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1. 发明申请

WO2014015899A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法和装置永久性粘结WAFERS
公开(公告)号：WO2014015899A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/EP2012/064545
申请日：2012-07-24
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20
CPC分类号： B32B38/10 , B32B37/0046 , H01J37/32036 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32339 , H01J37/32532 , H01J37/32798 , H01J2237/334 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche eines ersten Substrats mit einer zweiten Kontaktfläche eines zweiten Substrats, wobei das zweite Substrat zumindest eine Reaktionsschicht aufweist, mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: Aufnahme der Substrate zwischen eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, oder innerhalb einer Spule, und Ausbildung eines Reservoirs in einer Reservoirbildungsschicht an der ersten Kontaktfläche durch Beaufschlagung der ersten Kontaktfläche mit einem mittels kapazitiver Kopplung der Elektroden erzeugten Plasma, wobei an der ersten Elektrode während der Plasmaerzeugung eine von einer zweiten Frequenz der zweiten Elektrode unterschiedliche erste Frequenz angelegt wird, oder mittels induktiver Kopplung einer Spule erzeugten Plasma, wobei am ersten Generator während der Plasmaerzeugung eine von einer zweiten Frequenz des zweiten Generators unterschiedliche erste Frequenz erzeugt wird. Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung.
摘要翻译：本发明涉及粘结与第二衬底的第二接触表面的第一衬底的第一接触表面的方法，所述的第二基板的至少一个反应层，包括以下步骤，特别是下列序列：接收第一电极和第二电极之间的基底或线圈内，并且形成在第一接触表面上的贮存器形成层的储的通过与由电极等离子体的电容性耦合的装置产生的信号施加在第一接触表面，其中在等离子体生成期间从所述第二电极的第二频率的第一不同的第一电极频率被施加，或其中从所述第二发生器的第一频率的第二频率的不同是由等离子体生成期间在所述第一发生器产生的等离子体的电感耦合线圈的方法产生的。本发明还涉及一种相应的装置。

2. 发明申请

WO2012100786A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS
公开(公告)号：WO2012100786A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/EP2011/000299
申请日：2011-01-25
申请人： EV GROUP E. THALLNER GmbH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.
摘要翻译：本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个第一接触表面（3）上的表面层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组，储存器 - 第一接触表面接触（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个预键合连接， - 在形成第一和第二接触表面（3,4），至少部分地由所述第二反应物的第二基板（7）包含有在反应层中的第一反应物的反应增强之间的永久粘结的。

3. 发明申请

WO2012136267A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS
公开(公告)号：WO2012136267A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2011/055470
申请日：2011-04-08
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27444 , H01L2224/278 , H01L2224/29188 , H01L2224/32145 , H01L2224/8309 , H01L2224/83896 , H01L2924/01013 , H01L2924/10252 , H01L2924/1032 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10331 , H01L2924/10332 , H01L2924/10333 , H01L2924/10334 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10346 , H01L2924/1082 , H01L2924/10821 , H01L2924/10823 , H01L2924/20106
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), wobei die Oberflächenschicht (6) zumindest überwiegend aus einem nativen Oxidmaterial besteht, - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten. - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.
摘要翻译：本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个第一接触表面（3），其中，所述表面层（6）至少主要由天然氧化物材料，对表面层（6） - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器。 - 第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4）接触，以形成键预连接， - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的（3，4），至少部分地由与第一反应物的反应增强第二反应物的第二基底的在反应层中的（7）中含有。

4. 发明申请

WO2012136266A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS
公开(公告)号：WO2012136266A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2011/055469
申请日：2011-04-08
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Dünnen des zweiten Substrats (2) und - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in der Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats (2) enthaltenen zweiten Edukt.
摘要翻译：本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面的方法（4）的第二基板（2），其特征在于，具有至少一个反应层（7）的第二基板（2），具有步骤，特别是以下序列： - 形成的贮存器（5）在所述第一接触表面（3）上的贮存器形成层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器， - 联系第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个键预连接， - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的（3，4），至少部分地 - （2），并且减薄所述第二基板通过与在第二基板（2）的反应层（7）的第一反应物的反应增强包含在所述第二反应物。

5. 发明申请

WO2012136268A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS
公开(公告)号：WO2012136268A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/EP2011/055471
申请日：2011-04-08
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/20 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , H01L21/76251
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung mindestens eines Reservoirs (5, 5') in mindestens einer Reservoirbildungs Schicht (6, 6') an dem ersten Substrat (1) und/oder dem zweiten Substrat (2), wobei das Reservoir (5, 5') zumindest überwiegend aus einem amorphen Material besteht, - zumindest teilweises Auffüllen des/der Reservoirs (5, 5') mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Ausbildung oder Aufbringung einer ein zweites Edukt oder eine zweite Gruppe von Edukten enthaltenden Reaktionsschicht (17) auf das Reservoir (5) und/oder das Reservoir (5'), - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts oder der ersten Gruppe mit dem zweiten Edukt oder der zweiten Gruppe.
摘要翻译：本发明涉及一种接合第一接触表面的第一衬底（1），具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤，特别是下列序列的（3）的方法，包括： - 形成至少一个储存器（5,5 “）在至少一个储存教育层（6，6”在第一基板（1）和/或上述第二基板（2），其中，所述储存器（5,5“）包括至少主要由非晶材料上）， - 至少部分的具有第一反应物或起始材料的第一组，该储存器（5,5“）的/填充 - 第二反应物的形成或应用程序或从离析物在贮存含反应层（17）的第二组（5）和/或储器（5“） - 第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4）接触，以形成键预连接， - 所述第一和第二接触表面之间形成永久键的（3， 4）由所述第一反应物或与所述第二反应物或所述第二组中的第一组的反应至少部分地加强。

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