专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2011086947A1 フラッシュ防止装置付き燃料供給装置审中-公开
标题翻译：具有防闪光装置的燃料供应装置
公开(公告)号：WO2011086947A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/JP2011/000189
申请日：2011-01-17
申请人：川崎重工業株式会社 , 豊田健 , 各務幸樹
发明人：豊田　健 , 各務　幸樹
IPC分类号： F02M25/022 , F02B47/02 , F02M25/00 , F02M37/00
CPC分类号： F02M25/0228 , Y02T10/121
摘要：　第１燃料油と水とが混合された水エマルジョン燃料を、循環ライン（１５）で循環させて、循環ライン（１５）を循環する水エマルジョン燃料を、循環ライン（１５）に接続するディーゼル機関（１６）に供給することができるフラッシュ防止装置付き燃料供給装置（１１）であって、第１燃料油をミキサ（１４）に供給する燃料供給ポンプ（Ｐ１）に対して、フラッシュ防止ポンプ（Ｐ２）をバックアップ用として循環ライン（１５）に接続してあり、燃料供給ポンプ（Ｐ１）が、第１電気式モータ（Ｍ１）で駆動され、フラッシュ防止ポンプ（Ｐ２）が、第２空気式モータ（Ｍ２）で駆動される構成。
摘要翻译：公开了一种具有防闪光装置的燃料供应装置（11），其将通过将第一燃料油和水混合通过循环管线（15）而获得的水乳化燃料循环，从而能够供应柴油发动机（16）通过循环管线（15）循环的水乳化燃料连接到循环管线（15）。反冲洗泵（P2）连接到循环管线（15），以备用用于向混合器（14）供应第一燃料油的燃料供应泵（P1），燃料供应泵（P1）由第一电动机（M1）和防闪蒸泵（P2）由第二气动马达（M2）驱动。

2. 发明申请

WO2004049346A1 不揮発性メモリセルおよびその制御方法审中-公开
标题翻译：非挥发性记忆细胞及其控制方法
公开(公告)号：WO2004049346A1
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/JP2003/014692
申请日：2003-11-19
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 豊田健治
发明人：大塚隆 , 豊田健治
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C14/00 , G11C11/22
摘要：第１のノード（６）と第２のノード（７）とを備え、第１のノード（６）と第２のノード（７）とに設定される相補データをラッチするラッチ回路（１）、第１のノード（６）と第１のデータ入出力線（２）とを接続する第１のスイッチング素子（４）、第２のノード（７）と第２のデータ入出力線（３）とを接続する第２のスイッチング素子（５）、第２のデータ入出力線（３）と第１のノード（６）とを接続する第１の強誘電体キャパシタ（８ａ）、および第１のデータ入出力線（２）と第２のノード（７）とを接続する第２の強誘電体キャパシタ（８ｂ）を備える不揮発性メモリセル。
摘要翻译：非易失性存储单元包括：具有第一节点（6）和用于锁存在第一节点（6）和第二节点（7）中的互补数据集的第二节点（7）的锁存电路（1）。用于将第一节点（6）连接到第一数据I / O线（2）的第一开关元件（4）; 用于将第二节点（7）连接到第二数据I / O线（3）的第二开关元件（5）; 用于将第二数据I / O线（3）连接到第一节点（6）的铁电电容器（8a）; 和用于将第一数据I / O线（2）连接到第二节点（7）的铁电电容器（8b）。

