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1. 发明申请

WO2011126093A1 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管，溅射靶和薄膜晶体管半导体层的氧化物
公开(公告)号：WO2011126093A1
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：PCT/JP2011/058847
申请日：2011-04-07
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 森田晋也 , 釘宮敏洋 , 前田剛彰 , 安野聡 , 寺尾泰昭 , 三木綾
发明人：森田　晋也 , 釘宮　敏洋 , 前田　剛彰 , 安野　聡 , 寺尾　泰昭 , 三木　綾
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：　薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。
摘要翻译：公开了一种用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，当在包括半导体层中的氧化物半导体的薄膜晶体管中使用时，对晶体管赋予良好的开关特性和耐应力性。具体公开了用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其用于薄膜晶体管的半导体层，并且包含选自In，Ga和Zn中的至少一种元素和至少一种元素选择从由Al，Si，Ni，Ge，Sn，Hf，Ta和W组成的组X

2. 发明申请

WO2011125802A1 配線構造、表示装置、および半導体装置审中-公开
标题翻译：布线结构，显示器件和半导体器件
公开(公告)号：WO2011125802A1
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：PCT/JP2011/058141
申请日：2011-03-30
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 寺尾泰昭 , 森田晋也 , 三木綾 , 富久勝文 , 後藤裕史
发明人：寺尾　泰昭 , 森田　晋也 , 三木　綾 , 富久　勝文 , 後藤　裕史
IPC分类号： H01L21/28 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/3211 , H01L21/76867 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：　Ｃｕ系合金配線膜と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに密着性に優れた配線構造を提供する。本発明は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ合金層との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ－Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素および酸素のいずれかの元素は前記半導体層のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層は、Ｃｕ－Ｘ合金層（第一層）と第二層とを含む積層構造である配線構造に関する。
摘要翻译：公开了即使消除通常设置在Cu合金布线膜和半导体层之间的阻挡金属层以及具有优异的粘附性的布线结构，也可以获得优异的低接触电阻的布线结构。布线结构在基板上依次从基板侧设置有半导体层和Cu合金层。在半导体层和Cu合金层之间包含层叠结构。层叠结构由含有选自氮，碳，氟和氧中的至少一种元素的（N，C，F，O）层构成，Cu-Si扩散层包含Cu和 Si，从衬底侧依次。构成（N，C，F，O）层的由氮，碳，氟和氧构成的组中的至少一种元素与半导体层中的Si键合。 Cu合金层是含有Cu-X合金层（第一层）和第二层的层叠结构。

3. 发明申请

WO2012011539A1 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置审中-公开
标题翻译：用于显示装置的CU合金膜和显示装置
公开(公告)号：WO2012011539A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/JP2011/066614
申请日：2011-07-21
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 三木綾 , 釘宮敏洋 , 寺尾泰昭
发明人：三木　綾 , 釘宮　敏洋 , 寺尾　泰昭
IPC分类号： G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C30/00 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786 , C22F1/00
CPC分类号： G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C14/185 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3279 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78669 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , Y10T428/12535 , Y10T428/12611 , H01L2924/00
摘要：本発明は、酸素含有絶縁体層との高い密着性、および低い電気抵抗率を有する、Ｃｕ合金膜を備えた表示装置を提供する。本発明は、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｗ，ＮｂおよびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で１．２～２０原子％含むＣｕ合金からなる第一層（Ｙ）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層（Ｙ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層（Ｘ）と、を含む積層構造を有し、前記第一層（Ｙ）の一部または全部は、酸素含有絶縁体層（２７）と直接接触しており、且つ、第一層（Ｙ）がＺｎまたはＮｉを含有する場合は、第一層（Ｙ）の膜厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、第一層（Ｙ）がＺｎおよびＮｉを含有しない場合は、第一層（Ｙ）の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である表示装置用Ｃｕ合金膜、並びに、該Ｃｕ合金膜を有する表示装置に関する。
摘要翻译：本发明提供一种显示装置，其具有与含氧绝缘体层具有高粘附性和低电阻率的Cu合金膜。本发明涉及一种用于显示装置的Cu合金膜，所述膜具有层叠结构，该叠层结构包括由Cu合金构成的第一层（Y），其中总共含有1.2-20atm％的至少一种选自由Zn，Ni，Ti，Al，Mg，Ca，W，Nb和Mn组成的组以及以Cu为主要成分的纯Cu或Cu合金构成的第二层（X），电阻率低于Cu 的第一层（Y）。一部分或全部第一层（Y）与含氧绝缘体层（27）直接接触，在第一层（Y）含有Zn或Ni的情况下，第一层（Y ）为10〜100nm，在第一层（Y）不含有Zn和Ni的情况下，第一层（Y）的厚度为5〜100nm。本发明还涉及具有Cu合金膜的显示装置。

