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1. 发明申请

WO2012176232A1 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機ＥＬ表示素子とその製造方法、および有機ＥＬ表示装置审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管元件及其制造方法，有机EL显示元件及其制造方法以及有机EL显示器件
公开(公告)号：WO2012176232A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/JP2011/003549
申请日：2011-06-21
申请人：パナソニック株式会社 , 奥本有子 , 宮本明人 , 受田高明
发明人：奥本　有子 , 宮本　明人 , 受田　高明
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0512 , H01L51/0558 , H01L51/56
摘要：　ＴＦＴ基板では、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが形成され、その上が絶縁層１０１３により被覆されている。絶縁層１０１３上には、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけた状態でソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄと、接続配線１０１５が形成されている。接続配線１０１５は、ドレイン電極１０１２ａと接続されている。絶縁層１０１３上には、電極１０１４ａ～１０１４ｄ，１０１５の各一部が露出するように開口部１０１６ａ～１０１６ｃが開けられた隔壁１０１６が形成されている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部は斜面になっており、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆは、他の側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ～１０１６ｋよりも緩やかな傾斜を以って形成されている。
摘要翻译： TFT基板具有形成在基板（1011）上的栅电极（1012a，1012b）和覆盖其顶部的绝缘层（1013）。绝缘层（1013）的顶部具有在其上形成有沿Y轴方向彼此间隔的源极（1014a，1014b）和漏电极（1014c，1014d），并且还形成有连接布线（1015）。连接配线（1015）与漏电极（1014c）连接。绝缘层（1013）的顶部还具有形成在其上的分隔壁（1016），其中以使得电极（1014a-1014d）和连接布线（1015）露出的方式形成开口（1016a-1016c）。面对开口（1016b，1016c）的分隔壁（1016）的侧面部分是倾斜的表面。侧面部分（1016e，1016f）形成为具有比其它侧面部分（1016d，1016g，1016h-1016k）更多的渐变斜率。

2. 发明申请

WO2012085987A1 半導体トランジスタの製造方法、並びに該方法で製造した半導体トランジスタを用いた駆動回路、該駆動回路と表示素子とを含んでなる画素回路、該画素回路が行列状に配置された表示パネル、及び該パネルを備えた表示装置审中-公开
标题翻译：使用通过公式生成的半导体晶体管的半导体晶体管的驱动电路的方法，包括所述驱动电路和显示元件的像素电路，具有安装在矩阵和DI中的所述像素电路的显示面板
公开(公告)号：WO2012085987A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/JP2010/007525
申请日：2010-12-24
申请人：パナソニック株式会社 , 奥本有子 , 宮本明人
发明人：奥本　有子 , 宮本　明人
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L51/0541 , H01L51/102
摘要：　基板を含む下地層上に、レジスト材料を含むレジスト層４を形成する第１工程と、レジスト層４を部分的にパターニングし、レジスト層４に複数の開口を形成する第２工程と、レジスト層４上およびレジスト層４の複数の開口の内部に対し、ソース電極およびドレイン電極を構成する金属材料を含む金属層５を形成する第３工程と、金属層５の表面部分が酸化されることにより形成された金属酸化物層６を、洗浄液を用いて洗浄処理することにより除去する第４工程と、第４工程の後、前記洗浄液とは別の溶解液を用いてレジスト層４を除去することにより、レジスト層４の複数の開口に形成された金属層からなる、ソース電極７およびドレイン電極８を形成する第５工程と、ソース電極７およびドレイン電極８を覆って、半導体層９を形成する第６工程とを有することを特徴とする半導体トランジスタの製造方法。
摘要翻译：一种制造半导体晶体管的方法包括：在包括衬底的基底层上形成含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层（4）的第一步骤; 部分地图案化抗蚀剂层（4）并由此在抗蚀剂层（4）中形成多个开口的第二步骤; 在抗蚀剂层（4）和抗蚀剂层（4）的所述开口内部形成包含构成源电极和漏电极的金属材料的金属层（5）的第三步骤; 第四步骤，通过用清洗液清洗金属氧化物层，去除由金属层（5）的表面部分氧化而形成的金属氧化物层（6）; 在第四步骤之后用不同于所述清洗液的溶解液去除抗蚀剂层（4）的第五步骤，从而形成由形成在所述第一步骤中形成的金属层组成的源电极（7）和漏电极（8）抗蚀剂层（4）中的开口; 以及形成半导体层（9）以覆盖源电极（7）和漏电极（8）的第六步骤。

