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1. 发明申请

WO2016085063A1 고밀도 유기 메모리 소자 제조 방법 审中-公开
标题翻译：制造高密度有机存储器件的方法
公开(公告)号：WO2016085063A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/KR2015/004358
申请日：2015-04-29
申请人： 서울대학교 산학협력단
发明人： 이탁희 , 송영걸 , 이진균
IPC分类号： H01L51/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L51/0018 , H01L21/027 , H01L25/046 , H01L51/0508 , H01L51/0591 , H01L51/10
摘要： 유기 메모리 소자 제조 방법이 개시된다. 일 예에 따라, 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극 위에 유기물 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물 활성층 위에 플루오르화 물질을 사용하는 직교 포토 리소그래피 기법(orthogonal photolithography)으로 제2전극을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于制造有机存储器件的方法。根据一个实施例，该方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极; 在所述第一电极上形成有机活性层; 以及通过使用氟化材料的正交光刻技术在有机活性层上形成第二电极。

2. 发明申请

WO2013126698A3 FLEXIBLE HIGH-VOLTAGE THIN FILM TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：柔性高压薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2013126698A3
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：PCT/US2013027318
申请日：2013-02-22
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY
发明人： SMITH MELISSA ALYSON , AKINWANDE AKINTUNDE I
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L29/78663 , B81B3/0086 , B81B2207/015 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0097 , H01L51/0533 , H01L51/10 , Y02E10/549
摘要： A flexible high-voltage thin-film transistor includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, a dielectric layer, and a flexible semiconductor layer. The flexible semiconductor layer serves as a channel for the transistor and is in electrical communication with the source electrode and the drain electrode. The drain electrode is laterally offset from the gate electrode. The dielectric layers is configured and arranged with respect to other elements of the transistor such that the transistor is stably operable to facilitate switching of relatively high drain voltages using relatively small controlling gate voltages.
摘要翻译：柔性高压薄膜晶体管包括栅电极，源电极，漏电极，电介质层和柔性半导体层。柔性半导体层用作晶体管的沟道，并与源电极和漏电极电连通。漏电极与栅电极横向偏移。电介质层相对于晶体管的其他元件配置和布置，使得晶体管稳定可操作以便利用相对小的控制栅极电压来切换相对高的漏极电压。

3. 发明申请

WO2014048741A1 SALZE DES CYCLOPENTADIENS ALS N-DOTIERSTOFFE FÜR DIE ORGANISCHE ELEKTRONIK 审中-公开
标题翻译：盐类环戊二烯AS n型掺杂剂的有机电子
公开(公告)号：WO2014048741A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/068785
申请日：2013-09-11
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： SCHMID, Günter , WEMKEN, Jan Hauke
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/005 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0077 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/10 , H01L51/42 , H01L51/4293 , H01L51/44 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft eine organisch, elektronenleitende Schicht mit mindestens einem Dotanden zur Erhöhung der n-Leitfähigkeit der organischen Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass der Dotand ausgewählt ist aus der Gruppe der Salze der Cyclopentadien-Verbindungen nach Formel 1, wobei die Substituenten R 1 bis R 2 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe enthaltend -H, -D, Halogen, -CN, -NO 2 , -OH, Amin, Ether, Thioether, Alkyl, Cycloalkyl, Acryl, Vinyl, Allyl, Aromaten, annelierte Aromaten und Heteroaromaten.
摘要翻译：本发明涉及与至少一种掺杂剂的有机，电子传导层，以增加有机层的n型导电性，其特征在于在根据式1的掺杂剂选自环戊二烯化合物的盐的选择，其中所述取代基R 1至R 2独立地独立地选自由-H，-D，卤素，-CN，-NO 2，-OH，胺，醚，硫醚，烷基，环烷基，丙烯酰基，乙烯基，烯丙基，芳烃，稠合芳烃和杂芳族化合物组成的组中。

