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1. 发明申请

WO2005117138A1 太陽電池用半導体基板とその製造方法および太陽電池审中-公开
标题翻译：用于太阳能电池的半导体衬底，其制造方法和太阳能电池
公开(公告)号：WO2005117138A1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/JP2005/009675
申请日：2005-05-26
申请人：シャープ株式会社 , 小松雄爾 , 福村弘之 , 高場芳朗 , 尾崎亮 , 布居徹
发明人：小松雄爾 , 福村弘之 , 高場芳朗 , 尾崎亮 , 布居徹
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要：　太陽電池の光入射面を構成する半導体基板の表面が、凹凸を含む表面積が仮想平滑面の表面積の１．２～２．２倍であり、かつその凹凸の高さの標準偏差が１．０μｍ以下である表面凹凸構造を有することからなる太陽電池用半導体基板。
摘要翻译：提供了一种用于太阳能电池的半导体衬底。构成太阳能电池的入射面的半导体基板的表面具有凹凸的表面积，虚拟平滑面的表面积的1.2-2.2倍，高度标准偏差的表面凹凸结构不匀度为1.0mum以下。

2. 发明申请

WO2003075363A1 光電変換素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换器及其制作方法
公开(公告)号：WO2003075363A1
公开(公告)日：2003-09-12
申请号：PCT/JP2003/002408
申请日：2003-03-03
申请人：シャープ株式会社 , 山嵜一郎 , 布居徹
发明人：山嵜一郎 , 布居徹
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： A photoelectric converting device with a semiconductor substrate of a first conductivity type having an uneven surface, comprising a semiconductor layer of a second conductivity type formed on the semiconductor substrate, a front surface electrode connected to the semiconductor layer, and a back surface electrode formed on the back surface of the semiconductor substrate. The thickness of the semiconductor layer is the greatest at the area in contact with the front surface electrode and becomes less as the distance from the area increases. Thus, a photoelectric converting device having a high reliability and an excellent photoelectric conversion efficiency is realized by a simple production process.
摘要翻译：一种具有第一导电类型的具有不平坦表面的半导体衬底的光电转换器件，包括形成在半导体衬底上的第二导电类型的半导体层，连接到半导体层的正面电极和形成在半导体层上的背面电极半导体衬底的背面。半导体层的厚度在与前表面电极接触的面积上最大，随着距离面积的增加而变小。因此，通过简单的制造工艺实现了具有高可靠性和优异的光电转换效率的光电转换装置。

3. 发明申请

WO2004036658A1 太陽電池およびそれを用いた太陽電池モジュール审中-公开
标题翻译：太阳能电池和太阳能电池模块使用相同
公开(公告)号：WO2004036658A1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/JP2003/013101
申请日：2003-10-14
申请人：シャープ株式会社 , 楊民挙 , 布居徹
发明人：楊民挙 , 布居徹
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/02167 , H01L31/0504 , H01L31/0543 , H01L31/0547 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y10T428/24942
摘要：表面と裏面を有する光電変換層と、光電変換層の裏面に設けられる反射層とを備え、反射層は、屈折率が互いに異なる複数の透光層を交互に積層してなり、かつ、光電変換層の表面から光が入射するとき、その光のうち特定の波長の光を光電変換層へ反射する太陽電池であり、特定の波長の光を長波長光に設定した場合には、光電変換層の厚さが薄くても高い光電変換効率が得られる。
摘要翻译：太阳能电池包括具有前表面和后表面的光电转换层和设置在光电转换层的背表面上的反射层。反射层是具有不同折射率和交替的多个透明层的多层。入射到光电转换层的表面的光中具有特定波长的光被反射到光电转换层。当选择长波长的光作为具有特定波长的光时，即使用薄的光电转换层也可以获得高的光电转换效率。

4. 发明申请

WO2003078319A1 シリコンの精製方法およびその方法を用いて作製されたシリコン、ならびに太陽電池审中-公开
标题翻译：纯化硅的方法和方法和太阳能电池产生的硅
公开(公告)号：WO2003078319A1
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：PCT/JP2003/002964
申请日：2003-03-12
申请人：シャープ株式会社 , 福山稔章 , 和田健司 , 早川尚志 , 布居徹
发明人：福山稔章 , 和田健司 , 早川尚志 , 布居徹
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　シリコンの精製のために、まず不純物を含むシリコンと、不純物精製用の精製添加剤（１０）を加熱して、シリコンを溶融した状態にする。そして精製添加剤（１０）が溶融シリコン（１５）と混合するように攪拌しながら、不揮発性の不純物量を低減する工程、揮発性の不純物量を低減する工程、さらに、溶融シリコン（１５）に析出用基体（３３）を浸漬し、該析出用基体（３３）の表面に精製シリコン（３６）を晶出させて、不純物量を低減する工程を行う。かかる工程を採用することにより、大掛かりな精製設備が不要となり、かつシリコンやスラグを溶解、凝固を繰り返すことによるエネルギーロスを少なくすることができる。この結果、純度７Ｎ（ナイン）程度まで金属シリコンを精製して、太陽電池用のシリコンを安価に提供することができる。
摘要翻译：对于硅纯化，首先，加热含硅杂质以及用于除去杂质的净化添加剂（10），使得硅转化为熔融形式。对混合物进行搅拌的同时还原不挥发性杂质的量，以使纯化添加剂（10）与熔融硅（15）混合，减少挥发性杂质的步骤和浸渍结晶步骤在熔融硅（15）中的基板（33），使得纯化的硅（36）在结晶基板（33）的表面上结晶，从而减少杂质量。采用这些步骤可以使大规模的净化设备变得不必要，并且可以减少由于硅和块塞的熔化和固化的重复而导致的能量损失。结果，可以获得纯度为约7N（9）的金属硅，从而可以提供低成本的太阳能电池用硅。

5. 发明申请

WO2003029143A1 シリコンシートとそれを含む太陽電池审中-公开
标题翻译：硅片和太阳能电池，包括它们
公开(公告)号：WO2003029143A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/JP2002/009654
申请日：2002-09-19
申请人：シャープ株式会社 , 光安秀美 , 布居徹 , 長野尉絵
发明人：光安秀美 , 布居徹 , 長野尉絵
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： A silicon sheet directly formed by solidification of a liquid phase silicon by bringing a silicon melt into contact with a cooling base is characterized in that the average silicon crystal particle sizes of the silicon crystals formed on a first major surface 1 that has been in contact with the silicon melt and on a second major surface 2 that has been in contact with the cooling base are both below 10 mm, and the average crystal particle size on the first major surface 1 is larger than that on the second major surface 2. By such a characteristic, a silicon sheet enabling both high-rate growth and good semiconductor characters and a solar cell using the sheet are provided.
摘要翻译：通过使硅熔融物与冷却基底接触而直接通过液相硅固化形成的硅片的特征在于，在与第一主表面1接触的第一主表面1上形成的硅晶体的平均硅晶粒度硅熔体和与冷却基底接触的第二主表面2均低于10mm，第一主表面1上的平均晶粒尺寸大于第二主表面2上的平均晶粒度。由此提供了能够实现高速率生长和良好半导体特性的硅片以及使用该片的太阳能电池的特征。

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