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1. 发明申请

WO2004079039A1 ハフニウム合金ターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：铪合金靶材及其制造方法
公开(公告)号：WO2004079039A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/000448
申请日：2004-01-21
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 岡部岳夫 , 入間田修一 , 山越康廣 , 宮下博仁 , 鈴木了
发明人：岡部岳夫 , 入間田修一 , 山越康廣 , 宮下博仁 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C22C27/00 , C23C14/3414 , H01L21/31645 , Y10S148/158
摘要：本発明は1、Hfに、Zr若しくはTiのいずれか、又は双方を総計で100wtppm-10wt%含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が1-100μm、不純物であるFe、Cr、Niがそれぞれ1wtppm以下、さらに{002}とこの面から35゜以内にある{103}、{014}、{015}の4つの面の晶癖面配同率が55%以上で、かつ場所による4つの面の強度比の総和のばらつきが20%以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、HfO又はHfON膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。
摘要翻译：一种铪合金靶，其特征在于在I和Hf中，Zr和Ti中的任一种或两者的含量为100重量ppm至10重量％。其平均结晶粒径在1〜100μm的范围内，其中杂质Fe，Cr和Ni的含量为1重量ppm以下。此外，对于铪合金靶，由{002}面构成的四个平面的晶体习惯面取向因子，与该平面成比例的{103}，{014}和{015}面的35°以内，为55％以上，并且根据位置的四平面强度比的总和的分散为20％以下。铪合金靶的成膜性和成膜速度优异，可以减少颗粒发生，适合于形成HfO膜，HfON膜等高介电栅极绝缘膜。另外，提供了一种铪合金靶的制造方法。

2. 发明申请

WO2003006702A1 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于氧化铝膜形成的氧化铈硅酮靶及其生产方法
公开(公告)号：WO2003006702A1
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：PCT/JP2002/005546
申请日：2002-06-05
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C01B35/04 , C04B35/58092 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B2235/3891 , C04B2235/5427 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C27/00 , C23C14/0676 , C23C14/08 , H01L21/3145 , H01L21/31604
摘要： A hafnium silicide target for forming a gate oxide film made of HfSi 0.05−0.37 . An HfSiO film usable as a high−dielectric gate insulating film having a characteristic alternative to that of an SiO 2 film, a hafnium silicide target preferably used for forming an HfSiON film and rich in brittleness resistance, and its production method are disclosed.
摘要翻译：用于形成由HfSi <0.05-0.37 制成的栅极氧化膜的铪硅化物靶。可用作具有与SiO 2膜的特性替代的高介电性栅极绝缘膜的HfSiO膜，优选用于形成HfSiON膜并且具有耐脆性的硅铪靶，以及其公开了生产方法。

3. 发明申请

WO2004016825A1 ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：高矽硅酮靶及其制备方法
公开(公告)号：WO2004016825A1
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：PCT/JP2003/008461
申请日：2003-07-03
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01L21/28194 , C23C14/3414 , H01L21/28167 , H01L29/517
摘要： HfSi 0.82-0.98 からなり、酸素含有量が500～10000ppmであることを特徴とするゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。HfSi 0.82-0.98 からなる組成の粉末を合成し、これを100メッシュ以下に粉砕したものを1700℃～2120℃、150～2000kgf/cm 2 で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス(HIP)することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。SiO 2 膜及びSiON膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるHfSiO膜及びHfSiON膜の形成に好適であり、耐脆化性に富み、パーティクルの発生が少なく、かつターゲット製造工程における発火、爆発等の危険のないハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を得る。
摘要翻译：一种用于形成栅极氧化膜的铪硅化物靶，其特征在于，其具有HfSi0.82-0.98的组成，并且具有500至10000ppm的氧含量; 以及制备硅铪靶的方法，其包括合成具有HfSi0.82-0.98组成的粉末，随后粉碎成100目以下的粉末，并将所得粉末进行热压或热静水压（ HIP），在1700〜2120℃，150〜2000kgf / cm 2。硅铪靶适于形成HfSiO膜，并且可以用作具有足以代替SiO 2膜和SiON膜的特性的高介电栅极绝缘膜的HfSiON膜显示出优异的耐脆性，减少了颗粒的形成，并且可以制备成没有爆炸等的危险。

4. 发明申请

WO2003023084A1 フッ化物スパッタリングターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氟化物喷射目标及其制备方法
公开(公告)号：WO2003023084A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/JP2002/007264
申请日：2002-07-17
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0694
摘要： A sputtering target, characterized in that it comprises a fluoride of at least one element selected from the group consisting of Al, Ba, Ca, Gd, La, Li, Mg, Pb and Y and a method for preparing the target. The sputtering target has allowed the use of the sputtering method as a method for forming a film of a fluoride, which method in turn permits the formation of a film having an increased area. Further, the enhancement of the density of the target allows the suppression of the occurrence of particles and thus the preparation of a target having desired quality.
摘要翻译：一种溅射靶，其特征在于，它包括选自Al，Ba，Ca，Gd，La，Li，Mg，Pb和Y中的至少一种元素的氟化物及其制备方法。溅射靶允许使用溅射法作为形成氟化物膜的方法，该方法又可以形成具有增加面积的膜。此外，目标的密度的提高可以抑制颗粒的发生，从而抑制具有期望质量的靶的制备。

5. 发明申请

WO2003009367A1 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于形成栅氧化膜的高分子硅酮靶及其制备方法
公开(公告)号：WO2003009367A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/JP2002/005547
申请日：2002-06-05
申请人：株式会社日鉱マテリアルズ , 入間田修一 , 鈴木了
发明人：入間田修一 , 鈴木了
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28194 , C01B33/06 , C04B35/58092 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3891 , C04B2235/5427 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C27/00 , C23C14/0676 , C23C14/0682 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/3144 , H01L21/316 , H01L29/517
摘要： A hafnium silicide target for forming a gate oxide film which comprises HfSi 1.02−2.00 ; and a method for preparing the hafnium silicide target. The hafnium silicide target has good resistane to embrittlement and is sutable for the formation of a HfSiO film and a HfSiO N film, which is capable of being used as a high dielectric gate insulating film having characteristics advantageous over a conventional SiO 2 film.
摘要翻译：一种用于形成栅极氧化膜的铪硅化物靶，其包含HfSi <1.02-2.00cb; 以及制备硅铪靶的方法。硅铪靶具有良好的脆化性，并且可用于形成HfSiO膜和HfSiO N膜，其可用作具有优于常规SiO 2的特性的高介电栅极绝缘膜， / sb>电影。

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