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1. 发明申请

WO2008142732A1 半導体メモリ审中-公开
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：WO2008142732A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2007/000533
申请日：2007-05-18
申请人：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 , 森田敬三 , 中林謙一
发明人：森田敬三 , 中林謙一
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/4099
CPC分类号： G11C11/22 , G11C7/08 , G11C7/222 , G11C7/227
摘要：　電圧検出回路は、一対のビット線の一方に読み出される電荷量が所定量に到達したときに、検出信号を出力する。タイミング生成回路のマスク回路は、センスアンプ活性化信号の出力を検出信号が出力されるまでマスクする。センスアンプは、センスアンプ活性化信号に同期してメモリセルからビット線に読み出されるデータの論理を判定する。センスアンプの動作は、所定量の電荷がメモリセルからビット線に読み出された後、すなわち、検出信号の出力後に開始される。このため、半導体メモリの製造条件の変動により、タイミング信号の出力タイミングが早くなった場合にも、メモリセルから読み出されるデータをセンスアンプに正しくラッチできる。この結果、半導体メモリの誤動作を防止できる。
摘要翻译：当一对位线之一读取的电荷量达到规定量时，电压检测电路输出检测信号。定时产生电路的屏蔽电路屏蔽感测放大器激活信号的输出，直到输出检测信号。读出放大器通过与读出放大器激活信号同步来判断从存储器单元读取到位线的数据的逻辑。读出放大器的动作在从位于存储单元的位线读出规定量的电荷之后即输出检测信号之后开始。因此，即使由于半导体存储器的制造条件的波动，定时信号的输出定时变得快，从存储单元读出的数据也可以由读出放大器正确锁存。结果，可以防止半导体存储器的故障。

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