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    • 4. 发明申请
    • VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM VORBEHANDELN UND BESCHICHTEN VON KÖRPERN
    • DEVICE AND METHOD FOR预处理和包覆体
    • WO2009132822A2
    • 2009-11-05
    • PCT/EP2009/003082
    • 2009-04-28
    • CEMECON AGCREMER, RainerMAY, Walter
    • CREMER, RainerMAY, Walter
    • H01J37/34C23C14/35C23C14/34
    • H01J37/3408C23C14/14C23C14/352H01J37/3444H01J37/3467H01J37/3473
    • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Vorbehandeln und Beschichten von Körpern durch Magnetronzerstäuben. In einer Vakuumkammer mit metallischer Kammerwandung (26) sind Magnetrons mit Sputter-Targets angeordnet, von denen mindestens eines ein HPPMS-Magnetron ist, dem elektrische Pulse zugeführt werden, indem ein Kapazitätselement (6) durch ein Schaltelement (5) mit dem Sputter-Target des HPPMS-Magnetron verbunden wird. Um eine effektive Vorbehandlung und Beschichtung von Substraten zu ermöglichen, ist gemäß einem ersten Aspekt vorgesehen, dass das Schaltelement an der Kammerwandung angeordnet ist. Gemäß einem zweiten Aspekt ist ein Elektrodenpaar vorgesehen, von dem eine erste Elektrode ein HPPMS-Magnetron (1) ist und die erste und die zweite Elektrode so angeordnet sind, dass ein an einem Substrattisch (4) aufgenommener Körper (11) zwischen den aktiven Flächen des Elektrodenpaares angeordnet ist oder durch den Zwischenraum der aktiven Flächen des Elektrodenpaares bewegt wird. Als dritter Aspekt ist ein Verfahren vorgesehen, bei dem in einem Ätzschritt eine negative Bias-Spannung an dem Körper angelegt wird und der Körper durch Beschuss mit Metallionen geätzt wird und anschließend die Bias-Spannung kontinuierlich abgesenkt wird, so dass von den Sputter-Targets abgesputtertes Material zu einem Schichtaufbau auf dem Körper führt.
    • 本发明涉及一种装置和用于处理前和涂层制品通过磁控溅射的方法。 在真空室中与磁控管的金属室壁(26)被布置成与溅射靶,其中之一是至少一种HPPMS磁控管,通过电容元件(6)由开关元件(5)与所述溅射靶供给到电脉冲 HPPMS磁控管连接。 为了允许有效的预处理和底物的涂层,在第一方面中提供,所述开关元件被布置在所述腔室壁上。 根据第二个方面,提供一对电极,其中第一电极是HPPMS磁控管(1)和所述第一和第二电极被布置为使得所述有源区之间的一个衬底台(4)记录体(11) 所述一对电极被布置或由电极对的有源表面之间的空间中移动。 作为第三方面,其中提供了一种方法,在蚀刻步骤中,负的偏置电压施加到所述主体和所述主体由轰击用金属离子进行蚀刻,然后将偏置电压被连续地降低,使得从溅射靶溅射 材料对身体导致形成分层结构。