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1. 发明申请

WO1994025981A1 PROCESS FOR PRODUCING VERTICALLY CONNECTED SEMICONDUCTOR COMPONENTS 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR VERTICAL接触半导体部件
公开(公告)号：WO1994025981A1
公开(公告)日：1994-11-10
申请号：PCT/DE1994000486
申请日：1994-05-02
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , BERTAGNOLLI, Emmerich , KLOSE, Helmut
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L21/98
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In a process for producing components with a vertical connection structure, the substrate (1) is etched from its top surface downwards in an area provided for a vertical conductive connection between a metallic contact (4) of a first component and a metallic contact (4') of a second component. The zone thus obtained is filled with a metal (9), so that said metal (9) is connected to the surface of the metallic contact (4). The rear face of the substrate (1) is removed until said metal (9) projects beyond said rear face. A metallization layer (19) of a low melting point metal, for example AuIn, is applied on the metallic contact (4') of the second component. The surface of said second component is processed by planar technology (17), both components are vertically positioned with respect to each other and a permanent contact between the metal (9) of the first component and the metallization layer (19) of the second component is established by pressure and heat.

2. 发明申请

WO2003070316A2 ANORDNUNG ZUR AUFNAHME VON ELEKTRISCHEN SIGNALEN VON LEBENDEN ZELLEN UND ZUR WAHLWEISEN ÜBERTRAGUNG VON ELEKTRISCHEN REIZEN AUF LEBENDE ZELLEN 审中-公开
标题翻译：安排录制活细胞和活细胞电REIZEN的选择性发射的电信号
公开(公告)号：WO2003070316A2
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/AT2003/000055
申请日：2003-02-19
申请人： INNOVATIONSAGENTUR GESELLSCHAFT M.B.H. , BERTAGNOLLI, Emmerich
发明人： BERTAGNOLLI, Emmerich
IPC分类号： A61N1/00
CPC分类号： G01N33/48728 , A61N1/08 , A61N1/326 , A61N1/36017 , G06N3/061
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Kopplung einer lebenden Zlle, insbesondere Nervenzelle, an eine elektronische Schaltung zur Aufnahme von direkt oder indirekt elektrisch wirksamen Zellsignalen und/oder zur elektrischen Reizung der Zelle, mit einem passiven elektronischen Element (C1, R1), das mit einem Anschluss an ein Bezugspotential (M) angeschlossen ist und mit einem anderen Anschluss mit einem geschalteten Ausgang eines elektronischen Schalters (T1) verbunden ist, dessen Eingang mit einer Signal- oder Spannungsquelle verbindbar (Punkt B) ist, wobei ein elektrisch leitendes Kontaktelement (1) mit der Zelle (2) in Berührung bringbar ist und zwischen dem Ausgang des elektrischen Schalters (Punkt P) und dem damit verbundenen Anschluss des passiven elektronischen Bauelements (C1, R1) angeschlossen ist.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，用于活Zlle，特别是神经细胞，耦合到电子电路，以直接或间接地电有效的细胞信号和/或用于与无源电子元件C1，R1，细胞的电刺激拾取与终端基准电位M被连接并且被连接到连接到电子开关T1的切换输出的另一端子，其中所述输入被连接到连接到B点，其中的导电接触元件1的电池2抵接和之间的信号或电压源电开关点P的输出和无源电子元件C1的相关联的连接，被连接到R1。