3. 发明申请

WO2013018137A1 表示パネル装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：显示面板装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2013018137A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/JP2011/004380
申请日：2011-08-03
申请人：パナソニック株式会社 , 是澤康平 , 奥本有子 , 笹井謙一 , 受田高明
发明人：是澤　康平 , 奥本　有子 , 笹井　謙一 , 受田　高明
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H05B33/02 , H05B33/14
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/7869
摘要：　本発明に係る表示パネル装置（１００）は、基板（１）と、基板上に形成されたゲート電極（２）と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜（３）と、ゲート絶縁膜上に形成された第１ソース電極（４１）と、第１ソース電極上に形成された第２ソース電極（４２）と、ゲート絶縁膜上に形成された第１ドレイン電極（５１）と、第１ドレイン電極上に形成された第２ドレイン電極（５２）と、少なくとも第２ソース電極の一部及び第２ドレイン電極の一部を露出する開口を有する第１隔壁部（６）と、開口内に形成され、少なくとも第２ソース電極及び第２ドレイン電極と接する半導体層（７）と、半導体層の上方に形成された絶縁層（８）と、絶縁層上に形成された下部電極（９）と、絶縁層に形成され、下部電極と第２ドレイン電極又は第２ドレイン電極とを接続するためのコンタクトホール（８Ｈ）と、を含み、第２ソース電極及び第２ドレイン電極の膜構造は、第１ソース電極及び第１ドレイン電極の膜構造よりも疎である。
摘要翻译：公开了一种显示面板装置（100），包括：基板（1）; 形成在所述基板上的栅电极（2）形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜（3）形成在所述栅极绝缘膜上的第一源电极（41）形成在所述第一源电极上的第二源极（42）形成在所述栅极绝缘膜上的第一漏电极（51）形成在所述第一漏电极上的第二漏电极; 具有露出所述第二源电极和所述第二漏电极的一部分的至少一部分的开口的第一隔板（6）形成在所述开口内并与至少所述第二源电极和所述第二漏电极接触的半导体层（7）; 形成在所述半导体层上方的绝缘层; 形成在所述绝缘层上的底部电极（9）以及形成在所述绝缘层中并且用于连接所述底部电极和所述第二源电极或所述第二漏电极的接触孔（8H）。与第一源电极和第一漏电极的膜结构相比，第二源电极和第二漏电极的膜结构较不致密。

4. 发明申请

WO2012176231A1 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管元件及其制造方法，有机EL显示元件和有机EL显示器件
公开(公告)号：WO2012176231A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/JP2011/003547
申请日：2011-06-21
申请人：パナソニック株式会社 , 奥本有子 , 宮本明人 , 受田高明
发明人：奥本　有子 , 宮本　明人 , 受田　高明
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： H01L27/3274 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L51/0508 , H01L51/0558
摘要：　ＴＦＴ基板では、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが形成され、その上が絶縁層１０１３により被覆されている。絶縁層１０１３上には、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけた状態でソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄと、接続配線１０１５が形成されている。接続配線１０１５は、ドレイン電極１０１２ｃと接続されている。絶縁層１０１３上には、電極１０１４ａ～１０１４ｄ，１０１５の各一部が露出するように開口部１０１６ａ～１０１６ｃを規定する隔壁１０１６が形成されている。開口部１０１６ｂの内部では、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃとの表面積の和のＸ軸方向の中心Ｌ３が開口部１０１６ｂの底部の中心Ｌ１よりもＸ軸方向右側に距離Ｘ１だけ離間している。隔壁１０１６、絶縁層１０１３、電極１０１４ａ，１０１４ｃの順に、撥液性が高い。
摘要翻译： TFT基板具有形成在基板（1011）上的栅电极（1012a，1012b）和覆盖其顶部的绝缘层（1013）。绝缘层（1013）的顶部具有在其上形成有沿Y轴方向彼此间隔的源极（1014a，1014b）和漏电极（1014c，1014d），并且还形成有连接布线（1015）。连接配线（1015）与漏电极（1014c）连接。绝缘层（1013）的顶部还具有分隔壁（1016），用于限定开口（1016a-1016c），以露出电极（1014a-1014d）和连接布线（1015）。在开口（1016b）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）两者的总表面积的X轴方向上的中心（L3）偏移到X的右侧轴方向相对于开口（1016b）的底部的中心（L1）只有一个距离（X1）。分隔壁（1016），绝缘层（1013）和电极（1014a，1014c）的排斥性按所列顺序最高到最低。

5. 发明申请

WO2012085984A1 電界効果型半導体トランジスタの製造方法、該方法により製造された電界効果型半導体トランジスタを用いた駆動回路と表示素子とを含んでなる画素回路、該画素回路が行列状に配置された表示パネル、及び該パネルを備えた表示装置审中-公开
标题翻译：用于生成场效应半导体晶体管的方法，包括显示元件和驱动电路的像素电路，使用通过公知方法产生的场效应半导体晶体管，具有安装在矩阵中的示例像素电路的显示面板，
公开(公告)号：WO2012085984A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/JP2010/007507
申请日：2010-12-24
申请人：パナソニック株式会社 , 奥本有子 , 宮本明人
发明人：奥本　有子 , 宮本　明人
IPC分类号： H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/10 , H01L27/3274 , H01L51/0525 , H01L51/0545
摘要：　基板１上にゲート電極２を形成する第１工程と、基板１上のゲート電極２を覆ってゲート絶縁層３を形成する第２工程と、ゲート絶縁層３上の互いに離れた位置にソース電極７およびドレイン電極８を形成する第３工程と、ソース電極７とドレイン電極８との間に位置するゲート絶縁層３のうち、その表面を含む一部を除去する第４工程と、表面を含む一部が除去された状態のゲート絶縁層３を、表面処理剤を用いて表面処理する第５工程と、表面処理されたゲート絶縁層３表面を、極性溶媒を用いて洗浄処理する第６工程と、ゲート絶縁層３上におけるソース電極７およびドレイン電極８の間に材料塗布し、半導体層１０を形成する第７工程とを有する電界効果型半導体トランジスタの製造方法。
摘要翻译：一种场效应半导体晶体管的制造方法包括：在基板（1）上形成栅电极（2）的第一工序; 形成栅极绝缘层（3）以覆盖基板（1）上的栅电极（2）的第二步骤; 在栅极绝缘层（3）上彼此分离的位置处形成源电极（7）和漏电极（8）的第三步骤; 除去位于源电极（7）和漏电极（8）之间的栅极绝缘层（3）的包括表面的部分的第四步骤; 对通过表面处理剂进行表面处理的将除去了表面的部分的栅极绝缘层（3）进行第5工序; 通过使用极性溶剂清洁表面处理的栅极绝缘层（3）的表面的第六步骤; 以及通过在栅极绝缘层（3）上的源电极（7）和漏电极（8）之间施加材料来形成半导体层（10）的第七步骤。

6. 发明申请

WO2013008269A1 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法审中-公开
标题翻译：有机薄膜晶体管和有机薄膜晶体管的生产方法
公开(公告)号：WO2013008269A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/JP2011/003970
申请日：2011-07-11
申请人：パナソニック株式会社 , 受田高明 , 宮本明人 , 奥本有子
发明人：受田　高明 , 宮本　明人 , 奥本　有子
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/102 , H01L51/0545
摘要：　本発明に係る有機薄膜トランジスタ（１０）は、基板（１）と、基板（１）上に形成されたゲート電極（２）と、ゲート電極（２）上に形成されたゲート絶縁膜（３）と、ゲート絶縁膜（３）上に形成されたソース電極（４）及びドレイン電極（５）と、ソース電極（４）、ドレイン電極（５）及びゲート絶縁膜（３）の一部を露出させる開口を有し、ソース電極（４）、ドレイン電極（５）及びゲート絶縁膜（３）の上に形成された隔壁部（６）と、開口内に形成された有機半導体層（７）と、を備え、ソース電極（４）及びドレイン電極（５）の少なくともいずれか一方は、第１の厚さで形成された第１電極部と、開口から露出し、第１の厚さよりも薄い第２の厚さで形成された第２電極部とを有し、有機半導体層（７）は、第２電極部の上面と前記ゲート絶縁膜の上面とにわたって形成されている。
摘要翻译：该有机薄膜晶体管（10）包括：基板（1）; 形成在所述基板（1）上的栅电极（2）; 形成在栅电极（2）上的栅极绝缘膜（3）; 形成在栅极绝缘膜（3）上的源电极（4）和漏电极（5）。形成在源电极（4）上的分隔部（6），漏电极（5）和栅极绝缘膜（3），并且具有使源电极（4）的一部分露出的开口，漏电极）和栅极绝缘膜（3）; 和形成在开口内的有机半导体层（7）。源电极（4）或漏电极（5）中的至少一个具有以第一厚度形成的第一电极部分和从开口露出并形成为比第一厚度薄的第二厚度的第二电极部分。有机半导体层（7）横跨第二电极部分的顶表面和栅极绝缘膜的顶表面形成。

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