4. 发明申请

WO2015174749A1 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 审中-公开
标题翻译：碳层之间的碳纳米管层，其制造方法和使用其的薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2015174749A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/KR2015/004830
申请日：2015-05-14
申请人： 동국대학교 산학협력단
发明人： 노용영
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0049 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0048 , H01L51/0516 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/055 , H01L51/0558 , H01L51/10 , H01L2251/301 , H01L2251/303
摘要： 본 발명은 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기박막트랜지스터를 구성하는 층으로서, 유기반도체층 및 소스/드레인 전극 사이에 공액고분자 및 단일벽 탄소나노튜브를 포함한 층으로, 상기 공액고분자는 반도체성질을 갖는 단일벽 탄소나노튜브를 선택적으로 랩핑하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 층간층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及层之间的碳纳米管层，其制造方法和使用其的薄膜晶体管。更具体地说，本发明提供了层间的碳纳米管层，其特征在于，由有机薄膜晶体管构成的层和在有机半导体层与源极/漏极之间包含共轭聚合物和单壁碳纳米管的层其中所述共轭聚合物选择性地包裹具有半导体特性的单壁碳纳米管; 其制造方法; 和使用该薄膜晶体管的薄膜晶体管。

5. 发明申请

WO2014061493A1 電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：制造电子器件的方法
公开(公告)号：WO2014061493A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/JP2013/077246
申请日：2013-10-07
申请人：住友化学株式会社
发明人：六原　行一 , 佐々　修一
IPC分类号： H05B33/10 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/003 , C08G61/12 , C08G2261/124 , C08G2261/135 , C08G2261/141 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/5222 , C08G2261/76 , C08G2261/95 , H01L29/786 , H01L51/0003 , H01L51/0029 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/50 , H01L51/5056 , H01L51/56 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：　塗布法により薄膜を形成するにあたり、基板、あるいは既に設けられている電極および機能層のダメージを抑制する。２以上の電極と、前記２以上の電極間に設けられる有機薄膜とを有する電子デバイスの製造方法であって、架橋性基を有する材料を含む塗布液を塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜に電磁波を繰り返し照射して前記架橋性基を架橋させることにより、前記有機薄膜を形成する工程とを含む、電子デバイスの製造方法。
摘要翻译：为了防止在通过涂布方法形成薄膜时对基板或以前提供的电极和功能层的损坏，该制造具有两个或更多个电极的电子器件和设置在两个或更多个电极之间的有机薄膜的方法更多的电极包括其中涂覆含有具有交联性基团的材料的涂布液以形成涂膜的步骤，以及通过将涂膜反复暴露于电磁波使可交联基团交联的步骤，从而形成有机薄膜。

6. 发明申请

WO01078464A1 ORGANIC/POLYMER ELECTROLUMINESCENT DEVICE EMPLOYING SINGLE-ION CONDUCTOR 审中-公开
标题翻译：有机/聚合物电致发光器件使用单导体
公开(公告)号：WO01078464A1
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：PCT/KR2001/000535
申请日：2001-03-30
IPC分类号： H05B33/22 , C08G65/22 , C09K11/06 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/50 , H01L51/52 , H05B33/02 , H05B33/26 , H05B33/28 , H05B33/14 , H05B33/20
CPC分类号： H01L51/5092 , H01L51/004 , H01L51/10 , H01L51/5088 , Y10S428/917
摘要： The present invention relates to organic/polymer electroluminescent devices employing single-ion conductors as the materials for an electron- or hole-injecting layer. The organic/polymer electroluminescent devices of the invention are improved in a sense that it employs an electron- or hole-injecting layer made of single-ion conductors in a conventional electroluminescent device which comprises: a transparent substrate; a semitransparent electrode deposited on the transparent substrate; a hole-injecting layer positioned on the semitransparent electrode; an electroluminescent layer made of organic luminescent material, positioned on the hole-injecting layer; an electron-injecting layer positioned on the electroluminescent layer; and, a metal electrode deposited on the electron-injecting layer. The organic/polymer EL devices of the invention have excellent EL efficiency and low turn-on voltage, which make possible their application to the development of high efficiency organic/polymer EL devices.
摘要翻译：本发明涉及使用单离子导体作为电子或空穴注入层的材料的有机/聚合物电致发光器件。本发明的有机/聚合物电致发光器件在一种意义上是改进的，它在传统的电致发光器件中采用由单离子导体制成的电子或空穴注入层，其包括：透明衬底; 沉积在透明基板上的半透明电极; 位于半透明电极上的空穴注入层; 位于空穴注入层上的由有机发光材料制成的电致发光层; 位于电致发光层上的电子注入层; 以及沉积在电子注入层上的金属电极。本发明的有机/聚合物EL器件具有优异的EL效率和低导通电压，这使得它们可用于开发高效率有机/聚合物EL器件。

7. 发明申请

WO2016171436A1 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：有机记忆装置及其制备方法使用高温热处理
公开(公告)号：WO2016171436A1
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：PCT/KR2016/003977
申请日：2016-04-18
申请人： 경북대학교산학협력단
发明人： 김영규 , 김화정 , 정재훈 , 서주역
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/05 , H01L51/10
摘要： 본 발명은 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 80℃ 이상의 고온에서 열처리하여 고분자 메모리 절연층을 형성시킴으로써 열적 안정성을 확보하면서도 저전압에서도 우수한 메모리 특성을 보일 수 있으며, 산성도가 적어 전하 수송층의 안정성을 높일 수 있고 유리전이온도가 매우 높아 300℃까지의 고온에서도 열처리가 가능한 술폰산(sulfonic acid) 계열의 유기물질을 메모리 저장층으로 적용시킨 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 유기 메모리 소자는, 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 열처리된 유기물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 고온 열처리를 이용한 유기 메모리 소자이다.
摘要翻译：有机存储装置及其制备方法技术领域本发明涉及一种使用高温热处理的有机存储装置及其制备方法，更具体地说，涉及即使在低电压下也能获得热稳定性以及优异的记忆特性的有机存储装置通过在80℃以上的高温下进行热处理而形成聚合物记忆绝缘层。并且本发明能够由于酸性低而能够提高电荷输送层的稳定性，并且向存储器层施加了玻璃化转变温度非常高的磺酸类有机材料，因此可以在高温可达300°C。为了达到上述目的，根据本发明的一个实施方案，在其上形成了包括源极和漏极以及形成在基板上的栅电极的晶体管中的有机存储器件，其上形成有电极化聚合物存储绝缘层，由栅电极和源电极之间的热处理有机材料形成并显示滞后。

8. 发明申请

WO2006106365A2 MULTIPLE CONDUCTIVE LAYER TFT 审中-公开
标题翻译：多层导电TFT
公开(公告)号：WO2006106365A2
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/GB2006/050078
申请日：2006-04-05
申请人： Plastic Logic Limited , REYNOLDS, Kieran , RAMSDALE, Catherine , JACOBS, Kevin , REEVES, William
发明人： REYNOLDS, Kieran , RAMSDALE, Catherine , JACOBS, Kevin , REEVES, William
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133305 , G02F1/136213 , G02F1/167 , H01L27/283 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3274 , H01L51/0003 , H01L51/10 , H01L51/56
摘要： The present invention relates to a multiple layer pixel architecture for an active matrix display in which a common bus line is formed on a metal level which is separate from that on which the gate electrodes of the TFTs are formed. A multilayer electronic structure adapted to solution deposition, the structure including a thin film transistor (TFT) for driving a pixel of an active matrix optoelectronic device and a capacitor for storing charge to maintain an electrical state of said active matrix pixel, wherein the structure comprises a substrate bearing at least four conducting layers separated by at least three dielectric layers, first and second ones of said conducting layers defining drain/source electrodes and a gate electrode of said transistor respectively, and third and fourth ones of said conducting layers defining respective first and second plates of said capacitor, and wherein said capacitor and said transistor are laterally positioned such that they overlap in a vertical direction.
摘要翻译：本发明涉及一种用于有源矩阵显示器的多层像素架构，其中在与形成TFT的栅电极的金属层上分离的金属层上形成公共总线。一种适于溶液沉积的多层电子结构，所述结构包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管（TFT）和用于存储电荷以维持所述有源矩阵像素的电状态的电容器，其中所述结构包括至少四个由至少三个电介质层隔开的导电层的衬底，所述导电层中的第一和第二导电层分别限定漏极/源电极和所述晶体管的栅电极，第三和第四导电层限定相应的第一和所述电容器的第二板，并且其中所述电容器和所述晶体管被横向定位成使得它们在垂直方向上重叠。

9. 发明申请

WO2006025473A1 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2006025473A1
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/JP2005/015963
申请日：2005-08-25
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. , MAEKAWA, Shinji
发明人： MAEKAWA, Shinji
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0018 , G02F1/1368 , H01L27/3274 , H01L51/0545 , H01L51/10
摘要： In view of the problem that an organic semiconductor layer of an organic TFT is likely to deteriorate due to water, light, oxygen, or the like, it is an object of the present invention to simplify a manufacturing step and to provide a method for manufacturing a semiconductor device having an organic TFT with high reliability. According to the invention, a semiconductor layer containing an organic material is formed by patterning using a mask, and thus an organic TFT is completed in the state where the mask is not removed but to remain over the semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer can be protected from deterioration due to water, light, oxygen, or the like by using the remaining mask.
摘要翻译：鉴于有机TFT的有机半导体层由于水，光，氧等而可能劣化的问题，本发明的目的是简化制造步骤并提供制造方法具有高可靠性的有机TFT的半导体器件。根据本发明，通过使用掩模进行图案化形成含有有机材料的半导体层，因此在掩模未被除去但保留在半导体层上的状态下完成有机TFT。此外，通过使用剩余的掩模，可以防止半导体层由于水，光，氧等而导致的劣化。

10. 发明申请

WO2005083147A1 液晶高分子からなる膜の製造方法审中-公开
标题翻译：生产液晶聚合物膜的方法
公开(公告)号：WO2005083147A1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：PCT/JP2004/012378
申请日：2004-08-27
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 鯉沼秀臣 , 伊高健治 , 新井圭一郎
发明人：鯉沼秀臣 , 伊高健治 , 新井圭一郎
IPC分类号： C23C14/12
CPC分类号： H01L51/10 , C09K19/38 , C09K19/3809 , C09K2219/03 , C23C14/12 , H01L51/0009 , H01L51/0076 , H01L51/0545 , H01L51/107 , H01L51/5253 , Y10T428/10 , Y10T428/31504
摘要：　水分バリアー性および／または酸素バリアー性に優れた有機材料の膜の製造方法を提供するとともに、該製造方法によって得られる膜を電子デバイス、特に有機電子デバイスの保護膜として形成してなる、空気中の水分や酸素による性能の劣化を防止した長期安定性に優れた電子デバイスを提供する。光学的異方性を示す液晶性高分子にパルスレーザーを照射することにより蒸発生成した気化物を基材上に堆積固化させることを特徴とする。
摘要翻译：一种具有优异的防潮性和/或氧气阻隔性的有机材料膜的制造方法。以及避免空气湿气和氧气的性能恶化以及长期稳定性优异的电子装置，该电子装置是通过将通过上述方法制造的膜并入电子装置而获得的，特别是将该膜用作有机电子学中的保护膜设备。该方法的特征在于，用脉冲激光照射出具有光学各向异性的液晶聚合物，从而实现蒸发形成蒸发产物，蒸发产物沉积在基材上并固化。

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