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1. 发明申请

WO02067266A3 METHOD FOR WRITING INTO MAGNETORESISTIVE MEMORY CELLS AND MAGNETORESISTIVE MEMORY WHICH CAN BE WRITTEN INTO ACCORDING TO SAID METHOD 审中-公开
标题翻译：用这种方法描述磁阻记忆细胞和磁阻记忆的方法
公开(公告)号：WO02067266A3
公开(公告)日：2002-10-17
申请号：PCT/DE0200255
申请日：2002-01-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , FREITAG MARTIN , MIETHANER STEFAN , RABERG WOLFGANG
发明人： FREITAG MARTIN , MIETHANER STEFAN , RABERG WOLFGANG
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/1675
摘要： The invention relates to a method for writing in the magnetoresistive memory cells of a MRAM memory, wherein the write currents (IWL, IBL) are applied respectively onto a word line (WL) and a bit line (BL), a superposition of the magnetic fields generated by the write currents in each memory cell selected by the corresponding word lines and bits lines altering the direction of the magnetisation thereof. According to the inventive method, the write currents (IWL, IBL) are applied in a chronologically offset manner, to the corresponding word line (WL) and the bit line (BL) whereby the direction of magnetisation of the selected memory cell is rotated in several consecutive steps (a - h) in the desired direction for writing a logical "0" or "1".
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于写入，其中写入电流的MRAM存储器的磁阻的存储器单元（I

2. 发明申请

WO02065489A2 MAGNETICALLY SENSITIVE LAYER ARRAY 审中-公开
标题翻译：磁敏层排列
公开(公告)号：WO02065489A2
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：PCT/DE0200137
申请日：2002-01-18
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , SCHMOLLNGRUBER PETER , SIEGLE HENRIK , FREITAG MARTIN
发明人： SCHMOLLNGRUBER PETER , SIEGLE HENRIK , FREITAG MARTIN
IPC分类号： G01R33/09 , H01F10/32 , H01F10/30
CPC分类号： B82Y25/00 , G01R33/093 , H01F10/325
摘要： The invention relates to a magnetically sensitive layer array (10, 20) with improved temperature and long-term stability for use in an GMR sensor element. Said array has at least two superimposed magnetic layers (14, 16, 18), a non-magnetic, copper-containing intermediate layer (15) that contains at least one precious metal being placed between said layers. The intermediate layer is particularly made of CuAgAu.
摘要翻译：它是提出在GMR传感器元件，所述至少两个叠置的磁性层（14，16，18），用于使用改进的热和长期稳定性，磁敏感层的装置（10，20）之间，其非磁性含铜中间层（15），含有至少一种贵金属。特别地，CuAgAu的中间层。

3. 发明申请

WO2002059898A3 MRAM-ANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2002059898A3
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：PCT/DE2002/000207
申请日：2002-01-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , FREITAG, Martin , ROEHR, Thomas
发明人： FREITAG, Martin , ROEHR, Thomas
IPC分类号： G11C11/16
摘要： Die Erfindung betrifft eine MRAM-Anordnung, bei der die Auswahltransistoren (5) und die MTJ-Schichtfolgen (4) in einer Zelle jeweils parallel zueinander liegen. Dadurch lässt sich eine beträchtliche Flächeneinsparung erzielen.

4. 发明申请

WO1995021998A1 INJECTION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：注射
公开(公告)号：WO1995021998A1
公开(公告)日：1995-08-17
申请号：PCT/EP1995000497
申请日：1995-02-10
申请人： MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION FRIEDRICHSHAFEN GMBH , SCHÖNFELD, Dieter , BÄCHLE, Bernhard , FREITAG, Martin , GUTH, Torsten
发明人： MTU MOTOREN- UND TURBINEN-UNION FRIEDRICHSHAFEN GMBH
IPC分类号： F02M43/04
CPC分类号： F02M63/0225 , F02M43/04 , F02M47/027
摘要： An injection system for intermittently supplying a fuel-liquid mixture to combustion chambers of an internal combustion engine has a common rail accumulator. Lines (16, 30) lead to control chambers (15, 22) of the injection valves (1), the control chamber (15) being connected alternatively to the common rail accumulator or a line (18) with a pressure p0 or a line with a pressure p1 in order to control the amount of mixture injected. The control chamber (22) is alternatively connected to the common rail accumulator or a line with a pressure p2 or a line (33) with a pressure p0 in order to control the liquid portion of the amount injected.
摘要翻译：喷射系统用于液体燃料混合物的内燃发动机的燃烧室的间歇供给具有共轨的蓄压器。线（16，30）导致喷射器的控制腔室（15，22）（1）。控制腔室（15），用于控制液体燃料混合物的喷射量任选地与公用给油管压力贮存器或导管（18）具有压力P0或具有压力P1的线。控制腔室（22）被连接以与共轨的蓄压器和与压力P2或导管（33）的线的压力P0任选地控制喷射量的液体部分。

5. 发明申请

WO2002065489A3 MAGNETISCH SENSITIVE SCHICHTANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2002065489A3
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：PCT/DE2002/000137
申请日：2002-01-18
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHMOLLNGRUBER, Peter , SIEGLE, Henrik , FREITAG, Martin
发明人： SCHMOLLNGRUBER, Peter , SIEGLE, Henrik , FREITAG, Martin
IPC分类号： H01F10/30
摘要： Es wird eine magnetisch sensitive Schichtanordnung (10, 20) mit verbesserter Temperatur- und Langzeitstabilität zum Einsatz in einem GMR-Sensorelement vorgeschlagen, die mindestens zwei übereinander liegende magnetische Schichten (14, 16, 18) aufweist, zwischen denen sich eine nichtmagnetische, kupferhaltige Zwischenschicht (15) befindet, die mindestens ein Edelmetall enthält. Insbesondere besteht die Zwischenschicht aus CuAgAu.

6. 发明申请

WO1997039364A1 PROCESS FOR MANUFACTURE OF A GMR BRIDGE SENSOR AND A GMR BRIDGE SENSOR 审中-公开
标题翻译：用于生产GMR桥和传感器GMR桥式传感器
公开(公告)号：WO1997039364A1
公开(公告)日：1997-10-23
申请号：PCT/DE1997000110
申请日：1997-01-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , NEUMANN, Christian , MARX, Klaus , JOST, Franz , FREITAG, Martin , SENGHAAS, Dietmar
发明人： ROBERT BOSCH GMBH
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09 , H01L43/12 , Y10T29/49034
摘要： The invention concerns a process for producing a GMR bridge sensor and the bridge sensor itself which connects magnetoresistive resistors (1 - 4) into a bridge to detect a magnetic field. The resistors are made of a material which shows Giant Magnetoresistive Ratio Effect (GMR Effect). The magnetoresistive sensitivity of the individual resistors is caused by tempering. Tempering the resistors is done by selectively directing a current into the bridge connections (5 - 8) which is sufficient to achieve the temperature required for tempering. By switching the bridge connections, the resistors are given, pair-wise or individually, the necessary property for the GMR effect. The material used for the resistors is from the class of discontinuous laminated materials, especially NiFe/Ag, in which the GMR effect is induced by tempering one time at a specific temperature.
摘要翻译：本发明描述了用于制造GMR传感器桥和桥传感器本身，其中磁阻用于检测磁场的电阻器（1 - 4）的方法，以桥接的形式被连接在一起。电阻器由具有GMR效应（巨磁阻比效果）的材料制成。各个电阻的磁阻灵敏度由退火引起的。电阻器的退火通过选择性地供给电流，其足以用于实现必要的退火温度，在桥连接（5-8）进行。根据桥的连接端子上，使得电阻器是单独必要的GMR财产或成对提供。作为电阻器的材料是一种材料，特别是类不连续的多层的材料，特别是由NiFe /银，被使用，其中，所述GMR特性通过一次在一定温度下进行退火而引起的。

7. 发明申请

WO0239454A3 MAGNETORESISTIVE MEMORY (MRAM) 审中-公开
标题翻译：磁阻存储器（MRAM）
公开(公告)号：WO0239454A3
公开(公告)日：2002-12-19
申请号：PCT/EP0112622
申请日：2001-10-31
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , FREITAG MARTIN , HOENIGSCHMID HEINZ , GOGL DIETMAR , LAMMERS STEFAN
发明人： FREITAG MARTIN , HOENIGSCHMID HEINZ , GOGL DIETMAR , LAMMERS STEFAN
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/16 , H01L21/8246 , H01L27/22 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC分类号： H01L27/222 , B82Y10/00 , G11C11/16
摘要： The form of the supply lines in a cell field made from a matrix of columned and lined supply lines of a plurality of magnetic memory cells is optimised by diverging from a quadratic cross-section of the supply lines so that the magnetic field component Bx of the writing currents arranged on the plane of the cell field is rapidly reduced at an increasing distance from the increasing point of intersection.
摘要翻译：从列和行的矩阵一个建成的引线的形状导致的多个磁存储单元的单元阵列被偏离引线的方形横截面的优化，使得磁场分量从交叉点Bx的随着距离的增加躺在单元阵列平面中的写电流的足够快地降低。

8. 发明申请

WO02059898A2 MRAM ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译： MRAM安排
公开(公告)号：WO02059898A2
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：PCT/DE0200207
申请日：2002-01-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , FREITAG MARTIN , ROEHR THOMAS
发明人： FREITAG MARTIN , ROEHR THOMAS
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/22
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/16
摘要： The invention relates to an MRAM arrangement in which the selection transistors (5) and the MTJ layer sequences (4) lie parallel to each other in a cell. A considerable space saving can thus be achieved.
摘要翻译：本发明涉及，其中，选择晶体管（5）和所述MTJ层序列（4）位于细胞平行于彼此，一个MRAM阵列。这实现了显著面积节省。

9. 发明申请

WO2002067266A2 VERFAHREN ZUM BESCHREIBEN MAGNETORESISTIVER SPEICHERZELLEN UND MIT DIESEM VERFAHREN BESCHREIBBARER MAGNETORESISTIVER SPEICHER 审中-公开
标题翻译：方法用于描述磁存储单元和在这个过程中写的磁阻存储器
公开(公告)号：WO2002067266A2
公开(公告)日：2002-08-29
申请号：PCT/DE2002/000255
申请日：2002-01-24
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , FREITAG, Martin , MIETHANER, Stefan , RABERG, Wolfgang
发明人： FREITAG, Martin , MIETHANER, Stefan , RABERG, Wolfgang
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers, bei dem Schreibströme (I?WL#191, I?BL#191) jeweils einer Wortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) aufgeschaltet werden, wobei eine Überlagerung der durch die Schreibströme erzeugten Magnetfelder in jeder durch die entsprechende Wort- und Bitleitung selektierten Speicherzelle zur Änderung ihrer Magnetisierungsrichtung führt. Bei dem Verfahren werden die Schreibströme (I?WL#191, I?BL#191) zeitlich gegeneinander versetzt der jeweiligen Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) so aufgeschaltet, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten (a - h) in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于写入，其中写入电流的MRAM存储器的磁阻的存储器单元（I

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