX（3f + e）的多晶卤化物嵌段的方法，其中：Ln表示一种或多种稀土; X表示选自Cl，Br或I中的一个或多个卤素原子; A表示一种或多种碱，例如K，Li，Na，Rb或Cs; e可能为零，不超过3f，f不小于1，水和卤氧化物含量低。所述方法包括以下步骤：加热含有至少一种Ln-X键和足量NH 4 X的至少一种化合物的混合物以获得所需的卤氧化物含量，所述步骤产生包含稀土卤化物的熔体，所述加热然后进行冷却步骤，在达到300℃之前，加热步骤在熔体获得之前不会降至200℃以下。所得到的嵌段使得能够生长具有显着的闪烁特性的非常纯的单晶。

3. 发明申请

WO2003106741A3 PROCEDE DE MANIPULATION D'UN CHLORURE OU BROMURE OU IODURE DE TERRE RARE DANS UN CREUSET COMPRENANT DU CARBONE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003106741A3
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/FR2003/001735
申请日：2003-06-11
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS , ILTIS, Alain , OUSPENSKI, Vladimir
发明人： ILTIS, Alain , OUSPENSKI, Vladimir
IPC分类号： C30B11/00
摘要： L'invention concerne la manipulation d'une composition comprenant un halogénure de terre rare, notamment dans le cadre de la croissance de cristaux à partir de ladite composition, lesdits cristaux étant généralement de formule A e Ln f X (3f+e) dans laquelle Ln représente une ou plusieurs terre rare(s), X représente un ou plusieur(s) atome(s) d'halogène choisi parmi CI, Br ou I, et A représente un ou plusieurs alcalin(s) comme K, Li, Na, Rb ou Cs, e et f représentant des valeurs telles que e, pouvant être nul, est inférieur où égal à 2f et f est supérieur ou égal à 1. On peut de la sorte procéder à la croissance de monocristaux présentant des propriétés de scintillation remarquables.

4. 发明申请

WO2022058677A1 MATERIAU SCINTILLATEUR COMPRENANT UNE PEROVSKITE D'HALOGENURE DOPEE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022058677A1
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：PCT/FR2021/051575
申请日：2021-09-14
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS , CENTRE NATIONALE DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DE CHIMIE DE PARIS
发明人： OUSPENSKI, Vladimir , PAUPORTE, Thierry , VIANA, Bruno
IPC分类号： C09K11/66 , C09K11/74
摘要： Matériau scintillateur pour détecteur de radiations ionisantes comprenant une pérovskite d'halogénure, ladite pérovskite répondant à l'une des formulations suivantes : - (A')2(A)n-1[MnX3n+1] avec n un nombre entier positif compris entre 1 et 100, bornes incluses, ou - (A')(A)p-1[MpX3p+1] avec p un nombre entier positif compris entre 1 et 100, bornes incluses, ou - (A')2(A)m [MmX3m+2], avec m un nombre entier positif compris entre 1 et 100, bornes incluses ou - (A')2(A)q-1[MqX3q+3], avec q un nombre entier positif compris entre 1 et 100, bornes incluses; où A et A' sont des cations organiques, M est un métal choisi parmi Pb, Bi, Ge ou Sn, X est un halogène ou un mélange d'halogènes choisi(s) parmi Cl, Br, I, et dans lequel ladite pérovskite comprend en outre au moins un élément activateur N de la scintillation.

5. 发明申请

WO2013078136A4 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING 审中-公开
公开(公告)号：WO2013078136A4
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/US2012/065886
申请日：2012-11-19
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS
发明人： FAURIE, Jean-Pierre , BEAUMONT, Bernard
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00
摘要： A method of forming a semiconductor substrate including forming a base layer of a Group 13-15 material on a growth substrate during a growth process, forming a mask having mask regions and gap regions overlying the base layer during the growth process, and preferentially removing a portion of the base layer underlying the mask during the growth process.

6. 发明申请

WO2011080468A2 SCINTILLATEUR EN HALOGENURE DE TERRE RARE CRISTALLIN A FACE SENSIBLE POLIE 审中-公开
标题翻译：具有抛光反应面的稀土卤化物的晶体扫描仪
公开(公告)号：WO2011080468A2
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/FR2010/052875
申请日：2010-12-22
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS , GAUTIER, Guillaume , RICHAUD, Dominique , CHAMPEAUX, Patrick
发明人： GAUTIER, Guillaume , RICHAUD, Dominique , CHAMPEAUX, Patrick
IPC分类号： G01T1/202 , C01F17/00 , G01T1/20
CPC分类号： G01T1/202
摘要： L'invention concerne un matériau scintillateur monochstallin comprenant au moins 50 % en masse d'halogénure de terre rare et comprenant une première face polie. Ce matériau est intégré à un détecteur de radiations ionisantes comprenant un photorécepteur, le photorécepteur étant couplé optiquement au matériau par une face différente de la première face polie. Le matériau offre une bonne résolution en énergie et une forte intensité de lumière. Le polissage peut être réalisé quelle que soit l'orientation cristalline du cristal. La perte de matière due à cette orientation est donc supprimée.
摘要翻译：本发明涉及包含至少50质量％的稀土卤化物和第一抛光面的单晶闪烁体材料。所述材料被结合到电离辐射检测器中，该电离辐射检测器包括光接收器，该光接收器通过不同于第一抛光面的面光学耦合到材料。该材料提供了良好的能量分辨率和强光强度。无论晶体的晶体取向如何，都可进行抛光。因此取消了由于取向而导致的材料损失。

