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1. 发明申请

WO2013056967A3 RADIATION-EMITTING COMPONENT 审中-公开
标题翻译：辐射分量
公开(公告)号：WO2013056967A3
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/EP2012069134
申请日：2012-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WOJCIK ANDREAS , MARIC JOSIP , HAUSHALTER MARTIN , MOELLMER FRANK
发明人： WOJCIK ANDREAS , MARIC JOSIP , HAUSHALTER MARTIN , MOELLMER FRANK
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/042
CPC分类号： H01S5/02236 , H01L2924/0002 , H01S5/02228 , H01S5/02244 , H01S5/02296 , H01S5/0428 , H01L2924/00
摘要： A radiation-emitting component is specified, having a metallic carrier body (1) which comprises at least two connection locations (1a, 1b) for making electrical contact with the component, a laser diode chip (2) which is fixed to the metallic carrier body (1) and is electrically conductively connected to the at least two connection locations (1a, 1b), a housing (3) which surrounds the metallic carrier body (1) in places, wherein the housing (3) is made of plastics, the connection locations (1a, 1b) extend in each case at least in places along a bottom face (3a) and a side face (3b) of the housing (3), said side face running transversely with respect to the bottom face, and the component is surface-mountable by means of the connection locations (1a, 1b) in such a way that the bottom face (3a) or the side face (3b) forms a mounting face of the component. A transistor (5) and capacitors (6) can also be mounted on the carrier body (1) to drive the laser diode chip (2).
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的器件，它具有金属支撑体（1），所述至少两个连接点（1A，1B），用于该装置中，激光二极管芯片的电接触（2），其被固定到所述金属支撑体（1）和与所述至少两个连接点（1A，1B）被导电地连接到外壳（3）围绕所述金属支撑体（1）的地方，其特征在于，所述壳体（3）与塑料形成时，连接点（1A，1B）分别具有至少局部沿底表面（3a）和一个横向延伸到所述底表面侧面（3b）的所述壳体（3），并且该装置通过连接点的装置（1A，1B）是表面安装，使得所述底表面（3a）或所述侧表面（3b）的构成部件的安装表面。在承载体（1）仍然可以连接到晶体管（5）和电容器（6），用于驱动激光二极管芯片（2）进一步。

2. 发明申请

WO2013056967A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射分量
公开(公告)号：WO2013056967A2
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/069134
申请日：2012-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WOJCIK, Andreas , MARIC, Josip , HAUSHALTER, Martin , MÖLLMER, Frank
发明人： WOJCIK, Andreas , MARIC, Josip , HAUSHALTER, Martin , MÖLLMER, Frank
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02236 , H01L2924/0002 , H01S5/02228 , H01S5/02244 , H01S5/02296 , H01S5/0428 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben, mit einem metallischen Trägerkörper (1), der zumindest zwei Anschlussstellen (1a, 1b) zur elektrischen Kontaktierung des Bauelements umfasst, einem Laserdiodenchip (2), der am metallischen Trägerkörper (1) befestigt ist und mit den zumindest zwei Anschlussstellen (1a, 1b) elektrisch leitend verbunden ist, einem Gehäuse (3), das den metallischen Trägerkörper (1) stellenweise umgibt, wobei das Gehäuse (3) mit einem Kunststoff gebildet ist, sich die Anschlussstellen (1a, 1b) jeweils zumindest stellenweise entlang einer Bodenfläche (3a) und einer zur Bodenfläche quer verlaufenden Seitenfläche (3b) des Gehäuses (3) erstrecken, und das Bauelement mittels der Anschlussstellen (1a, 1b) oberflächenmontierbar ist, derart, dass die Bodenfläche (3a) oder die Seitenfläche (3b) eine Montagefläche des Bauelements ausbildet.
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的器件，它具有金属支撑体（1），所述至少两个连接点（1A，1B），用于该装置中，激光二极管芯片的电接触（2），其被固定到所述金属支撑体（1）和与所述至少两个连接点（1A，1B）被导电地连接到外壳（3）围绕所述金属支撑体（1）的地方，其特征在于，所述壳体（3）与塑料形成时，连接点（1A，1B）分别具有至少沿着底表面（3a）和一个横向延伸到所述底表面侧面局部地（3b）的所述壳体（3），并通过连接点的装置该装置的（1A，1B）是表面上，使得所述底表面（3a）或侧面（ 3b）的构成部件的安装表面。

