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1. 发明申请

WO2011085715A3 METHOD FOR CREATING A TWO-STAGE DOPING IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法培训两级掺杂在半导体衬底
公开(公告)号：WO2011085715A3
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/DE2011000013
申请日：2011-01-11
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , MUENZER ADOLF , KELLER STEFFEN
发明人： TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , MUENZER ADOLF , KELLER STEFFEN
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for creating a two-stage doping in a semiconductor substrate (80), wherein in a doping area (89) to be provided with the two-stage doping (90, 92), dopant is diffused into the semiconductor substrate (80) by means of heavy diffusion (10) and in this way a high surface concentration of dopant is created, and after the heavy diffusion (10) the semiconductor substrate (80) is locally heated (12) in areas (91) of the two-stage doping (90, 92) to be doped more heavily and an oxide layer (88) is created (16) on the doping area (89).
摘要翻译：成由强扩散来提供形成在半导体衬底（80）的两级掺杂，其中，在所述两级掺杂（90，92）中的一个的方法，杂质区（89）（10）在所述半导体衬底（80）的掺杂剂被扩散，并在这时，形成高表面浓度掺杂剂，强扩散（10）之后在两级掺杂（90，92）在半导体衬底（80）的更强烈的掺杂区域（91）被局部加热（12），并且在杂质区域（89）形成氧化物层（88）（16）。

2. 发明申请

WO2010052565A3 METHOD FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL WITH A TWO-STAGE DOPING 审中-公开
标题翻译：用于制造具有两级放电的太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2010052565A3
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/IB2009007380
申请日：2009-11-09
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , ESTURO-BRETON AINHOA , GEIGER MATTHIAS , KELLER STEFFEN , SCHLOSSER REINHOLD , VOYER CATHARINE , MAIER JOHANNES , BRESELGE MARTIN , MUENZER ADOLF , FRIESS TOBIAS , KUEHN TINO
发明人： ESTURO-BRETON AINHOA , GEIGER MATTHIAS , KELLER STEFFEN , SCHLOSSER REINHOLD , VOYER CATHARINE , MAIER JOHANNES , BRESELGE MARTIN , MUENZER ADOLF , FRIESS TOBIAS , KUEHN TINO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/022425 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Method for manufacturing a solar cell with a two-stage doping (88, 89) including the following method steps of forming (14, 48) an oxide layer (82), which can be penetrated by a first dopant, on at least one part of the surface of a solar cell substrate (80), of forming (16; 50) an opening in the oxide layer (82) in at least one high-doping region (88) by removing (16; 50) the oxide layer (82) in this high-doping region (88), of diffusing (28) the first dopant into the at least one high- doping region (88) of the solar cell substrate (80) through the opening and of diffusing (28) the first dopant into the solar cell substrate (80) through the oxide layer (82), wherein the diffusing-in (28) through the openings and through the oxide layer (82) takes place at the same time in a common diffusion step and the solar cell substrate (80) is diffused (28) in the common diffusion step (28) in an at least partially hydrophilic state.
摘要翻译：一种用于制造具有两级掺杂（88,89）的太阳能电池的方法，包括以下方法步骤：在至少一个部分上形成（14,48）可被第一掺杂剂渗透的氧化物层（82）通过去除（16; 50）氧化物层（16; 50）在至少一个高掺杂区域（88）中在氧化物层（82）中形成（16; 50）开口的太阳能电池基板（80）的表面; 82）在该高掺杂区域（88）中通过开口将第一掺杂剂扩散（28）至太阳能电池基板（80）的至少一个高掺杂区域（88）并扩散（28）第一掺杂剂通过氧化物层（82）进入太阳能电池基板（80），其中通过开口和通过氧化物层（82）的扩散（28）在公共扩散步骤中同时进行，并且太阳能电池基板（80）在共同扩散步骤（28）中以至少部分亲水状态扩散（28）。