7. 发明申请

WO2015197947A1 MATERIAU LUMINESCENT A COUCHE PHOTONIQUE TEXTUREE 审中-公开
标题翻译：带有纹理光电层的发光材料
公开(公告)号：WO2015197947A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/FR2015/051605
申请日：2015-06-17
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS
发明人： LE ROY, Sébastien , MIMOUN, Emmanuel
IPC分类号： G21K4/00 , G01T1/00
CPC分类号： F21V9/30 , G01T1/2002 , G01T1/2006 , G01T1/2023 , G21K4/00
摘要： L'invention concerne un matériau luminescent comprenant une face revêtue d'une couche texturée, la texture de ladite couche comprenant des motifs identiques répartis uniformément sur ladite face, ladite couche réduisant l'angle du cône d'extraction de la lumière émise par ledit matériau luminescent et passant par ladite face. Le matériau luminescent peut être du type scintillateur ou du type convertisseur d'onde.
摘要翻译：本发明涉及一种发光材料，其包括涂覆有织构化层的面，所述层的纹理包括以均匀方式分布在所述面上的相同图案，所述层减小由所述发光材料发射的光的提取锥的角度，穿过脸。发光材料可以是闪烁体材料或波长转换材料。

8. 发明申请

WO2013144709A2 METHOD OF FORMING A FREESTANDING SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
标题翻译：形成半导体晶体管的方法
公开(公告)号：WO2013144709A2
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/IB2013/000565
申请日：2013-03-29
申请人： SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS
发明人： FAURIE, Jean-Pierre , BEAUMONT, Bernard
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02016 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02617 , H01L21/02664
摘要： A method of forming a freestanding semiconductor wafer includes providing a semiconductor substrate including a semiconductor layer having a back surface and an upper surface opposite the back surface, wherein the semiconductor layer comprises at least one permanent defect between the upper surface and back surface, removing a portion of the back surface of the semiconductor layer and the permanent defect from the semiconductor layer, and forming a portion of the upper surface after removing a portion of the back surface and the permanent defect.
摘要翻译：形成独立半导体晶片的方法包括提供包括具有背面和与背面相对的上表面的半导体层的半导体衬底，其中半导体层在上表面和背表面之间包括至少一个永久性缺陷，半导体层的后表面的一部分和来自半导体层的永久缺陷，以及在去除一部分背面和永久缺陷之后形成上表面的一部分。

9. 发明申请

WO2013041251A4 SCINTILLATION COMPOUND INCLUDING A RARE EARTH ELEMENT AND A PROCESS OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：包括稀土元素的闪烁化合物及其制备方法
公开(公告)号：WO2013041251A4
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/EP2012059055
申请日：2012-05-15
申请人： SAINT GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS , BLAHUTA SAMUEL , OUSPENSKI VLADIMIR
发明人： BLAHUTA SAMUEL , OUSPENSKI VLADIMIR
IPC分类号： C09K11/85 , C09K11/61
CPC分类号： C09K11/7772 , C04B35/5152 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/9646 , C09K11/772 , C09K11/7733 , C09K11/7773 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B29/12
摘要： A scintillation compound, other than a rare earth silicate, can include a rare earth element that is in a divalent (RE2+), trivalent (RE3+) or a tetravalent state (RE4+). The scintillation compound can include another element to allow for better change balance. The other element may be a principal constituent of the scintillation compound or may be a dopant or a co-dopant. In an embodiment, a metal element in a trivalent state (M3+) may be replaced by RE4+ and a metal element in a divalent state (M2+). In another embodiment, M3+ may be replaced by RE2+ and M4+. In a further embodiment, M2+ may be replaced by a RE3+ and a metal element in a monovalent state (M1+). The metal element used for electronic charge balance may have a single valance state, rather than a plurality of valence states, to help reduce the likelihood that the valance state would change during formation of the scintillation compound.
摘要翻译：除稀土硅酸盐以外的闪烁化合物可以包括处于二价（RE 2+），三价（RE 3+）或四价状态（RE 4+）的稀土元素。闪烁化合物可以包括另一种元素以允许更好的变化平衡。其他元素可以是闪烁化合物的主要成分，或者可以是掺杂剂或共掺杂剂。在一个实施方式中，三价状态（M3 +）的金属元素可以被RE4 +和二价状态（M2 +）的金属元素置换。在另一个实施例中，M3 +可以被RE2 +和M4 +代替。在另一个实施方案中，M2 +可以被RE3 +和单价状态（M1 +）的金属元素代替。用于电子电荷平衡的金属元素可以具有单一价态而不是多个价态，以帮助降低在形成闪烁化合物期间价态会发生改变的可能性。

10. 发明申请

WO2013049578A4 GROUP III-V SUBSTRATE MATERIAL WITH PARTICULAR CRYSTALLOGRAPHIC FEATURES AND METHODS OF MAKING 审中-公开
公开(公告)号：WO2013049578A4
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/US2012057931
申请日：2012-09-28
申请人： SAINT GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS
发明人： FAURIE JEAN-PIERRE , BEAUMONT BERNARD
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/3245 , C30B29/403 , C30B29/607 , C30B33/00 , H01L21/02002 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01S5/0206 , H01S5/3202 , H01S5/32341
摘要： A substrate including a body comprising a Group III-V material and having an upper surface, the body comprising an offcut angle defined between the upper surface and a crystallographic reference plane, and the body further having an offcut angle variation of not greater than about 0.6 degrees.

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