3. 发明申请

WO2004062051A1 LASERDIODENBARREN MIT PARALLEL GESCHALTETER DIODE ZUR ELEKTRISCHEN ÜBERBRÜCKUNG DES LASERDIODENBARRENS IM FEHLERFALL 审中-公开
标题翻译：与并联二极管BARS开关二极管，电力弥合激光二极管锭ON ERROR
公开(公告)号：WO2004062051A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/DE2003/003683
申请日：2003-11-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EBERHARD, Franz , HERRMANN, Gerhard , MARIC, Josip , SCHWIND, Michael , BEHRINGER, Martin , BEHRES, Alexander
发明人： EBERHARD, Franz , HERRMANN, Gerhard , MARIC, Josip , SCHWIND, Michael , BEHRINGER, Martin , BEHRES, Alexander
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0261 , H01S5/0216 , H01S5/02272 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/06825 , H01S5/4025
摘要： Es wird ein Laserdiodenbauelement mit einem Wörmesenke (3) und einem Kontakt (6) und mit einem Laserdiodenbarren (1) angegeben, an dem im Betrieb eine bestimmte Betriebsspannung anliegt und dem ein Überbrückungselement (2) parallelgeschaltet ist, das sich bei Anliegen der bestimmten Betriebsspannung am zugehörigen Laserdiodenbarren in einem stromsperrenden Zustand befindet und das in einen stromleitenden Zustand umschaltet, sobald der Spannungsabfall am Laserdiodenbarren die Betriebsspannung um einen vorgegebenen Spannungswert überschreitet. Weiterhin wird eine Schaltungsanordnung mit einer Mehrzahl von solchen Laserdiodenbauelementen angegeben, die in Reihe geschaltet sind.
摘要翻译：提供了一种激光二极管组件与Wörmesenke（3）和一个触点（6）和激光二极管条（1），抵接于操作一个给定的工作电压和一个桥接件（2）并联连接，即所确定的工作电压的施加是在相关联的激光二极管条断电状态和在电流导通状态，只要在整个激光二极管条的电压降超过一个预定电压值的工作电压的开关。此外，具有多个这样的激光二极管的电路结构是串联连接的指定的组件。

4. 发明申请

WO2007036192A1 HOCHFREQUENZ-MODULIERTER OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：高频调制面发光半导体激光器
公开(公告)号：WO2007036192A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001570
申请日：2006-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÜHNELT, Michael , MARIC, Josip , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： KÜHNELT, Michael , MARIC, Josip , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/14 , H01S5/04 , H01S5/06 , H01S5/026
CPC分类号： H01S5/041 , H01S3/109 , H01S5/024 , H01S5/02423 , H01S5/026 , H01S5/0608 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/4025
摘要： Bei einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit einem Halbleiterchip (1), einem ersten Resonatorspiegel (4) und mindestens einem weiteren Resonatorspiegel (8), der außerhalb des Halbleiterchips (1) angeordnet ist und mit dem ersten Resonatorspiegel (4) einen Laserresonator mit einer Resonatorlänge L ausbildet, und einem Pumplaser (10), der zum optischen Pumpen des Halbleiterlasers (1) Pumpstrahlung (14) mit einer Pumpleistung in den Halbleiterchip (1) einstrahlt, ist die Pumpleistung mit einer Modulationsfrequenz f P moduliert und die Resonatorlänge L an die Modulationsfrequenz f P angepasst.
摘要翻译：在表面发射半导体激光器包括一半导体芯片（1），第一谐振器反射镜（4）和至少一个另外的谐振器镜（8），其设置在半导体芯片外部（1）和所述第一谐振器反射镜（4）形成具有谐振器长度L的激光谐振器和泵激光器（10）（1）泵激辐射（14），其具有在半导体芯片（1）照射到半导体激光器的光泵浦的泵功率，与调制频率f _{泵浦功率P 被调制和谐振器长度L为调制频率f _{P 调整。}}

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