3. 发明申请

WO2004038919A1 電圧発生回路、電圧発生装置及びこれを用いた半導体装置、並びにその駆動方法审中-公开
标题翻译：电压发生电路，使用该电压发生装置的电压产生装置和半导体装置及其驱动方法
公开(公告)号：WO2004038919A1
公开(公告)日：2004-05-06
申请号：PCT/JP2003/011227
申请日：2003-09-03
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 上田路人 , 森本廉 , 森田清之
发明人：豊田健治 , 上田路人 , 森本廉 , 森田清之
IPC分类号： H03K19/00
CPC分类号： G11C11/4087 , G11C11/22 , G11C11/4074
摘要：キャパシタ（４）、キャパシタ（４）に直列接続された強誘電体キャパシタ（６）、出力端子（１１）、出力端子（１１）を接地するキャパシタ（１０）、電源電圧供給端子（１３）、電源電圧供給端子（１３）と２つのキャパシタ（４，６）の接続ノード（Ｎ１）とを接続するスイッチ（１）、及び接続ノード（Ｎ１）と出力端子（１１）とを接続するスイッチ（９）を備え、第１の期間において、スイッチ（１）及び（９）がオフ状態にされた状態で、端子（３）が接地されると共に端子（７）に電源電圧が供給され、第２の期間において、端子（３）に電源電圧が供給され、且つスイッチ（９）がオン状態にされ、第３の期間において、スイッチ（９）がオフ状態にされ、スイッチ（１）がオン状態にされ、且つ端子（７）が接地され、第４の期間において、端子（７）に電源線圧が供給され、前記第１の期間から前記第４の期間までが順に繰り返される、電圧発生回路。
摘要翻译：一种电压产生电路，包括电容器（4），串联连接到电容器（4）的铁电电容器（6），输出端子（11），用于使输出端子（11）接地的电容器（10）电源电压端子（13），用于将电源电压供给端子（13）与两个电容器（4,6）的连接节点（N1）连接的开关（1）和用于连接连接节点（N1）与输出端子（11）连接，其中在第一时段期间，端子（3）接地，并且向开关（1）和（9）提供端子（7）的电源电压）关闭时，在第二时间段期间向端子（3）供给电源电压并且开关（9）导通，开关（9）关闭，开关（1）导通，端子（7）在第三周期内接地，在第四周期期间向端子（7）提供电源电压，并且第一至第四周期是顺序的重复。

4. 发明申请

WO2003105156A1 不揮発性メモリ回路及びその駆動方法並びにそのメモリ回路を用いた半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储器电路，其驱动方法，使用存储器电路的半导体器件
公开(公告)号：WO2003105156A1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：PCT/JP2003/006905
申请日：2003-06-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 森田清之
发明人：豊田健治 , 森田清之
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C14/00 , G11C14/0063 , G11C14/0072 , G11C14/0081 , G11C14/009
摘要：各々のゲート及びドレインが接続されて第１のインバータを構成する第１及び第２のトランジスタ（１０１、１０２）、各々のゲート及びドレインが相互に接続されて第２のインバータを構成する第３及び第４のトランジスタ（１０３、１０４）、ゲートにワード線（１０７）が接続され、第１のビット線（１０８）と第２のインバータの入力端子との間に接続される第５のトランジスタ（１０５）、ゲートにワード線（１０７）が接続され、第２のビット線（１０９）と第１のインバータの入力端子との間に接続される第６のトランジスタ（１０６）、第１及び第２のインバータの各々と直列接続される第１及び第２の抵抗素子（１１４、１１５）を備え、第１のインバータの入力及び出力端子が各々第２のインバータの出力及び入力端子と接続され、接地線（１１１）に接続する第１及び第２の抵抗素子（１１４、１１５）の抵抗値が電気的に変更可能である不揮発性メモリ回路。
摘要翻译：非易失性存储器电路包括第一和第二晶体管（101,102），其栅极和漏极连接成构成第一反相器，第三和第四晶体管（103,104）的栅极和漏极与彼此构成第二反相器，其栅极连接到字线（107）并连接在第一位线（108）和第二反相器的输入端子之间的第五晶体管（105），第六晶体管晶体管（106），其栅极连接到字线（107），并连接在第二位线（109）和第一反相器的输入端之间;以及第一和第二电阻元件（114,115），其连接分别与第一和第二变频器串联。第一反相器的输入端子和输出端子分别连接到第二反相器的输出端子和输入端子。连接到接地线（111）的第一和第二电阻元件（114,115）具有可电气改变的电阻值。