3. 发明申请

WO2012022329A2 VERFAHREN ZUR LOKALEN ENTFERNUNG EINER OBERFLÄCHENSCHICHT SOWIE SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：用于局部去除表面层和太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2012022329A2
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/DE2011/075152
申请日：2011-06-28
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , KÜHN, Tino , TEPPE, Andreas , FRIESS, Tobias , ESTURO-BRETON, Ainhoa , KELLER, Steffen
发明人： KÜHN, Tino , TEPPE, Andreas , FRIESS, Tobias , ESTURO-BRETON, Ainhoa , KELLER, Steffen
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L29/34 , H01L21/268 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Verfahren zur lokalen Entfernung einer Oberflächenschicht (36), die auf einer Textur (30) eines texturierten Substrats aufgebracht ist, wobei die Textur (30) eine Vielzahl von Strukturelementen (32) mit Strukturspitzen (34) und/oder Strukturkanten aufweist, aufweisend die Schritte des lokalen Bestrahlungs der Textur (30) durch die Oberflächenschicht (36) hindurch mittels einer die Oberflächenschicht (36) zumindest partiell durchdringenden und von der Textur (30) zumindest partiell absorbierten Laserstrahlung, deren Intensität so eingestellt ist, dass die Textur (30) mittels der Laserstrahlung lokal angeschmolzen und nachfolgend rekristallisiert wird (16), wobei die Oberflächenschicht (36) im Bereich der Strukturspitzen (34) und/oder der Strukturkanten lokal so geöffnet wird, dass die Öffnungen nach der lokalen Bestrahlung der Textur (30) um die Strukturspitzen (34) und/oder die Strukturkanten herum von zusammenhängenden nicht geöffneten Bereichen der Oberflächenschicht (36) vollständig umgeben sind, und des Entfernens (18) der rekristallisierten Bereiche (38) der Textur (30) in einem Ätzschritt mittels eines Ätzmediums, wobei die Oberflächenschicht (36) abseits der rekristallisierten Bereiche (38) als Ätzmaskierung gegenüber dem Ätzmedium verwendet wird, sowie Solarzelle (70).
摘要翻译：
涂覆有纹理一种用于局部移除形成于织构化衬底的织构（30）的表面BEAR chenschicht（36）的过程（30）包括多个结构元件（32），其具有结构的提示（34 ）和/或具有结构的边缘，包括通过所述表面BEAR chenschicht（36）由所述表面BEAR chenschicht（36来传递纹理（30）的局部照射的步骤：a）至少部分地穿透和（纹理30）至少部分地吸收激光辐射的以这样的方式被设置t是该纹理（30）通过激光辐射来局部熔化，然后重结晶（16），其中所述表面BEAR;在结构顶部的区域中，其强度与AUML chenschicht（36）（34）和/或所述结构的边缘局部地所以打开在结构尖端（34）和/或结构边缘周围的纹理（30）的局部照射之后的开口不通过相干的结构表面层（36）的开口区域被完全包围，并且借助于清洁介质在一个步骤中去除（18）纹理（30）的再结晶区域（38），表面层（36）从再结晶区域（38）用作蚀刻剂介质上方的蚀刻掩模以及太阳能电池（70）。

4. 发明申请

WO2011085715A2 VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG EINER ZWEISTUFIGEN DOTIERUNG IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：方法培训两级掺杂在半导体衬底
公开(公告)号：WO2011085715A2
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/DE2011/000013
申请日：2011-01-11
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , TEPPE, Andreas , GEIGER, Matthias , SCHLOSSER, Reinhold , ISENBERG, Jörg , KÜHN, Tino , MÜNZER, Adolf , KELLER, Steffen
发明人： TEPPE, Andreas , GEIGER, Matthias , SCHLOSSER, Reinhold , ISENBERG, Jörg , KÜHN, Tino , MÜNZER, Adolf , KELLER, Steffen
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Verfahren zur Ausbildung einer zweistufigen Dotierung in einem Halbleitersubstrat (80), bei welchem in einen mit der zweistufigen Dotierung (90, 92) zu versehenden Dotierungsbereich (89) mittels einer starken Diffusion (10) Dotierstoff in das Halbleitersubstrat (80) eindiffundiert und in dieser Weise eine hohe Oberflächenkonzentration an Dotierstoff ausgebildet wird, nach der starken Diffusion (10) in stärker zu dotierenden Bereichen (91) der zweistufigen Dotierung (90, 92) das Halbleitersubstrat (80) lokal erhitzt wird (12) und auf dem Dotierungsbereich (89) eine Oxidschicht (88) ausgebildet wird (16).
摘要翻译：成由强扩散来提供形成在半导体衬底（80）的两级掺杂，其中，在所述两级掺杂（90，92）中的一个的方法，杂质区（89）（10）在所述半导体衬底（80）的掺杂剂被扩散，并在这时，形成高表面浓度掺杂剂，强扩散（10）之后在两级掺杂（90，92）在半导体衬底（80）的更强烈的掺杂区域（91）被局部加热（12），并且在杂质区域（89）形成氧化物层（88）（16）。