3. 发明申请

WO2012140210A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DREIDIMENSIONALER STRUKTUREN 审中-公开
标题翻译：方法制造三维结构
公开(公告)号：WO2012140210A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/EP2012/056803
申请日：2012-04-13
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT WIEN , WANZENBOECK, Heinz , WAID, Simon , BERTAGNOLLI, Emmerich
发明人： WANZENBOECK, Heinz , WAID, Simon , BERTAGNOLLI, Emmerich
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： B61D1/00 , B61D31/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dreidimensionaler Strukturen (13, 113, 213, 611, 612, 613) auf einem Substrat (10, 100), wobei in einem ersten Verfahrensschritt durch lokale Implantation, bevorzugt Ionenimplantation, insbesondere durch Bestrahlung mit einem fokussierten Ionenstrahl (600), eine Schicht mit bevorzugten Abtragseigenschaften in Hinblick auf zumindest einen nachfolgenden zweiten Verfahrensschritt hergestellt wird, und anschließend in dem zumindest einen nachfolgenden zweiten Verfahrensschritt das durch den ersten Verfahrensschritt vorstrukturierte Substrat (10, 100) geätzt wird, wobei der im zweiten Verfahrensschritt erzielbare Ätzabtrag in Abhängigkeit von der Konzentration der implantierten Ionen erfolgt, und der zweite Verfahrensschritt einen ersten Ätzschritt (14, 114, 214, 314) mit einer vorgebbaren ersten Ätzdauer und vorgebbaren ersten Prozessparametern aufweist, an den zumindest ein zweiter Ätzschritt (15, 115, 215, 315) mit einer vorgebbaren zweiten Ätzdauer und vorgebbaren zweiten Prozessparametern anschließt, wobei die Verfahrensbedingungen des zweiten Ätzschrittes (15, 115, 215, 315) unterschiedlich von den Verfahrensbedingungen des ersten Ätzschrittes (14, 114, 214, 314) sind.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在衬底（10，100），在制造三维结构（13，113，213，611，612，613），其中，在第一方法步骤中通过局部注入，优选离子注入，特别是通过照射聚焦离子束（600）中，关于至少一个后续的第二处理步骤与优选Abtragseigenschaften的层，被制备，然后在至少一个随后的第二处理步骤中，进行蚀刻，预构造成通过所述第一处理步骤中，衬底（10，100），其中，在所述第二工艺步骤的可收回在注入离子的浓度的函数进行蚀刻去除，并且所述第二方法步骤中，具有预定的第一蚀刻时间和预定的第一工艺参数（到所述至少一个第二蚀刻工序，15，115，215中的第一蚀刻工序（14，114，214，314），315）与vorgebb AREN第二蚀刻时间和第二预定的工艺参数进行连接，其中所述第二蚀刻工序（15，115，215，315）的工艺条件是从所述第一蚀刻工序（14，114，214，314）是在工艺条件不同。

4. 发明申请

WO2003070316A3 ANORDNUNG ZUR AUFNAHME VON ELEKTRISCHEN SIGNALEN VON LEBENDEN ZELLEN UND ZUR STIMULATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2003070316A3
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/AT2003/000055
申请日：2003-02-19
申请人： INNOVATIONSAGENTUR GESELLSCHAFT M.B.H. , BERTAGNOLLI, Emmerich
发明人： BERTAGNOLLI, Emmerich
IPC分类号： A61N1/32
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Kopplung einer lebenden Zlle, insbesondere Nervenzelle, an eine elektronische Schaltung zur Aufnahme von direkt oder indirekt elektrisch wirksamen Zellsignalen und/oder zur elektrischen Reizung der Zelle, mit einem passiven elektronischen Element (C1, R1), das mit einem Anschluss an ein Bezugspotential (M) angeschlossen ist und mit einem anderen Anschluss mit einem geschalteten Ausgang eines elektronischen Schalters (T1) verbunden ist, dessen Eingang mit einer Signal- oder Spannungsquelle verbindbar (Punkt B) ist, wobei ein elektrisch leitendes Kontaktelement (1) mit der Zelle (2) in Berührung bringbar ist und zwischen dem Ausgang des elektrischen Schalters (Punkt P) und dem damit verbundenen Anschluss des passiven elektronischen Bauelements (C1, R1) angeschlossen ist.

5. 发明申请

WO1997029516A1 READ-ONLY MEMORY CELL DEVICE WITH INSULATING TRENCHES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：带隔离沟和生产过程中FIXED VALUE内存单元组件
公开(公告)号：WO1997029516A1
公开(公告)日：1997-08-14
申请号：PCT/DE1997000239
申请日：1997-02-06
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , KLOSE, Helmut , BERTAGNOLLI, Emmerich
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L27/112
CPC分类号： H01L27/1126 , H01L27/112
摘要： The invention relates to a read-only memory cell device with a substrate (2) consisting of a semiconductor material and having memory cells arranged in rows and columns to form a matrix in the region of a main surface (1) in a cell field. Each memory cell has at least one MOS transistor with a source region, a drain region, a channel region, a gate dielectric and a gate electrode. The MOS transistors of a column are connected in series, each column is connected to a bit line, and the gate electrodes of the MOS transistors of a row are connected to a word line (18). The source and drain regions (17) of the MOS transistors of a column are electrically insulated source/drain ribs (8) which consist of the semiconductor material of the substrate (2), extend at a predetermined distance substantially parallel to each other, and, starting from the main surface (1) of the substrate (2) have a predetermined rod depth (t). Furthermore, the word lines (18) for connecting the gate electrodes of the MOS transistors extend at right angles to the longitudinal direction of the source/drain ribs (8).
摘要翻译：本发明涉及一种只读存储单元装置与现有的半导体材料衬底（2），其包括在一个主表面（1）的区域中布置成列和存储单元的行的单元阵列MAtrixförmig其中每个存储器单元中的每个具有至少一个MOS晶体管具有源极区，漏极区，沟道区，一个栅极电介质和栅极电极，所述一列MOS晶体管被依次串联连接，（18），耦合到一个位线和一个列的MOS晶体管的到字线的栅极电极的每一列是。列的MOS晶体管的源区和漏区（17）在由基本平行于彼此以预定的距离，彼此并从（2）形成源极/漏极腹板（8）在衬底的半导体材料电绝缘，其中，从基板（2），预定的腹板高度（T）保持的主表面（1）开始。此外，字线（18），用于MOS晶体管的栅电极连接横向于源极/漏极腹板（8）的纵向方向被布置为运行。