4. 发明申请

WO2010122829A1 ＮＭＲ用プローブ审中-公开
标题翻译： NMR探针
公开(公告)号：WO2010122829A1
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/JP2010/051710
申请日：2010-02-05
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 寺尾泰昭 , 三木孝史
发明人：寺尾　泰昭 , 三木　孝史
IPC分类号： G01R33/32 , G01R33/34
CPC分类号： G01R33/34053 , G01R33/34061 , G01R33/34092
摘要：　本発明の目的は、試料チップ毎にＲＦコイルを作製する手間を省くことができるとともに、高周波磁場の均一性を従来よりも向上できるＮＭＲ用プローブを提供することである。本発明は、微細加工技術により形成された第１ＲＦコイル７を有する第１基板２と、第１コイル基板２に対して並行に固定配置されるとともに微細加工技術により形成された第２ＲＦコイル８を有する第２基板３と、第１基板２と第２基板３との間に配置されるとともに微細加工技術により形成された試料空間４ａを有する試料基板４と、を備えるＮＭＲ用プローブ１である。試料基板４の表面またはコイル基板９の内側面（差し込み用スペース９ａを区画形成する面）には、重水化溶媒液が塗布されている。
摘要翻译：公开了一种NMR探针，其能够节省为每个样品芯片制造RF线圈的劳动和时间，并提高高频磁场的均匀性。 NMR探针（1）设置有具有通过微细制造制造的第一RF线圈（7）的第一基板（2），与第一线圈基板（2）平行地固定设置的第二基板（3），并且具有第二RF 通过微细加工制造的线圈（8）和设置在第一基板（2）和第二基板（3）之间并具有通过微细加工制造的样品空间（4a）的样品基板（4）。将氘代溶剂施加到样品基板（4）的表面或线圈基板（9）的内侧表面（限定插入空间（9a）的表面）。

5. 发明申请

WO2011132644A1 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管半导体层氧化物，溅射靶和薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2011132644A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/JP2011/059554
申请日：2011-04-18
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 三木綾 , 岩成裕美 , 釘宮敏洋 , 森田晋也 , 寺尾泰昭 , 安野聡
发明人：三木　綾 , 岩成　裕美 , 釘宮　敏洋 , 森田　晋也 , 寺尾　泰昭 , 安野　聡
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：　薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特にＺｎＯ濃度が高い領域であっても、また保護膜形成後およびストレス印加後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、ＺｎおよびＳｎを含み、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａ、および希土類元素よりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素を更に含んでいる。
摘要翻译：公开了一种用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物具有优异的薄膜晶体管的开关特性，特别是即使在ZnO浓度高的区域也能够稳定地获得有利的特性，即使在形成保护膜并施加应力之后。氧化物用于薄膜晶体管的半导体层，上述氧化物含有Zn和Sn，还含有选自由Al，Hf，Ta，Ti，Nb，Mg，Ga组成的组X中的至少一种元素，和稀土元素。

6. 发明申请

WO2011118230A1 臨床検査用ＮＭＲ分析装置审中-公开
标题翻译： NMR分析仪用于实验室测试
公开(公告)号：WO2011118230A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/JP2011/001779
申请日：2011-03-25
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 三木孝史 , 寺尾泰昭
发明人：三木　孝史 , 寺尾　泰昭
IPC分类号： G01R33/30 , G01R33/31 , G01R33/32
CPC分类号： G01R33/307 , G01R33/34069 , G01R33/34092 , G01R33/3635 , G01R33/3804 , G01R33/3875 , G01R33/465
摘要：　医療機関で用いるのに適したコンパクトな臨床検査用ＮＭＲ分析装置を提供すること。　人体から抽出した液体成分を含む試料を分析するための臨床検査用ＮＭＲ分析装置１であって、試料を送り出す送液ポンプ６と、送液ポンプ６から送り出された試料を受け入れる送液管１８と、送液管１８をその軸線回りに取り囲む超伝導磁石７と、超伝導磁石７及び液体ヘリウム８を収容するヘリウム容器９と、真空室を有し、この真空室内でヘリウム容器９を収容する真空容器１２と、真空容器１２内でヘリウム容器９を覆う熱シールド１０、１１と、ヘリウム容器９内で気化したヘリウムを再凝縮するとともに熱シールド１０、１１を冷却する再凝縮部３とを備えている。
摘要翻译：提供一种适用于医疗设施的实验室测试的紧凑型NMR分析仪。用于实验室测试的NMR分析仪（1）用于分析从人体提取的含有液体组分的样品，包括：供给样品的溶液供给泵（6）溶液供给管（18），其接收由溶液供给泵（6）进料的样品; 围绕所述溶液供给管（18）围绕其轴线的超导磁体（7）; 容纳超导磁体（7）和液氦（8）的氦容器（9）; 和真空室。用于实验室试验（1）的NMR分析仪设置有真空容器（12），其在真空室内并容纳氦容器（9）; 隔热罩（10,11），其位于真空容器（12）内并覆盖氦容器（9）; 以及再冷凝部，其再凝固在氦容器（9）内部蒸发的氦，并且冷却所述隔热罩（10,11）。

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