5. 发明申请

WO2010052541A3 OXIDATION AND CLEANING PROCESS FOR SILICON WAFERS 审中-公开
标题翻译：硅晶片的氧化和清洗工艺
公开(公告)号：WO2010052541A3
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/IB2009007310
申请日：2009-11-04
申请人： CT THERM PHOTOVOLTAICS TECHNOL , ESTURO-BRETON AINHOA , KELLER STEFFEN
发明人： ESTURO-BRETON AINHOA , KELLER STEFFEN
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02052
摘要： Oxidation and cleaning process for silicon wafers, in which the silicon wafers are provided with a silicon oxide layer on at least part of their surface (12; 24), before they are etched in an alkaline etching solution (14;, 26) and they are etched in a solution (16) which contains an acid which oxidises metallic impurities, whereby at least a portion of the silicon oxide layer is exposed unprotected to the etching solution and the acid, and in which the silicon wafers are rinsed in deionised water after the etching processes (18), whereby the at least one unprotected portion of the silicon oxide layer is at least partly left on the silicon wafers and the silicon wafers are dried (20) after rinsing (18; 32).
摘要翻译：硅晶片的氧化和清洁过程，其中硅晶片在它们在碱性蚀刻溶液（14; 26）中蚀刻之前在其表面的至少一部分上提供有氧化硅层（12; 24），并且它们在含有氧化金属杂质的酸的溶液（16）中被蚀刻，由此至少一部分氧化硅层未被保护地暴露于蚀刻溶液和酸，并且其中硅晶片在去离子水中被冲洗蚀刻工艺（18），由此氧化硅层的至少一个未受保护部分至少部分地留在硅晶片上，并且在冲洗（18; 32）之后干燥硅晶片（20）。

6. 发明申请

WO2010052565A2 METHOD FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL WITH A TWO-STAGE DOPING 审中-公开
标题翻译：用于制造具有两级放电的太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2010052565A2
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/IB2009/007380
申请日：2009-11-09
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS TECHNOLOGY GMBH , ESTURO-BRETON, Ainhoa , GEIGER, Matthias , KELLER, Steffen , SCHLOSSER, Reinhold , VOYER, Catharine , MAIER, Johannes , BRESELGE, Martin , MÜNZER, Adolf , FRIESS, Tobias , KÜHN, Tino
发明人： ESTURO-BRETON, Ainhoa , GEIGER, Matthias , KELLER, Steffen , SCHLOSSER, Reinhold , VOYER, Catharine , MAIER, Johannes , BRESELGE, Martin , MÜNZER, Adolf , FRIESS, Tobias , KÜHN, Tino
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/022425 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Method for manufacturing a solar cell with a two-stage doping (88, 89) including the following method steps of forming (14, 48) an oxide layer (82), which can be penetrated by a first dopant, on at least one part of the surface of a solar cell substrate (80), of forming (16; 50) an opening in the oxide layer (82) in at least one high-doping region (88) by removing (16; 50) the oxide layer (82) in this high-doping region (88), of diffusing (28) the first dopant into the at least one high- doping region (88) of the solar cell substrate (80) through the opening and of diffusing (28) the first dopant into the solar cell substrate (80) through the oxide layer (82), wherein the diffusing-in (28) through the openings and through the oxide layer (82) takes place at the same time in a common diffusion step and the solar cell substrate (80) is diffused (28) in the common diffusion step (28) in an at least partially hydrophilic state.
摘要翻译：一种用于制造具有两级掺杂（88,89）的太阳能电池的方法，包括以下方法步骤：在至少一个部分上形成（14,48）可被第一掺杂剂渗透的氧化物层（82）通过去除（16; 50）氧化物层（16; 50）在至少一个高掺杂区域（88）中在氧化物层（82）中形成（16; 50）开口的太阳能电池基板（80）的表面; 82）在该高掺杂区域（88）中通过开口将第一掺杂剂扩散（28）至太阳能电池基板（80）的至少一个高掺杂区域（88）并扩散（28）第一掺杂剂通过氧化物层（82）进入太阳能电池基板（80），其中通过开口和通过氧化物层（82）的扩散（28）在公共扩散步骤中同时进行，并且太阳能电池基板（80）在共同扩散步骤（28）中以至少部分亲水状态扩散（28）。