5. 发明申请

WO2004059838A1 不揮発性ラッチ回路及びその駆動方法审中-公开
标题翻译：非挥发性锁闩电路及其驱动方法
公开(公告)号：WO2004059838A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2003/015958
申请日：2003-12-12
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 大塚隆 , 森本廉
发明人：豊田健治 , 大塚隆 , 森本廉
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： G11C11/22 , H03K17/693
摘要：本発明に係る不揮発性ラッチ回路１０は、第１の電極１ａ、第２の電極１ｂ、及びこれら電極間に介在する強誘電体膜１ｃを有する強誘電体キャパシタ１と、第１の電極１ａに接続されるリセット端子Ｔreと、強誘電体キャパシタ１の第２の電極１ｂに接続されるＣＭＯＳインバータ素子２と、第２の電極１ｂに電圧を印加する電圧切り換え用端子Ｔplと、第２の電極１ｂと第２の入力端子Ｔplとの間に接続され、第２の電極１ｂに印加される電圧を切り換えるスイッチング素子５と、このスイッチング素子５にオン・オフを切り換えるための電圧を印加するセット端子Ｔseとを備えており、強誘電体膜１ｃに残留する分極によって第２の電極１ｂに生じる電圧が、ＣＭＯＳインバータ素子２のＮＭＩＳＦＥＴ４のしきい値電圧Ｖtnよりも高くなるように構成されている。
摘要翻译：非易失性锁存电路（10）包括具有第一电极（1a），第二电极（1b）和插入在这些电极之间的铁电体膜（1c）的铁电电容器（1），复位端子（Tre）连接到第一电极（1a），连接到第二电极（1b）的CMOS反相器（2），用于向第二电极（1b）施加电压的电压切换端子（Tpl）;连接在第二电极用于切换施加到第二电极（1b）的电压的第二电极（1b）和第二输入端子（Tpl）以及用于向切换装置（5）施加开/关切换电压的设定端子（Tse）。非易失性锁存电路（10）被设计成通过剩余在铁电体膜（1c）中的极化施加到第二电极（1b）的电压高于NMISFET（4）的阈值电压（Vtn） CMOS反相器（2）。

6. 发明申请

WO2012017623A1 ガス分子検知素子、ガス分子検知装置及びガス分子検知方法审中-公开
标题翻译：气体分子检测元件，气体分子检测装置和气体分子检测方法
公开(公告)号：WO2012017623A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/JP2011/004284
申请日：2011-07-28
申请人：パナソニック株式会社 , 豊田健治
发明人：豊田　健治
IPC分类号： G01N27/416 , G01N27/12
CPC分类号： G01N33/0037 , Y02A50/245 , Y10T436/17 , Y10T436/177692
摘要：　本発明のガス分子検知素子は、被検知ガス分子と結合する検知部が、接続部を介して一対の金属電極間に固定されてなるガス分子検知素子である。検知部は、中心金属として鉄またはコバルトを有する単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体であり、接続部は、該単一ポルフィリンまたは単一ポルフィリン誘導体に結合したメルカプトフェニレンエチニル基である。ガス分子の高感度な検出が可能なガス分子検知素子、ガス分子検知装置およびガス分子検知方法を提供する。
摘要翻译：该气体分子检测元件是将通过连接部固定在一对金属电极之间的待检测气体分子的检测部件而得到的气体分子检测元件。检测部分是单卟啉或单卟啉衍生物，各自具有铁或钴作为中心金属，连接部分是与单卟啉或单卟啉衍生物结合的巯基亚苯基乙烯基。提供了能够高灵敏度地检测气体分子的气体分子检测元件，气体分子检测装置和气体分子检测方法。

