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1. 发明申请

WO2012073765A1 半導体製造装置审中-公开
标题翻译：半导体制造设备
公开(公告)号：WO2012073765A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/JP2011/076964
申请日：2011-11-22
申请人：株式会社日立国際電気 , 相澤聡 , 中嶋誠世 , 山田朋之
发明人：相澤　聡 , 中嶋　誠世 , 山田　朋之
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67242 , H01L21/67769 , H01L21/67778
摘要：半導体製造装置の外郭を形成する筐体と、前記半導体製造装置外部との間で基板収容器を受渡すために該装置前部に設けられたロードポートと、前記ロードポートの後方であって前記筐体内に設けられた基板収容器搬送機構と、前記基板収容器搬送機構の後方であって前記筐体内に設けられた基板収容器保管棚と、前記筐体の前面の一部を構成するとともに、前記ロードポートの上方に設けられ、透明窓を有する第１透明窓部と、前記半導体製造装置の前部に設けられ操作員からの操作を受け付ける操作部と、を備えるように半導体製造装置を構成する。
摘要翻译：半导体制造装置被构造成包括：形成半导体制造装置的外壳的框架; 设置在设备前面的负载端口，以便与半导体制造装置的外部更换衬底容器; 衬底容器输送机构，其设置在所述框架的所述负载端口后面; 设置在所述框架中并在所述基板容器输送机构的后方的基板容器收纳架; 构成框架的前表面的一部分的第一透明窗口，其设置在装载口上方并具有透明窗口; 以及设置在半导体制造系统的前方并由操作者操作的操作单元。

2. 发明申请

WO2006049055A1 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：基板加工设备和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2006049055A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/019670
申请日：2005-10-26
申请人：株式会社日立国際電気 , 中嶋誠世 , 谷山智志 , 寿崎健一 , 高島義和
发明人：中嶋誠世 , 谷山智志 , 寿崎健一 , 高島義和
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/4408 , H01L21/67757
摘要：　ロードロック方式の予備室におけるガスの流れを改善する。　ロードロック方式の基板処理装置は、基板（１）を収容して処理する処理室（３４）と、処理室（３１）に連設された予備室（２３）と、複数枚の基板（１）を保持した基板保持具（５０）を処理室（３１）に搬入および搬出する基板保持具用機構部（４０）と、予備室（２３）に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口（６１）と、不活性ガス供給口（６１）よりも上側となるように予備室（２３）に設けられて不活性ガスを排気する第一の排気口（７１）と、予備室（２３）を真空引きする第二の排気口（８１）と、第二の排気口（８１）により真空引きした予備室（２３）内を昇圧してから所定圧力に維持する際に、不活性ガス供給口（６１）から供給された不活性ガスを第一の排気口（７１）からのみ排気するように制御する制御部（１００）と、を備えている。
摘要翻译：改进了装载系统预备室中的气流。装载系统基板处理设备设置有用于存储和处理基板（1）的处理室（34）。所述预备室（23）连续地布置到所述处理室（31）; 用于承载和执行将多个基板（1）保持在处理室（31）上的基板保持工具（50）的基板保持机构部分（40）; 用于向预备室（23）供给惰性气体的惰性气体供给口（61）第一排气口（71），设置在所述预备室（23）中的所述惰性气体供给口（61）的上方，排出所述惰性气体; 用于使预备室（23）真空的第二排气口（81）; 以及控制部（100），用于控制从惰性气体供给口（61）供给的惰性气体，仅在从第一排气口（71）排出时，将由第二排气抽真空的预备室（23）保持端口（81）在增加预备室（23）的压力之后在规定的压力下。

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