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    • 4. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN
    • 方法永久性粘结WAFERS
    • WO2012136266A1
    • 2012-10-11
    • PCT/EP2011/055469
    • 2011-04-08
    • EV GROUP E. THALLNER GMBHPLACH, ThomasHINGERL, KurtWIMPLINGER, MarkusFLÖTGEN, Christoph
    • PLACH, ThomasHINGERL, KurtWIMPLINGER, MarkusFLÖTGEN, Christoph
    • H01L21/20H01L21/762
    • H01L25/50H01L21/2007H01L21/3105H01L21/76251H01L2924/0002H01L2924/00
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Dünnen des zweiten Substrats (2) und - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in der Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats (2) enthaltenen zweiten Edukt.
    • 本发明涉及粘合的第一接触表面(3)的第一基板(1)具有第二接触表面的方法(4)的第二基板(2),其特征在于,具有至少一个反应层(7)的第二基板(2),具有 步骤,特别是以下序列: - 形成的贮存器(5)在所述第一接触表面(3)上的贮存器形成层(6), - 至少部分地填充(5)具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器, - 联系 第一接触表面(3)与所述第二接触表面(4),以形成一个键预连接, - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的(3,4),至少部分地 - (2),并且减薄所述第二基板 通过与在第二基板(2)的反应层(7)的第一反应物的反应增强包含在所述第二反应物。
    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN
    • 方法永久性粘结WAFERS
    • WO2012136268A1
    • 2012-10-11
    • PCT/EP2011/055471
    • 2011-04-08
    • EV GROUP E. THALLNER GMBHPLACH, ThomasHINGERL, KurtWIMPLINGER, MarkusFLÖTGEN, Christoph
    • PLACH, ThomasHINGERL, KurtWIMPLINGER, MarkusFLÖTGEN, Christoph
    • H01L21/20H01L21/762
    • H01L21/20H01L21/2007H01L21/3105H01L21/76251
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung mindestens eines Reservoirs (5, 5') in mindestens einer Reservoirbildungs Schicht (6, 6') an dem ersten Substrat (1) und/oder dem zweiten Substrat (2), wobei das Reservoir (5, 5') zumindest überwiegend aus einem amorphen Material besteht, - zumindest teilweises Auffüllen des/der Reservoirs (5, 5') mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Ausbildung oder Aufbringung einer ein zweites Edukt oder eine zweite Gruppe von Edukten enthaltenden Reaktionsschicht (17) auf das Reservoir (5) und/oder das Reservoir (5'), - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts oder der ersten Gruppe mit dem zweiten Edukt oder der zweiten Gruppe.
    • 本发明涉及一种接合第一接触表面的第一衬底(1),具有第二接触表面(4)的第二基板(2)包括以下步骤,特别是下列序列的(3)的方法,包括: - 形成至少一个储存器(5,5 “)在至少一个储存教育层(6,6”在第一基板(1)和/或上述第二基板(2),其中,所述储存器(5,5“)包括至少主要由非晶材料上), - 至少部分 的具有第一反应物或起始材料的第一组,该储存器(5,5“)的/填充 - 第二反应物的形成或应用程序或从离析物在贮存含反应层(17)的第二组(5)和/或 储器(5“) - 第一接触表面(3)与所述第二接触表面(4)接触,以形成键预连接, - 所述第一和第二接触表面之间形成永久键的(3, 4)由所述第一反应物或与所述第二反应物或所述第二组中的第一组的反应至少部分地加强。