7. 发明申请

WO2011096202A1 燃料切換機能付き燃料供給装置审中-公开
标题翻译：具有燃油切换功能的燃油供应装置
公开(公告)号：WO2011096202A1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/JP2011/000564
申请日：2011-02-02
申请人：川崎重工業株式会社 , 豊田健 , 各務幸樹
发明人：豊田　健 , 各務　幸樹
IPC分类号： F02D19/12 , F02B47/02 , F02D19/06 , F02D45/00 , F02M25/022
CPC分类号： F02D19/0634 , F02D19/0657 , F02D19/0684 , F02D19/081 , F02D19/12 , F02D41/0025 , F02M25/0228 , Y02T10/121 , Y02T10/36
摘要：　ディーゼル機関に供給されている燃料油が、第１燃料油（例えばＡ重油）であるか、又は第２燃料油（例えばＣ重油）であるかを判定部が判定して、この判定部の判定結果に基づいて、ディーゼル機関に対して、適切な水エマルジョン燃料や燃料を供給することができるようにすること。　燃料油及び水を含む水エマルジョン燃料を作るために使用されたり、そのままで使用される第１燃料油及び第２燃料油のうち１つの燃料油がディーゼル機関（１２）に供給されるように、供給路切換部（２０）を切換えることができる燃料切換機能付き燃料供給装置（１１）において、ディーゼル機関（１２）に供給されている燃料油が、第１燃料油であるか、又は第２燃料油であるかを判定する判定部が制御部（２８）に設けられた構成であり、この判定部の判定結果に基づいて、ディーゼル機関（１２）に対して、適切な水エマルジョン燃料や燃料を供給することができる。
摘要翻译：为了使确定单元确定供应到柴油发动机的燃料油是否是第一燃料油（例如，A型重油）或第二燃料油（例如C型重油），然后为了能够根据判定单元的判定结果向柴油发动机供给充足的水乳化燃料和燃料，燃料供给装置（11）具有燃料切换功能。燃料切换功能可以切换供应路径切换单元（20）的位置，使得燃料油和用于形成含水的水乳液燃料的第一燃料油或第二燃料油中的一种按原样使用被供应到柴油发动机（12）。燃料供给装置（11）构成为：决定部，其判断供给到柴油发动机（12）的燃料是否是第一燃料油或第二燃料油，被提供给控制部（28）），并且基于确定单元的确定，可以向柴油发动机（12）供应足够的水乳化燃料和燃料。

8. 发明申请

WO2007135861A1 電極界面を改善した有機ＦＥＴ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：具有改进的电极界面的有机FET及其制造方法
公开(公告)号：WO2007135861A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/JP2007/059591
申请日：2007-05-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治
发明人：豊田健治
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/105 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要： An organic FET comprising a gate insulating film formed on a substrate, a source electrode composed of a metal and a drain electrode composed of a metal arranged on the gate insulating film oppositely in the horizontal direction, and an organic semiconductor layer covering the gate insulating film, the source electrode and the drain electrode. This organic FET is characterized in that a first organic molecule layer composed of an alkanethiol molecule having 4 or more carbon atoms is formed, respectively, between the upper surface of the source electrode and the semiconductor layer and between the upper surface of the drain electrode and the semiconductor layer, and a second organic molecule layer composed of a p-thiocresol molecule or a thiophenol molecule is formed, respectively, between the opposing side face of the source electrode and the semiconductor layer and between the opposing side face of the drain electrode and the semiconductor layer.
摘要翻译：一种有机FET，包括形成在基板上的栅极绝缘膜，由金属构成的源电极和由在水平方向上相反地布置在栅极绝缘膜上的金属构成的漏电极和覆盖栅极绝缘膜的有机半导体层源电极和漏电极。该有机FET的特征在于，在源电极的上表面和半导体层之间以及在漏电极的上表面之间以及在漏电极的上表面之间以及在漏电极的上表面之间分别形成由具有4个或更多个碳原子的链烷硫醇分子构成的第一有机分子层和半导体层和由对硫基甲酚分子或苯硫酚分子构成的第二有机分子层分别形成在源电极的相对侧面和半导体层之间以及在漏电极的相对侧面之间以及与漏极电极的相对侧面之间半导体层。

