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1. 发明申请

WO2011021349A1 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造硅外延层的方法
公开(公告)号：WO2011021349A1
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/JP2010/004755
申请日：2010-07-27
申请人：信越半導体株式会社 , 樫野久寿 , 黛雅典
发明人：樫野　久寿 , 黛　雅典
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24
CPC分类号： H01L21/02008 , C30B15/00 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661
摘要：　本発明は、シリコン単結晶をスライスして得られるシリコンウェーハ表面にエピタキシャル層を形成してシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、ヒ素をドープして抵抗率１．０～１．７ｍΩｃｍにしたシリコン単結晶をスライスしてシリコンウェーハを得て、該シリコンウェーハを８５０～１２００℃で熱処理することでピットを発生させて、該熱処理したシリコンウェーハを鏡面研磨することで前記発生したピットを除去して、その後該鏡面研磨したシリコンウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、ヒ素ドープの低抵抗シリコンウェーハ上にエピタキシャル成長させる際に、簡易な方法で、積層欠陥の発生を防止することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
摘要翻译：公开了一种通过在通过切片硅单晶获得的硅晶片的表面上形成外延层来制造硅外延晶片的方法。该方法的特征在于至少通过用砷掺杂电阻率为1.0-1.7mΩ·cm的硅单晶来获得硅晶片，通过在硅晶片的温度下热处理产生凹坑在850-1200℃下，通过对经热处理的硅晶片进行镜面抛光除去生成的凹坑，然后在镜面抛光的硅晶片表面上形成外延层。因此，在砷掺杂低电阻率硅晶片上进行外延生长时，可以通过简单的方法防止产生层叠缺陷。

2. 发明申请

WO2008149806A1 半導体製造装置の汚染評価方法审中-公开
标题翻译：评估半导体制造设备污染的方法
公开(公告)号：WO2008149806A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/060023
申请日：2008-05-30
申请人：信越半導体株式会社 , 荒木健司 , 竹中卓夫 , 黛雅典
发明人：荒木健司 , 竹中卓夫 , 黛雅典
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205
CPC分类号： H01L22/14 , C23C16/4401
摘要：　気相成長装置等の半導体製造装置に関し、処理の際（例えば、気相成長時）の汚染量を、評価により把握することを可能とする半導体製造装置の汚染評価方法、例えば気相成長装置の汚染評価方法を提供する。　試料半導体ウェーハに対して半導体製造装置を用いて所定の処理を行うことによって評価対象半導体ウェーハを製造し、当該製造した評価対象半導体ウェーハについて汚染評価を行うことにより、前記半導体製造装置における汚染を評価する方法であって、前記試料半導体ウェーハはその表面が、シリコン熱酸化膜、ＣＶＤにより堆積されたシリコン酸化膜、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜からなる群から選択されたいずれか１種の被膜で被覆されているようにした。
摘要翻译：提供了一种用于评估诸如气相生长装置的半导体制造装置的污染物的方法，通过该方法可以通过评估来掌握加工（例如气相生长）中的污染量。在用于评价半导体制造装置的污染的方法中，通过使用半导体制造装置对样品半导体晶片执行规定的处理来制造待评估的半导体晶片，并且评估所制造的半导体晶片的污染。样品半导体晶片的表面被选自由硅热氧化膜，通过CVD沉积的氧化硅膜，非晶硅膜和多晶硅膜组成的组中的至少一种膜覆盖。

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