7. 发明申请

WO2010052541A2 OXIDATION AND CLEANING PROCESS FOR SILICON WAFERS 审中-公开
标题翻译：硅氧化物的氧化和清洁工艺
公开(公告)号：WO2010052541A2
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/IB2009/007310
申请日：2009-11-04
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS TECHNOLOGY GMBH , ESTURO-BRETON, Ainhoa , KELLER, Steffen
发明人： ESTURO-BRETON, Ainhoa , KELLER, Steffen
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/00
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02052
摘要： Oxidation and cleaning process for silicon wafers, in which the silicon wafers are provided with a silicon oxide layer on at least part of their surface (12; 24), before they are etched in an alkaline etching solution (14;, 26) and they are etched in a solution (16) which contains an acid which oxidises metallic impurities, whereby at least a portion of the silicon oxide layer is exposed unprotected to the etching solution and the acid, and in which the silicon wafers are rinsed in deionised water after the etching processes (18), whereby the at least one unprotected portion of the silicon oxide layer is at least partly left on the silicon wafers and the silicon wafers are dried (20) after rinsing (18; 32).
摘要翻译：硅晶片的氧化和清洁工艺，其中硅晶片在它们的表面（12; 24）的至少一部分上被提供有氧化硅层，然后在碱性蚀刻溶液（14,26）中被蚀刻，并且它们在包含氧化金属杂质的酸的溶液（16）中被蚀刻，由此氧化硅层的至少一部分暴露于对腐蚀溶液和酸的无保护作用，并且其中硅晶片在去离子水中漂洗后，在去离子水中漂洗硅晶片蚀刻工艺（18），由此氧化硅层的至少一个未保护部分至少部分留在硅晶片上，并且硅晶片在冲洗（18; 32）之后被干燥（20）。

8. 发明申请

WO2005085822A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES WÄRMELEITFÄHIGKEITSDETEKTORS 审中-公开
标题翻译：用于生产热导检测器
公开(公告)号：WO2005085822A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/EP2005/002142
申请日：2005-03-01
申请人： ABB RESEARCH LTD. , RUZZU, Antonio , WETZKO, Manfred , KRIPPNER, Peter , KELLER, Steffen , BINZ, Dieter
发明人： RUZZU, Antonio , WETZKO, Manfred , KRIPPNER, Peter , KELLER, Steffen , BINZ, Dieter
IPC分类号： G01N27/18
CPC分类号： G01N27/18
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Wärmeleitfähigkeitsdetektors (1) mit wenigstens einem Sensorelement (2). Die bekannten Wärmeleitfähigkeitsdetektoren (1) sind vor allem wegen der Nachweisempfindlichkeit der Sensorelemente (2) von größer 10 ppm Stickstoff in Helium für den Einsatz in der Mikrotechnik nicht geeignet. Dieser Nachteil ist dem erfindungsgemäßen Wärmeleitfähigkeitsdetektor (1) ausgeschlossen. Dieser Wärmeleitfähigkeitsdetektor (1) ist mit speziell gefertigten Sensorelementen (2) ausgerüstet, die aus Drähten (7) gefertigt sind. Für die Herstellung dieser Drähte (7) werden erfindungsgemäß Halbleitermaterialen, Halbleiterverbindungen oder halbleitende Metalloxide verwendet. Diese Drähte (7) haben einen maximalen Querschnitt, dessen Abmessungen im Sub-Millimeter Bereich liegen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于与至少一个传感器元件（2）产生的热导率检测器（1）的方法。已知的热导率检测器（1）是因为大于10ppm的氮的传感器元件（2）在氦气中在微技术使用的敏感性不是特别适合。该缺点是根据排除的发明（1）的热导率检测器。该热导检测器（1）配备有导线（7）由特制传感器元件（2）。对于这些线的制备根据本发明所使用的半导体材料，化合物半导体或半导体金属氧化物（7）。这些导线（7）有一个最大的横截面，其尺寸在亚毫米范围内。