6. 发明申请

WO1995026568A1 SEMICONDUCTOR COMPONENT DESIGNED FOR VERTICAL INTEGRATION, AND METHOD OF MANUFACTURING THE COMPONENT 审中-公开
标题翻译：半导体部件垂直集成和方法
公开(公告)号：WO1995026568A1
公开(公告)日：1995-10-05
申请号：PCT/DE1995000313
申请日：1995-03-07
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , KLOSE, Helmut , WEBER, Werner , BERTAGNOLLI, Emmerich , KÖPPE, Siegmar , HÜBNER, Holger
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L23/482
CPC分类号： H01L24/72 , H01L2224/02335 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01087 , H01L2924/14
摘要： The upper surface of the component proposed has a layer structure including an insulating layer (7) with a hole in it, a contact metallization (8) being applied to the upper surface of the insulating layer and to an area of metallization intended for electrical contacting, and subsequently being featured. A metal contact post (12) fills the hole in the covering dielectric, the post resting on the contact metallization (8) in such a way that it can elastically move on the free end of the contact metallization in the hole (14) of the component, the other end of the contact metallization being anchored in the layer structure. This permits reversible contacting of the component with another component disposed vertically above it. It is possible to bring the planar upper surfaces of the two components into intimate contact with each other since the post (12) which is pressed against a contact (15) on the other component is pushed back into the hole (14), the springiness of the contact metallization (8) ensuring a sufficiently reliable electrical connection between the contacts.
摘要翻译：关于该装置的顶侧上的层结构，接触金属化物（8）被沉积在具有上开口的绝缘层（7）的顶部上的用于电连接金属化部（6）并形成图案。通过填充在与金属的覆盖电介质制成的孔形成在该接触金属化（8）在所述部件的周边孔（14）上的在层结构接触金属化放下（8）弹性地自由部分就座触点杆（12）是可移动的。这允许具有垂直部件的可逆键合到被布置成另外的部件，其特征在于，所述相对的平坦顶部可紧密接触，因为在所述开口中的另一个部件的压接杆（12）的触点（15）根据（14）被推回，触点的足够牢固的连接是通过接触金属化物（8）的弹簧力来实现。

7. 发明申请

WO2003070321A1 DOPPELGATE-TRANSISTOR-ANORDNUNG ZUR AUFNAHME VON ELEKTRISCHEN SIGNALEN VON LEBENDEN ZELLEN 审中-公开
标题翻译：双栅极晶体管安排用于记录的活细胞的电信号
公开(公告)号：WO2003070321A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/AT2003/000056
申请日：2003-02-19
申请人： INNOVATIONSAGENTUR GESELLSCHAFT M.B.H. , BERTAGNOLLI, Emmerich
发明人： BERTAGNOLLI, Emmerich
IPC分类号： A61N1/36
CPC分类号： A61N1/36 , G01N27/414 , G01N33/48728 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Kopplung einer lebenden Zelle, insbesondere Nervenzelle, an eine elektronische Schaltung zur Aufnahme von direkt oder indirekt elektrisch wirksamen Zellsignalen und/oder zur elektrischen Reizung der Zelle, wobei die Kopplungsanordnung einen Transistor (T1) mit einem doppelt ausgeführten Gate umfasst, wobei eines der Gates als Steuergate (CG) zur Ansteuerung des Transistors über externe Steuersignale ausgebildet ist, während das andere der Gates (FG) mit einem elektrisch leitenden Kontaktelement (1) verbunden ist, das mit der Zelle (2) zur Erfassung von Änderungen der elektrischen Eigenschaften der Zelle in Berührung bringbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，其用于耦合活细胞，特别是神经细胞，到电子电路拿起直接或间接地电有效的细胞的信号和/或用于细胞的电刺激，其中，所述联接装置包括具有二元化栅极的晶体管T1，门中的一个被设计成用于驱动经由外部控制信号的晶体管的控制栅CG，而另一个栅极FG中的一个连接到导电接触元件1，其是能够与所述细胞2用于检测接触的细胞的电特性的变化。

