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1. 发明申请

WO2006098013A1 記憶装置、および記憶装置の制御方法审中-公开
标题翻译：存储设备和存储设备控制方法
公开(公告)号：WO2006098013A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2005/004621
申请日：2005-03-16
申请人：スパンションエルエルシー , Spansion Japan株式会社 , 新林幸司 , 古山孝昭 , 柴田健二
发明人：新林幸司 , 古山孝昭 , 柴田健二
IPC分类号： G11C16/26 , G11C7/12
CPC分类号： G11C7/08 , G11C7/1018 , G11C16/26 , G11C16/32
摘要：　アクセス識別回路４では、バーストアドレスであるコラムアドレスＣＡＤＤを検出し、ワード線を更新して新たなメモリセルＭＣを選択した上で記憶データを読み出す第１アクセス動作と、既に選択されているワード線に共通に接続されているメモリセルＭＣを、コラム選択スイッチを順次切り替えて選択する第２アクセス動作とを識別して識別信号Ｓを出力する。ダミー負荷回路５において負荷条件を設定し、または／および増幅制御回路６においてイコライズ信号ＥＱのパルス幅を設定する動作条件情報Ｄｘ（ＤＡｘまたは／およびＤＢｘ）は、第１および第２アクセス動作ごとに第１および第２格納部１、２に格納されており、識別信号Ｓに応じてセレクタ回路３により選択されて、ダミー負荷回路５または／および増幅制御回路６に供給される。アクセス動作ごとに好適な動作条件が選択される。
摘要翻译：访问鉴别电路（4）鉴别其中检测到突发地址的列地址（CADD）的第一访问操作被更新，字线被更新，新存储单元（MC）被选择然后存储读取数据，并且通过顺序地切换列选择开关来选择其中共同连接到已经选择的字线的存储单元（MC）的第二存取操作，以输出鉴别信号（S）。用于在虚拟负载电路（5）中建立负载状态或/和用于在放大控制电路中建立均衡信号（EQ）的脉冲宽度的操作条件信息（Dx（DAx或/和DBx））（6）存储在第一和第二存取操作中的每一个的第一和第二存储部分（1,2）中，并且由选择器电路（3）根据用于应用于虚拟的识别信号（S）负载电路（5）或放大控制电路（6）。选择适合于相应的访问操作的操作条件。

2. 发明申请

WO2005081259A1 電流電圧変換回路、およびその制御方法审中-公开
标题翻译：电流/电压转换电路及其控制方法
公开(公告)号：WO2005081259A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2004/001938
申请日：2004-02-19
申请人：スパンションエルエルシー , 柴田健二 , 川本悟
发明人：柴田健二 , 川本悟
IPC分类号： G11C16/26
CPC分类号： G11C16/28
摘要：　電流電圧変換回路１に取り込まれた入力電流は、出力端子ＳＡＩＮにおいて電圧値に変換された後、差動増幅回路５により基準電圧Ｖｒｅｆとの間で差動増幅されて出力される。出力端子ＳＡＩＮには、電源電圧ＶＣＣとの間にＰＭＯＳ／ＮＭＯＳトランジスタＴ１／Ｔ２が接続される。電流電圧変換動作は、各トランジスタを導通して出力端子ＳＡＩＮを電源電圧ＶＣＣにプリチャージした上で入力電流により電圧降下を発生させて行われる。プリチャージ動作は、出力端子ＳＡＩＮを電源電圧ＶＣＣまで充電すると共に、共通データ線Ｎ３やビット線にも電荷を供給してプリチャージする。出力端子ＳＡＩＮから共通データ線を介してビット線に至る多大な配線容量のプリチャージには、高い電流駆動能力を有するＮＭＯＳトランジスタＴ２を利用して行うことができ、電源電圧ＶＣＣまでのプリチャージには、ＰＭＯＳトランジスタＴ１で対応することができる。
摘要翻译：在电流/电压转换电路（1）的输入电流在输出端子SAIN处被转换为电压值，差分放大电路（5）基于参考电压Vref进行该电压的差分放大。 PMOS / NMOS晶体管T1 / T2连接在输出端子SAIN和电源电压VCC之间。通过使每个晶体管通过电源电压VCC对输出端子SAIN进行预充电，然后利用输入电流产生电压降来进行电流/电压转换操作。通过在电源电压VCC对输出端子SAIN充电的同时通过提供电荷来使公共数据线N3和位线预充电。通过使用具有高电流驱动能力的NMOS晶体管T2和直到电源电压VCC的预充电，通过公共数据线从输出端子SAIN到位线的相当大的布线容量可以通过PMOS晶体管 T1。

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