9. 发明申请

WO2004040582A1 抵抗変化素子を用いた不揮発性フリップフロップ回路の駆動方法审中-公开
标题翻译：使用电阻变化元件驱动非易失性FLIP-FLOP电路的方法
公开(公告)号：WO2004040582A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/JP2003/013813
申请日：2003-10-29
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 大塚隆
发明人：豊田健治 , 大塚隆
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C14/009 , G11C13/0004 , G11C14/0072 , H01L27/101 , H03K3/356008
摘要： A method for driving a non-volatile flip-flop circuit including a first and a second resistance change element connected via a control transistor to a first and a second storage node of the flip-flop circuit. The method includes a store step in which both of the first and the second resistance change elements are set to a low resistance and among the first and the second resistance change elements, the resistance change element connected to a storage node for storing "0" is maintained at the low resistance while the resistance change element connected to the storage node for storing "1" alone is set to a high resistance; and a recall step in which "1" is stored in the storage node connected to the resistance change element which is at the high resistance and subsequently, "0" is stored in the storage node connected to the resistance change element which is at the low resistance.
摘要翻译：一种用于驱动非易失性触发器电路的方法，包括经由控制晶体管连接到触发器电路的第一和第二存储节点的第一和第二电阻变化元件。该方法包括存储步骤，其中第一和第二电阻变化元件都被设置为低电阻，并且在第一和第二电阻变化元件中，连接到用于存储“0”的存储节点的电阻变化元件是保持在低电阻，而连接到用于存储“1”的存储节点的电阻变化元件被设置为高电阻; 以及“1”被存储在连接到电阻变化元件的存储节点中，该电阻变化元件处于高电阻，并且随后在连接到低电阻变化元件的存储节点中存储“0” 抵抗性。

10. 发明申请

WO2005055425A1 不揮発性フリップフロップ回路およびその駆動方法审中-公开
标题翻译：非挥发性FLIP-FLOP电路及其驱动方法
公开(公告)号：WO2005055425A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/JP2004/017786
申请日：2004-11-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 西川孝司 , 豊田健治 , 大塚隆
发明人：西川孝司 , 豊田健治 , 大塚隆
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K3/356008 , G11C11/22
摘要：　第１のクロックトインバータ（６０４）、第２のクロックトインバータ（６０３）及び第３のスイッチング素子（６０２）がオンの状態で、且つ、第１のスイッチング素子（６０５）、第２のスイッチング素子（６０７）及び第３のクロックトインバータ（６０８）がオフの状態で、データ信号Ｄが入力されることにより、強誘電体ゲートトランジスタ（６０１）が有する強誘電体の分極を利用して、入力されたデータ信号Ｄが保持されるデータ保持ステップと、第１のクロックトインバータ（６０４）、第２のクロックトインバータ（６０３）及び第３のスイッチング素子（６０２）がオフの状態で、且つ、第１のスイッチング素子（６０５）、第２のスイッチング素子（６０７）及び第３のクロックトインバータ（６０８）がオンの状態となるように切り替えることにより、データ信号Ｄの入力が遮断されると共に強誘電体ゲートトランジスタ（６０１）が有する強誘電体の分極の状態が維持され、保持されたデータ信号Ｄに基づき出力信号Ｑ（−Ｑ）が出力されるデータ出力ステップとを備える不揮発性フリップフロップ回路の駆動方法である。
摘要翻译：一种用于驱动非易失性触发电路的方法，包括数据保持步骤，其中第一时钟反相器（604），第二时钟反相器（603）和第三开关元件（602）处于导通状态，第一开关元件（605），第二开关元件（607）和第三时钟反相器（608）处于截止状态，并且输入数据信号（D），由此铁电栅极晶体管（601）的铁电极化被用于保持输入数据信号（D）; 以及数据输出步骤，其中第一时钟反相器（604），第二时钟反相器（603）和第三开关元件（602）截止，第一开关元件（605），第二开关元件（607）和第三时钟反相器（608）导通，从而切断数据信号（D）的施加，并且维持铁电栅极晶体管（601）的铁电极化，从而输出输出信号Q（-Q）基于所保持的数据信号（D）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式