8. 发明申请

WO0004555A2 STORAGE CELL SYSTEM IN WHICH AN ELECTRIC RESISTANCE OF A STORAGE ELEMENT REPRESENTS AN INFORMATION UNIT AND CAN BE INFLUENCED BY A MAGNETIC FIELD, AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
标题翻译： IN MEMORY元素释放的电阻电池结构代表并受磁场的影响，其制造方法
公开(公告)号：WO0004555A2
公开(公告)日：2000-01-27
申请号：PCT/DE9901958
申请日：1999-07-01
申请人： SIEMENS AG , GOEBEL BERND , JACOBS HERMANN , SCHWARZL SIEGFRIED , BERTAGNOLLI EMMERICH
发明人： GOEBEL BERND , JACOBS HERMANN , SCHWARZL SIEGFRIED , BERTAGNOLLI EMMERICH
IPC分类号： G11C11/14 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/22 , G11C11/00
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/15
摘要： According to the invention a storage cell comprises a storage element whose electric resistance represents an information unit and can be influenced by a magnetic field as well as a transistor which when the information is read out allows for the corresponding storage cell to be selected from among the storage cells. To write the information unit the invention provides for a write line (SLa) and a bit line (Ba) which intersect in the area of the storage element and are able to generate the magnetic field. The storage element and the transistor can be connected in series. The storage cell can be mounted between the bit line (Ba) and a shared voltage supply connection for the storage cells. The storage cell can be mounted between the bit line (Ba) and the write line (SLa) and the write line (SLa) can coincide with a gate line (GLa) which controls the transistor. The transistor can be configured in a planar or vertical manner. The storage element and the transistor can be positioned next to or on top of each other.
摘要翻译：存储器单元包括其电阻表示信息并且可受磁场影响的存储器元件和晶体管，其中晶体管在读出信息时允许选择存储器单元中的相关存储器单元。为了写入信息，提供写线（SLa）和位线（Ba），其在存储元件的区域中相交并且可以产生磁场。存储元件和晶体管可以串联连接。存储器单元可以连接在位线（Ba）和存储器单元公共的电压连接之间。存储器单元可以连接在位线（Ba）和写入线（SLa）之间。写入线（SLa）可以与驱动晶体管的栅极线（GLa）重合。晶体管可以是平面的或垂直的。存储器元件和晶体管可以并排或者一个在另一个之上地布置。

9. 发明申请

WO1995019642A1 PROCESS FOR PRODUCING A THREE-DIMENSIONAL CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产三维电路
公开(公告)号：WO1995019642A1
公开(公告)日：1995-07-20
申请号：PCT/DE1995000031
申请日：1995-01-12
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , BERTAGNOLLI, Emmerich , KLOSE, Helmut
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L21/822
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/481 , H01L27/0688 , H01L2224/9212 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/80896 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： To produce a three-dimensional circuit, a first substrate (1) is thinned, stacked on a second substrate (2) and secured thereto. The first (1) and second (2) substrates surround circuit structures (12, 22) and metallisation planes (13, 23). At least one first (16) and second (4) contact hole are made, extending to the metallisation plane of the first (1) or second (2) substrate, with the second contact hole (4) passing through the first substrate (1). The metallisation planes (13, 23) of both substrates (1, 2) are electrically interconnected via a conductive layer (7).
摘要翻译：为了产生三维电路布置中，第一衬底（1）被减薄，层叠的第二基板（2）和与其牢固地连接上。在第一基板（1）和在各种情况下上述第二基板（2）包括的电路结构（12，22）和金属化（13,23）。有至少一个第一接触孔（16）和（4）在所述第一衬底上的金属化（13，23）打开（1）和第二基板（2）的范围，所述第二接触孔中的第二接触孔（4）的第一基板（1）穿过。该金属化层是在两块基板的导电层（7）（13，23）（1,2）电连接在一起。

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