基本信息:
- 专利标题： VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN
- 专利标题（英）：Method for permanently bonding wafers
- 专利标题（中）：方法永久性粘结WAFERS
- 申请号：PCT/EP2011/055469 申请日：2011-04-08
- 公开(公告)号：WO2012136266A1 公开(公告)日：2012-10-11
- 发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
- 申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH , PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
- 申请人地址： 1, DI Erich Thallner Straße A-4782 St. Florian am Inn AT
- 专利权人： EV GROUP E. THALLNER GMBH,PLACH, Thomas,HINGERL, Kurt,WIMPLINGER, Markus,FLÖTGEN, Christoph
- 当前专利权人： EV GROUP E. THALLNER GMBH,PLACH, Thomas,HINGERL, Kurt,WIMPLINGER, Markus,FLÖTGEN, Christoph
- 当前专利权人地址： 1, DI Erich Thallner Straße A-4782 St. Florian am Inn AT
- 代理机构： BECKER & MÜLLER et al.
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/762
摘要：
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Dünnen des zweiten Substrats (2) und - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in der Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats (2) enthaltenen zweiten Edukt.
摘要（中）：
本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面的方法（4）的第二基板（2），其特征在于，具有至少一个反应层（7）的第二基板（2），具有 步骤，特别是以下序列： - 形成的贮存器（5）在所述第一接触表面（3）上的贮存器形成层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器， - 联系 第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个键预连接， - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的（3，4），至少部分地 - （2），并且减薄所述第二基板 通过与在第二基板（2）的反应层（7）的第一反应物的反应增强包含在所述第二反应物。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |