基本信息:
- 专利标题： 薄膜トランジスタ素子とその製造方法、有機ＥＬ表示素子とその製造方法、および有機ＥＬ表示装置
- 专利标题（英）：Thin-film transistor element and method for producing same, organic el display element and method for producing same, and organic el display device
- 专利标题（中）：薄膜晶体管元件及其制造方法，有机EL显示元件及其制造方法以及有机EL显示器件
- 申请号：PCT/JP2011/003549 申请日：2011-06-21
- 公开(公告)号：WO2012176232A1 公开(公告)日：2012-12-27
- 发明人： 奥本 有子 , 宮本 明人 , 受田 高明
- 申请人： パナソニック株式会社 , 奥本 有子 , 宮本 明人 , 受田 高明
- 申请人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- 专利权人： パナソニック株式会社,奥本 有子,宮本 明人,受田 高明
- 当前专利权人： パナソニック株式会社,奥本 有子,宮本 明人,受田 高明
- 当前专利权人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- 代理机构： 中島 司朗
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/786 ; H01L51/50 ; H05B33/02 ; H05B33/10
摘要：
ＴＦＴ基板では、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが形成され、その上が絶縁層１０１３により被覆されている。絶縁層１０１３上には、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけた状態でソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄと、接続配線１０１５が形成されている。接続配線１０１５は、ドレイン電極１０１２ａと接続されている。絶縁層１０１３上には、電極１０１４ａ～１０１４ｄ，１０１５の各一部が露出するように開口部１０１６ａ～１０１６ｃが開けられた隔壁１０１６が形成されている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部は斜面になっており、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆは、他の側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ～１０１６ｋよりも緩やかな傾斜を以って形成されている。
摘要（中）：
TFT基板具有形成在基板（1011）上的栅电极（1012a，1012b）和覆盖其顶部的绝缘层（1013）。 绝缘层（1013）的顶部具有在其上形成有沿Y轴方向彼此间隔的源极（1014a，1014b）和漏电极（1014c，1014d），并且还形成有连接布线（1015）。 连接配线（1015）与漏电极（1014c）连接。 绝缘层（1013）的顶部还具有形成在其上的分隔壁（1016），其中以使得电极（1014a-1014d）和连接布线（1015）露出的方式形成开口（1016a-1016c）。 面对开口（1016b，1016c）的分隔壁（1016）的侧面部分是倾斜的表面。 侧面部分（1016e，1016f）形成为具有比其它侧面部分（1016d，1016g，1016h-1016k）更多的渐变斜率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |