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1. 发明申请

WO2006087873A1 フレキシブル銅基板用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：用于柔性铜基板的阻挡膜和阻挡膜形成的溅射靶
公开(公告)号：WO2006087873A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2005/023866
申请日：2005-12-27
申请人：日鉱金属株式会社 , 入間田修一 , 山越康廣
发明人：入間田修一 , 山越康廣
IPC分类号： H05K1/09 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/205 , H01L21/2855 , H05K1/0393 , H05K3/388
摘要：Ｃｒ：５～３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１～１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ－Ｃｒ系合金膜からなり、膜厚が３～１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とするフレキシブル銅基板用バリア膜。Ｃｒ：５～３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１～１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ－Ｃｒ系合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。ポリイミド等の樹脂フィルムへの銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がないフレキシブル銅基板用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲット得る。
摘要翻译：一种用于柔性铜基板的阻挡膜，其特征在于，它由Ni-Cr合金膜组成，其由5至30重量％的Cr，1至10重量％的Ti和/或Zr组成，余量为不可避免的杂质和Ni 并且阻挡膜的厚度为3〜150nm，膜厚均匀性为1s = 10％。此外，提供了一种用于阻挡膜形成的溅射靶，其特征在于，它由由Cr重量％至30％（重量）组成的Ni-Cr合金，Ti和/或Zr的1至10重量％不可避免的杂质和Ni，沿着溅射表面向内的方向具有相对导磁率= 100。因此，获得了柔性铜基板的阻挡膜，在抑制铜扩散到聚酰亚胺等的树脂膜中可以实现即使精细的布线间距，薄膜厚度减小到能够避免任何薄膜剥离的程度的令人满意的屏障效果，并且即使当由于热处理等而发生温度上升时，阻挡性能也没有变化。此外，获得了用于阻挡膜形成的相关溅射靶。

2. 发明申请

WO2003023084A1 フッ化物スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氟化物喷射目标及其制备方法
公开(公告)号：WO2003023084A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/JP2002/007264
申请日：2002-07-17
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0694
摘要： A sputtering target, characterized in that it comprises a fluoride of at least one element selected from the group consisting of Al, Ba, Ca, Gd, La, Li, Mg, Pb and Y and a method for preparing the target. The sputtering target has allowed the use of the sputtering method as a method for forming a film of a fluoride, which method in turn permits the formation of a film having an increased area. Further, the enhancement of the density of the target allows the suppression of the occurrence of particles and thus the preparation of a target having desired quality.
摘要翻译：一种溅射靶，其特征在于，它包括选自Al，Ba，Ca，Gd，La，Li，Mg，Pb和Y中的至少一种元素的氟化物及其制备方法。溅射靶允许使用溅射法作为形成氟化物膜的方法，该方法又可以形成具有增加面积的膜。此外，目标的密度的提高可以抑制颗粒的发生，从而抑制具有期望质量的靶的制备。

3. 发明申请

WO2003009367A1 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于形成栅氧化膜的高分子硅酮靶及其制备方法
公开(公告)号：WO2003009367A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/JP2002/005547
申请日：2002-06-05
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28194 , C01B33/06 , C04B35/58092 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3891 , C04B2235/5427 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C27/00 , C23C14/0676 , C23C14/0682 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/3144 , H01L21/316 , H01L29/517
摘要： A hafnium silicide target for forming a gate oxide film which comprises HfSi 1.02−2.00 ; and a method for preparing the hafnium silicide target. The hafnium silicide target has good resistane to embrittlement and is sutable for the formation of a HfSiO film and a HfSiO N film, which is capable of being used as a high dielectric gate insulating film having characteristics advantageous over a conventional SiO 2 film.
摘要翻译：一种用于形成栅极氧化膜的铪硅化物靶，其包含HfSi <1.02-2.00cb; 以及制备硅铪靶的方法。硅铪靶具有良好的脆化性，并且可用于形成HfSiO膜和HfSiO N膜，其可用作具有优于常规SiO 2的特性的高介电栅极绝缘膜， / sb>电影。

4. 发明申请

WO2008041535A1 Ｃｕ－Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び半導体配線审中-公开
标题翻译： Cu-Mn合金溅射靶和半导体接线
公开(公告)号：WO2008041535A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/068501
申请日：2007-09-25
申请人：日鉱金属株式会社 , 入間田修一 , 宮田千栄
发明人：入間田修一 , 宮田千栄
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： C23C14/3414 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：Ｍｎ０．０５～２０ｗｔ％を含有し、Ｂｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅの総計が５００ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物であることを特徴とするＣｕ－Ｍｎ合金スパッタリングターゲット。半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
摘要翻译：本发明提供一种Cu-Mn合金溅射靶，其特征在于包含0.05至20重量％的Mn和不超过500重量ppm的Be，B，Mg，Al，Si，Ca，Ba，La和Ce 余量由Cu和不可避免的杂质组成。还提供了一种用于半导体的铜合金布线，其中可以对半导体本身的铜合金布线赋予自扩散抑制功能，以通过活性Cu的扩散来有效地防止布线周围部分的污染。此外，在半导体用铜合金布线中，例如电迁移（EM）电阻和耐腐蚀性得到改善，可以任意容易地形成阻挡层，而且还可以形成铜合金布线的成膜步骤可以简化半导体。还提供了用于形成布线的溅射靶，以及用于形成用于半导体的铜合金布线的方法。

5. 发明申请

WO2006016473A1 フレキシブル銅基板用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：用于柔性铜基板的遮蔽膜和形成遮蔽膜的溅射靶
公开(公告)号：WO2006016473A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/013548
申请日：2005-07-25
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 山越康廣
发明人：入間田修一 , 山越康廣
IPC分类号： C23C14/14
CPC分类号： H05K3/388 , C22C19/07 , C23C14/205 , C23C14/3414 , H05K1/0346 , H05K1/0393 , Y10T428/12569 , Y10T428/12715 , Y10T428/12847 , Y10T428/1291 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
摘要：　Ｃｒを５～３０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＣｏからなるＣｏ－Ｃｒ合金膜からなり、膜厚が３～１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とするフレキシブル銅基板用バリア膜及びＣｒを５～３０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＣｏからなるＣｏ－Ｃｒ合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。ポリイミド等の樹脂フィルムへの銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がないフレキシブル銅基板用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲット得る。
摘要翻译：一种柔性铜基材的阻挡膜，其特征在于，其包含含有5〜30重量％的Cr，Co的平衡量和不可避免的杂质的Co-Cr合金，膜厚为3〜150nm， 1s时膜厚均匀度为10％以下; 以及用于形成阻挡膜的溅射靶，其特征在于，其是含有Cr：5〜30重量％，Co的平衡量和不可避免的杂质的Co-Cr合金，并且在平面内方向的比磁导率溅射平面为100以下。在抑制铜向聚酰亚胺等树脂膜的扩散的抑制中，上述柔性铜基板用阻挡膜可以表现出令人满意的阻挡效果，膜厚小到不会引起膜的剥离，精细的布线间距的情况下，即使在由于热处理等导致的温度升高的情况下，也不会发生阻挡特性的变化。

6. 发明申请

WO2004079039A1 ハフニウム合金ターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：铪合金靶材及其制造方法
公开(公告)号：WO2004079039A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/000448
申请日：2004-01-21
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 岡部岳夫 , 入間田修一 , 山越康廣 , 宮下博仁 , 鈴木了
发明人：岡部岳夫 , 入間田修一 , 山越康廣 , 宮下博仁 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C22C27/00 , C23C14/3414 , H01L21/31645 , Y10S148/158
摘要：本発明は1、Hfに、Zr若しくはTiのいずれか、又は双方を総計で100wtppm-10wt%含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が1-100μm、不純物であるFe、Cr、Niがそれぞれ1wtppm以下、さらに{002}とこの面から35゜以内にある{103}、{014}、{015}の4つの面の晶癖面配同率が55%以上で、かつ場所による4つの面の強度比の総和のばらつきが20%以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、HfO又はHfON膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。
摘要翻译：一种铪合金靶，其特征在于在I和Hf中，Zr和Ti中的任一种或两者的含量为100重量ppm至10重量％。其平均结晶粒径在1〜100μm的范围内，其中杂质Fe，Cr和Ni的含量为1重量ppm以下。此外，对于铪合金靶，由{002}面构成的四个平面的晶体习惯面取向因子，与该平面成比例的{103}，{014}和{015}面的35°以内，为55％以上，并且根据位置的四平面强度比的总和的分散为20％以下。铪合金靶的成膜性和成膜速度优异，可以减少颗粒发生，适合于形成HfO膜，HfON膜等高介电栅极绝缘膜。另外，提供了一种铪合金靶的制造方法。

7. 发明申请

WO2003006702A1 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于氧化铝膜形成的氧化铈硅酮靶及其生产方法
公开(公告)号：WO2003006702A1
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：PCT/JP2002/005546
申请日：2002-06-05
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C01B35/04 , C04B35/58092 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B2235/3891 , C04B2235/5427 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C27/00 , C23C14/0676 , C23C14/08 , H01L21/3145 , H01L21/31604
摘要： A hafnium silicide target for forming a gate oxide film made of HfSi 0.05−0.37 . An HfSiO film usable as a high−dielectric gate insulating film having a characteristic alternative to that of an SiO 2 film, a hafnium silicide target preferably used for forming an HfSiON film and rich in brittleness resistance, and its production method are disclosed.
摘要翻译：用于形成由HfSi <0.05-0.37 制成的栅极氧化膜的铪硅化物靶。可用作具有与SiO 2膜的特性替代的高介电性栅极绝缘膜的HfSiO膜，优选用于形成HfSiON膜并且具有耐脆性的硅铪靶，以及其公开了生产方法。

8. 发明申请

WO2004016825A1 ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：高矽硅酮靶及其制备方法
公开(公告)号：WO2004016825A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/008461
申请日：2003-07-03
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01L21/28194 , C23C14/3414 , H01L21/28167 , H01L29/517
摘要： HfSi 0.82-0.98 からなり、酸素含有量が500～10000ppmであることを特徴とするゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。HfSi 0.82-0.98 からなる組成の粉末を合成し、これを100メッシュ以下に粉砕したものを1700℃～2120℃、150～2000kgf/cm 2 で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス(HIP)することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。SiO 2 膜及びSiON膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるHfSiO膜及びHfSiON膜の形成に好適であり、耐脆化性に富み、パーティクルの発生が少なく、かつターゲット製造工程における発火、爆発等の危険のないハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を得る。
摘要翻译：一种用于形成栅极氧化膜的铪硅化物靶，其特征在于，其具有HfSi0.82-0.98的组成，并且具有500至10000ppm的氧含量; 以及制备硅铪靶的方法，其包括合成具有HfSi0.82-0.98组成的粉末，随后粉碎成100目以下的粉末，并将所得粉末进行热压或热静水压（ HIP），在1700〜2120℃，150〜2000kgf / cm 2。硅铪靶适于形成HfSiO膜，并且可以用作具有足以代替SiO 2膜和SiON膜的特性的高介电栅极绝缘膜的HfSiON膜显示出优异的耐脆性，减少了颗粒的形成，并且可以制备成没有爆炸等的危险。

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