9. 发明申请

WO2011107092A3 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG EINES HALBLEITERSUBSTRATS UND SOLARZELLE MIT ZWEISTUFIGER DOTIERUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2011107092A3
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/DE2011/075033
申请日：2011-03-03
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , TEPPE, Andreas , GEIGER, Matthias , SCHLOSSER, Reinhold , MÜNZER, Adolf , SCHÖNE, Jan , ISENBERG, Jörg , KÜHN, Tino , KELLER, Steffen
发明人： TEPPE, Andreas , GEIGER, Matthias , SCHLOSSER, Reinhold , MÜNZER, Adolf , SCHÖNE, Jan , ISENBERG, Jörg , KÜHN, Tino , KELLER, Steffen
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/068
摘要： Verfahren zur Dotierung eines Halbleitersubstrats (50), bei welchem das Halbleitersubstrat (50) durch Bestrahlung (14) mit Laserstrahlung (60) erhitzt wird und dabei in erhitzten Bereichen (52) Dotierstoff aus einer Dotierstoffquelle (54) in das Halbleitersubstrat (50) eindiffundiert wird (16), und bei welchem bei dem Erhitzen des Halbleitersubstrats (50) durch die Bestrahlung (14) mit Laserstrahlung (60) ein Flächenanteil des Halbleitersubstrats (50) angeschmolzen (18) und rekristallisiert (20) wird, der weniger als 10% der Gesamtfläche aller bestrahlten Bereiche (62) beträgt, sowie Solarzelle.

10. 发明申请

WO2011107092A2 METHOD FOR DOPING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SOLAR CELL HAVING TWO-STAGE DOPING 审中-公开
标题翻译：方法用于掺杂半导体衬底太阳电池两级掺杂
公开(公告)号：WO2011107092A2
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/DE2011075033
申请日：2011-03-03
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , MUENZER ADOLF , SCHOENE JAN , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , KELLER STEFFEN
发明人： TEPPE ANDREAS , GEIGER MATTHIAS , SCHLOSSER REINHOLD , MUENZER ADOLF , SCHOENE JAN , ISENBERG JOERG , KUEHN TINO , KELLER STEFFEN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/02587 , H01L21/02675 , H01L21/268 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for doping a semiconductor substrate (50), wherein the semiconductor substrate (50) is heated by irradiation (14) with laser radiation (60) and at the same time dopant from a dopant source (54) is diffused (16) into the semiconductor substrate (50) in heated regions (52), and wherein when the semiconductor substrate (50) is heated by the irradiation (14) with laser radiation (60), a surface portion of the semiconductor substrate (50) that is less than 10% of the total surface of all irradiated regions (62) is melted (18) and recrystallized (20). The invention further relates to a solar cell.
摘要翻译：（50）扩散的一种用于与激光辐射（60），而在被加热的区域（52）从在所述半导体衬底中的掺杂剂源（54）的掺杂剂掺杂的半导体衬底（50），其中所述半导体衬底（50）是通过照射（14）加热方法（16），并且其中，在所述加热通过辐照（14）利用激光辐射在半导体基板（50）（60）包括一表面的半导体基片的熔融（20）部分（50）（18）和重结晶是小于10％所有暴露的区域的总面积（62），以及太阳能电池。

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